基于磁光克爾效應(yīng)的磁光材料表征方法.pdf

1、隨著磁光器件如磁光存儲(chǔ)器件、磁光傳感器件、自旋電子器件等在信息、醫(yī)療、國(guó)防等技術(shù)領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，對(duì)高性能磁光材料的需求也日益提升，提升現(xiàn)有磁光材料的性能以及探索新型的磁光材料均需要高效的磁光材料表征方法?；诖殴庑?yīng)的各種磁光表征技術(shù)通過(guò)測(cè)量光與磁光材料相互作用產(chǎn)生的新的光學(xué)各向異性實(shí)現(xiàn)對(duì)磁光材料器件的無(wú)損檢測(cè)，而且磁光表征技術(shù)具有高測(cè)試精度、高靈敏度、高時(shí)間分辨率和高空間分辨率以及高強(qiáng)的磁場(chǎng)兼容性等優(yōu)點(diǎn)，因此可以為磁光材料性能的研究和

2、應(yīng)用提供先進(jìn)的測(cè)量工具。本文主要對(duì)基于磁光克爾效應(yīng)的磁光材料表征方法進(jìn)行了研究。
　　對(duì)各向異性磁性材料的縱向磁光克爾表征理論進(jìn)行了研究，建立了各向異性磁光材料的縱向克爾理論模型，給出了各向異性材料的縱向磁光克爾偏轉(zhuǎn)角表達(dá)式。并利用該公式對(duì)各向異性Co薄膜材料的磁光性能進(jìn)行了模擬分析，分析結(jié)果表明各向異性Co薄膜的磁光性能優(yōu)于各向同性Co薄膜材料，這為基于Co薄膜材料的磁光器件的研究提供了理論基礎(chǔ)。
　　磁光橢偏技術(shù)結(jié)合了橢

3、偏理論和磁光克爾理論，可以同時(shí)對(duì)磁光材料的光學(xué)參數(shù)和磁光參數(shù)進(jìn)行表征。本文利用自制的磁光橢偏系統(tǒng)對(duì)CoFeB薄膜的磁光性能進(jìn)行了測(cè)量，得到了CoFeB薄膜的光學(xué)常數(shù)以及磁光耦合系數(shù)，實(shí)驗(yàn)結(jié)果對(duì)CoFeB材料在磁性隧道結(jié)，高密度磁存儲(chǔ)等領(lǐng)域的應(yīng)用具有積極的意義。
　　對(duì)磁光材料的磁性機(jī)理進(jìn)行研究可以更好的理解磁光材料的本質(zhì)從而提高磁光材料的性能，而對(duì)磁疇的結(jié)構(gòu)和行為進(jìn)行研究是探索材料磁性機(jī)理最直接的方法。本文對(duì)寬視場(chǎng)磁光克爾成像系統(tǒng)