CdSe-ZnS與PbSe量子點(diǎn)熱光效應(yīng)與應(yīng)用研究.pdf

1、半導(dǎo)體量子點(diǎn)是一種納米尺寸半導(dǎo)體材料，其光學(xué)、物理和化學(xué)性質(zhì)與量子點(diǎn)的尺寸相關(guān)，硒化鎘(CdSe)和硒化鉛(PbSe)量子點(diǎn)材料具有獨(dú)特的物理和光學(xué)特性，包括光學(xué)非線性效應(yīng)及與之相關(guān)的熱光效應(yīng)。本論文對CdSe/ZnS和PbSe兩種量子點(diǎn)材料的熱光效應(yīng)進(jìn)行了研究，并探討了其應(yīng)用。熱光效應(yīng)在現(xiàn)實生活中有諸多應(yīng)用，如聚合物材料的熱光效應(yīng)在制備熱光型光學(xué)器件領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，故開展量子點(diǎn)材料的熱光效應(yīng)的研究很有必要。
　　本課題首先制

2、備了厚度為250 um的CdSe/ZnS和PbSe量子點(diǎn)薄片。采用波長為473 nm連續(xù)激光對樣品薄片進(jìn)行單光束閉孔Z-Scan掃描，測量不同濃度條件下的CdSe/ZnS和PbSe量子點(diǎn)薄片的透過率曲線，然后根據(jù)Z-Scan理論獲得熱特性相關(guān)的三階非線性折射率系數(shù)和非線性吸收系數(shù)。本課題的實驗驗證了兩種量子點(diǎn)材料具有自散焦特性。之后進(jìn)一步探究量子點(diǎn)的熱光效應(yīng)，求解出量子點(diǎn)材料的熱光系數(shù)，并對不同濃度樣本的數(shù)據(jù)進(jìn)行對比分析，總結(jié)規(guī)律。