吸波材料理想電磁參數(shù)區(qū)域的數(shù)值模擬及實(shí)驗(yàn)改性研究.pdf

1、在信息技術(shù)迅速發(fā)展的時(shí)代，大量電子設(shè)備被廣泛應(yīng)用，與此同時(shí)會(huì)產(chǎn)生大量電磁波輻射，從而嚴(yán)重影響人們的正常生活，因此，對(duì)吸波材料的研究具有非常重要的實(shí)際意義。運(yùn)用吸波材料不僅能夠減少電磁波對(duì)人類的傷害，而且在武器裝備方面可以彌補(bǔ)隱身方面的不足，增強(qiáng)軍隊(duì)的作戰(zhàn)能力。由于影響吸波材料吸波性能的因素較多，研究過(guò)程中需要克服很多困難，僅僅依靠傳統(tǒng)的方法和實(shí)驗(yàn)已經(jīng)無(wú)法滿足日益增長(zhǎng)的科研需要。因此，應(yīng)用計(jì)算機(jī)輔助研究可以減少實(shí)驗(yàn)的盲目性、節(jié)約成本、提高

2、研究的效率。
　　本文引入傳輸線理論方法對(duì)電損耗型吸波劑和磁損耗型吸波劑的理想電磁參數(shù)區(qū)域進(jìn)行了模擬研究，并通過(guò)制備PANI/Fe3O4納米復(fù)合材料對(duì)模擬結(jié)果進(jìn)行驗(yàn)證。以電損耗型吸波劑為研究基礎(chǔ)，根據(jù)傳輸線理論模擬獲得給定條件下的復(fù)介電常數(shù)的理想電磁參數(shù)區(qū)域，預(yù)測(cè)吸波劑在不同頻段下的吸波性能并找到吸波劑改性的方向。并考察厚度(d)、頻率(f)、反射率(R)等因素對(duì)理想電磁參數(shù)區(qū)域的影響。用硬模板法制備得到了平均粒徑約為800 nm

3、的PANI中空微球，通過(guò)矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)試其電磁參數(shù)。將測(cè)試的結(jié)果與模擬結(jié)果相結(jié)合進(jìn)行分析，找到提高電損耗型 PANI電磁參數(shù)的方向進(jìn)行改性，以提高其吸波性能。同樣的道理得到了磁損耗型吸波劑復(fù)磁導(dǎo)率的理想電磁參數(shù)區(qū)域，并分析厚度(d)、頻率(f)、反射率(R)等因素對(duì)理想電磁參數(shù)區(qū)域的影響。結(jié)果表明，純的PANI具有較高的電損耗而磁損耗較低，電磁匹配程度較差，吸波性能不理想。結(jié)合模擬結(jié)果和實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)得到改善PANI電磁匹配特性的方向是提高