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1、半導(dǎo)體技術(shù)和LED產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,給封裝材料提出了更高的要求,高導(dǎo)熱系數(shù)、高強(qiáng)度和低介電常數(shù)的材料成為了追求熱點(diǎn)。近年來,陶瓷/聚合物復(fù)合材料受到了廣泛關(guān)注。本文探索了陶瓷顆粒種類、顆粒含量和制備方法對(duì)復(fù)合材料性能的影響。具體分為以下三個(gè)部分:
?。?)我們采用直接混合法制備出了氧化鋁/環(huán)氧樹脂復(fù)合材料,探索了氧化鋁含量對(duì)復(fù)合材料導(dǎo)熱性能、力學(xué)性能和介電性能的影響;
?。?)采用高導(dǎo)熱系數(shù)的氮化鋁顆粒來增強(qiáng)環(huán)氧樹脂基體,
2、探索了氮化鋁含量對(duì)復(fù)合材料導(dǎo)熱性能、力學(xué)性能和介電性能的影響;
?。?)采用一種新型方法制備了氮化鋁/環(huán)氧樹脂復(fù)合材料。首先采用凝膠注模法制備出顆粒均勻分布的氮化鋁坯體。600℃燒除有機(jī)物后,在不同溫度下(1200℃到1400℃)進(jìn)行氣氛燒結(jié),制得氮化鋁陶瓷骨架。燒結(jié)溫度越高,多孔骨架的孔隙率越低。通過真空滲透使環(huán)氧樹脂進(jìn)入陶瓷骨架,完全填充多孔間隙,固化后即得到氮化鋁/環(huán)氧樹脂復(fù)合材料。通過該方法制備了氮化鋁含量為56.4%的
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