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1、SJ/TXXXXX—XXXX 7 附 錄 A (規(guī)范性) 半絕緣型碳化硅單晶襯底電阻率非接觸測(cè)試方法 A.1 概述 本附錄規(guī)定了半絕緣型碳化硅單晶襯底電阻率非接觸測(cè)試方法。 A.2 測(cè)試原理 非接觸電阻率測(cè)試方法源自電容充放電的原理, 其主要部件探頭的基本結(jié)構(gòu)如圖 A.1 所示。 其中處于探頭中心的是電荷放大器電極, 電荷放大器可以通過(guò)它實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)電量變化。 非接觸式電阻率測(cè)試法在測(cè)試電阻率時(shí),會(huì)繪制出其電量變化的馳豫曲線圖(如圖 A.
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