四烷基氫氧化鏻的電合成.pdf

1、四烷基氫氧化鱗因穩(wěn)定性能好且毒性小等優(yōu)良特質(zhì)在電路板的清洗、蝕刻工藝和顯影劑等方面有著更加廣闊的應(yīng)用前景。隨著電子工業(yè)的迅速發(fā)展和半導(dǎo)體裝置的高度集約化，在未來對電子級四烷基氫氧化鱗的需求將迅速增大。目前，對四烷基氫氧化鱗的相關(guān)研究較少，其制備方法大都采用化學(xué)法來合成，鑒于離子膜電解法在四烷基氫氧化銨成功合成的基礎(chǔ)上，為此，本論文探討了采用離子膜電解法來制備四烷基氫氧化鱗的可行性，并對電解工藝因素及影響其純度的工藝條件進(jìn)行了系統(tǒng)研究。<

2、br>　　論文采用離子膜電解法，以四甲基溴化鱗為原料制備了四甲基氫氧化鱗。實(shí)驗(yàn)中首先探究了碳?xì)?、石墨、涂層鈦等電極對Br2/Br-電對的氧化還原反應(yīng)的峰電流的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，碳?xì)蛛姌O對Br2/Br-電對的還原峰電流的響應(yīng)較大，且對碳?xì)蛛姌O進(jìn)行500℃熱處理，有利于提高電極的活性。其次還探究了Nafion115陽膜、Nafion117陽膜、NepemN115陽膜、JCM-Ⅱ陽膜、QQ-YLM001陽膜、微孔膜以及JCM-Ⅱ陰膜等隔膜對

3、電解中的槽電壓的影響，實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，JCM-Ⅱ陽膜是電解四甲基氫氧化鱗較佳的離子膜。最后探究了通電量、原料濃度、電流密度等電解因素對電合成過程中的電流效率和能耗的影響。通過實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，當(dāng)原料濃度為0.75mol L-1、電流密度為40mA cm-2、通電量為理論電量的60％時(shí)，得到了較好的電流效率、較低的能耗以及較快的電解速率。在該條件下，其電流效率為74.67％、能耗為2.67kW·h·Kg-1、電解速率為8.36×10-5mol·min-

4、1。紅外光譜和核磁共振表征結(jié)果表明，電解所得產(chǎn)品為四甲基氫氧化鱗。
　　在此基礎(chǔ)上，還對陰、陽離子膜分隔的電解槽中，具有不同烷基鏈長度的四烷基溴化鱗的電解性能進(jìn)行了研究。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，由于烷基鏈增長導(dǎo)到正離子尺寸變大，正離子通過隔膜的阻力也隨著增大，從而使得在陽膜分隔的電解槽中電解四烷基溴化鱗時(shí)，隨著烷基鏈長度的增加，電流效率下降、能耗增加以及電解速率降低;實(shí)驗(yàn)中還發(fā)現(xiàn)，采用陰離子膜分隔的電解槽電解四烷基溴化鱗具有較低的槽壓，但由于該