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1、近年來(lái),基于異靛藍(lán)及其衍生物的聚合物太陽(yáng)能電池(PSCs)引起國(guó)內(nèi)外廣大科研工作者的極大研究興趣;基于異靛藍(lán)及其衍生物的聚合物具有良好的紫外-可見(jiàn)(UV-vis)光譜吸收、較高的開(kāi)路電壓(Voc)和良好的空氣穩(wěn)定性;因此設(shè)計(jì)合成基于異靛藍(lán)及其衍生物的聚合物太陽(yáng)能電池材料具有重要意義。本論文設(shè)計(jì)合成一系列異靛藍(lán)及其衍生物,以其為電子受體單元(A),苯并二噻吩和噻吩為電子給體單元(D),合成一些共軛聚合物,并對(duì)其光伏性能進(jìn)行研究。主要工作如
2、下:
1、設(shè)計(jì)合成單烷基取代異靛藍(lán)(IIDH),和苯并二噻吩(BDT)單元共聚得到聚合物 PBDTO-IIDH和 PBDTT-IIDH,光學(xué)能帶隙分別為1.56 eV(PBDTO-IIDH)和1.59 eV(PBDTT-IIDH)。采用倒置結(jié)構(gòu)器件測(cè)試,當(dāng)PBDTO-IIDH:PC61BM為1:1.5(w/w),經(jīng)退火處理后,光電轉(zhuǎn)化效率(PCE)為1.73%。
2、設(shè)計(jì)合成單噻吩連接兩個(gè)異靛藍(lán)的A-D-A型新電子受
3、體單元,與苯并二噻吩單元共聚得到含有一種電子受體單元(異靛藍(lán))和兩種電子給體單元(噻吩和苯并二噻吩)的聚合物PBDTO-DIIDT和PBDTT-DIIDT,聚合物的最大吸收峰將近700 nm;采用倒置結(jié)構(gòu)器件測(cè)試,基于PBDTT-DIIDT的太陽(yáng)能電池的PCE為3.33%;設(shè)計(jì)合成此類型結(jié)構(gòu)的聚合物可以有效解決無(wú)規(guī)共聚物結(jié)構(gòu)難以準(zhǔn)確定義的問(wèn)題。
3、針對(duì)異靛藍(lán)的二面角問(wèn)題,設(shè)計(jì)合成以噻吩為內(nèi)核的異靛藍(lán)衍生物IIDT和IIDT8
4、,通過(guò)計(jì)算機(jī)模擬可知噻吩與吲哚酮環(huán)的二面角只有0.14°;以其為電子受體單元、BDT為電子給體單元合成聚合物 PBDTO-IIDT8、PBDTO-IIDT和PBDTT-IIDT,聚合物的UV-vis光譜吸收范圍為300 nm?750 nm;采用倒置結(jié)構(gòu)器件測(cè)試,基于PBDTO-IIDT8的PSCs的PCE為2.42%,而基于PBDTO-IIDT和PBDTT-IIDT的PSCs的PCE分別為1.33%和1.51%;。
4、為解決
5、異靛藍(lán)的二面角問(wèn)題,設(shè)計(jì)合成以丁二烯為內(nèi)核的異靛藍(lán)衍生物EBI,與苯并二噻吩單元共聚得到聚合物 PBDTO-EBI和 PBDTT-EBI,計(jì)算機(jī)模擬可知丁二烯與吲哚酮環(huán)的二面角只有0.18°,說(shuō)明 EBI平面性好;聚合物UV-vis光譜吸收范圍為300 nm?750 nm;PBDTO-EBI和PBDTT-EBI的HOMO都比較低,分別為-5.46 eV和-5.51 eV,有利于獲得較高的開(kāi)路電壓;采用傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)器件測(cè)試,基于PBDTO-E
6、BI的PSCs的PCE為3.00%,而基于PBDTT-EBI的PSCs的PCE達(dá)到4.59%,開(kāi)路電壓為0.94 V;設(shè)計(jì)合成以丁二烯為內(nèi)核的異靛藍(lán)衍生物可以有效解決異靛藍(lán)二面角問(wèn)題。
5、設(shè)計(jì)合成非對(duì)稱結(jié)構(gòu)的新型電子受體單元 TEI,分別與單噻吩和苯并二噻吩單元共聚得到聚合物PT-TEI、PBDTO-TEI和PBDTT-TEI,在氯仿溶液中,聚合物UV-vis光譜吸收范圍為300 nm?800 nm,最大吸收峰分別為615
7、nm(ε=2.78×105 M-1cm-1),576 nm(ε=1.22×105 M-1cm-1)和581 nm(ε=1.75×105 M-1cm-1);計(jì)算機(jī)模擬可知噻吩和吲哚酮環(huán)的二面角為0.10°,說(shuō)明單體TEI平面性良好;采用倒置結(jié)構(gòu)器件測(cè)試,PC61BM作為受體材料,當(dāng)聚合物:PC61BM為1:2(w/w)時(shí),PCE分別為6.96%、4.90%和4.22%;當(dāng)PT-TEI:PC61BM為1:1.5(w/w),PCE高達(dá)7.32
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