一種基于LDMOS器件的P波段功率放大器的理論與設(shè)計(jì).pdf

1、與硅雙極型功率器件相比，LDMOS微波功率器件具有頻帶寬、輸出功率高、功率增益高、線性度好、熱穩(wěn)定性好、沒有二次擊穿等諸多優(yōu)點(diǎn)，在要求高功率、高增益、高線性度的通信領(lǐng)域應(yīng)用較為廣泛，特別是在移動(dòng)基站上，LDMOS是首選的微波功率器件，占據(jù)了約90％的市場(chǎng)份額[1]。隨著LDMOS微波功率器件的設(shè)計(jì)越來越優(yōu)化、加工技術(shù)和手段越來越成熟、產(chǎn)品可靠性水平不斷提高，LDMOS又在向脈沖大功率應(yīng)用領(lǐng)域方向發(fā)展，隨著需求的提高，適合脈沖應(yīng)用的LDM

2、OS新產(chǎn)品也在不斷被開發(fā)出來，并不斷地被推向市場(chǎng)。許多研究機(jī)構(gòu)和公司都在開展LDMOS器件的研制和開發(fā)工作，特別著名的，如Infineon、NXP、Freescale等公司都擁有自主的LDMOS產(chǎn)品研發(fā)生產(chǎn)線，并開發(fā)出比較完善的系列化產(chǎn)品。本文基于脈沖器件應(yīng)用的市場(chǎng)需求，進(jìn)行P波段LDMOS微波脈沖功率放大器的設(shè)計(jì)工作進(jìn)行討論研究。
　　在對(duì)P波段LDMOS微波功率放大器設(shè)計(jì)過程中，論文將討論三個(gè)方面的內(nèi)容。第一方面首先討論了LD

3、MOS微波功率器件工藝原理，具體內(nèi)容里將在第二章節(jié)闡述;LDMOS微波功率器件是放大器設(shè)計(jì)的關(guān)鍵元器件，因此它是放大器設(shè)計(jì)的依據(jù)，所以第二個(gè)方面主要討論了設(shè)計(jì)LDMOS微波功率器件內(nèi)匹配電路模型，這些內(nèi)容都將在第三章節(jié)里詳細(xì)討論。第三方面主要討論了P波段LDMOS脈沖功率放大器的設(shè)計(jì)和研制，主要包括如下內(nèi)容:放大器的設(shè)計(jì)原理和電路、放大器輸入輸出匹配網(wǎng)絡(luò)的設(shè)計(jì)、放大器的可靠性設(shè)計(jì)、放大器的穩(wěn)定性研究以及放大器的最終測(cè)試結(jié)果分析等幾方面的