瞬變電磁數(shù)據(jù)處理流程

1、瞬變電磁數(shù)據(jù)處理流程新 建 工 程輸 入 工 程 名 稱設(shè) 置 工 程 路 徑鏈 接 原 始 數(shù) 據(jù)測(cè)線 拆分 組合道 參 設(shè) 置屏 蔽 校 正圓 滑 處 理晚期 電阻 率計(jì) 算輸 出 結(jié) 果修 改 測(cè) 點(diǎn) 號(hào)修 改 x 坐 標(biāo)修 改 發(fā) 射 匝 數(shù)修 改 接 收 匝 數(shù)設(shè) 置 校 正 類 型校 正 測(cè) 點(diǎn) 選 擇背 景 測(cè) 點(diǎn) 選 擇設(shè) 置 開(kāi) 始 測(cè) 道輸 入 電 阻 率 系 數(shù)輸 入 深 度 系 數(shù)保 存 計(jì) 算 結(jié) 果結(jié) 果 輸

2、 出 絕 對(duì) 坐 標(biāo)Sufer 成 圖說(shuō)明 說(shuō)明1、 新建工程：新建工程后即可將儀器導(dǎo)出的“.$$$”格式的原始數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)化為 MTEM 軟件可讀取的“.MTE”格式的工程文件。2、 測(cè)線拆分與組合：（1）將采集的原始數(shù)據(jù)的廢點(diǎn)數(shù)據(jù)剔除 （2）將不同測(cè)線采集的數(shù)據(jù)拆分開(kāi)，然后對(duì)不同的測(cè)線進(jìn)行重新命名 3、 道參設(shè)置：道參設(shè)置時(shí)需要對(duì)每條測(cè)線的道參進(jìn)行設(shè)置，選中所需要處理的測(cè)線進(jìn)行道參設(shè)置，道參設(shè)置時(shí)需要修改的參數(shù)分別如下所示：（1）測(cè)點(diǎn)號(hào)：

3、將測(cè)點(diǎn)號(hào)按照 1、2、3……的順序依次排列 （2）x 坐標(biāo)：按照實(shí)測(cè)測(cè)點(diǎn)點(diǎn)間距進(jìn)行設(shè)置 （4）發(fā)射匝數(shù)：9 （5）接收匝數(shù)：184、屏蔽校正：屏蔽校正的作用是將受“金屬物”干擾的測(cè)點(diǎn)以鄰近沒(méi)有收到干擾的測(cè)點(diǎn)為背景值進(jìn)行校正，校正的原則是多個(gè)測(cè)點(diǎn)對(duì)一個(gè)測(cè)點(diǎn)或多個(gè) 測(cè)點(diǎn)對(duì)多個(gè)測(cè)點(diǎn)校正。屏蔽校正時(shí)需要設(shè)置的參數(shù)具體如下：（1）校正類型：“均值與均值” （2）校正測(cè)點(diǎn)：分別輸入現(xiàn)場(chǎng)記錄中受“金屬物”干 擾開(kāi)始測(cè)點(diǎn)與結(jié)束測(cè)點(diǎn)的點(diǎn)號(hào)（3）背景值測(cè)點(diǎn)

4、：分別輸入受干擾測(cè)點(diǎn)的鄰近的幾個(gè)測(cè)點(diǎn)的開(kāi)始測(cè)點(diǎn)號(hào)與結(jié)束測(cè)點(diǎn)號(hào)5、圓滑處理：當(dāng)某個(gè)測(cè)點(diǎn)出現(xiàn)電位畸變即電位衰減曲線不是很平滑時(shí)需要對(duì)該測(cè)點(diǎn)進(jìn)行平滑處理。 6、晚期電阻率計(jì)算：晚期電阻率計(jì)算即對(duì)所采集的不同測(cè)點(diǎn)進(jìn)行電阻率極其對(duì)應(yīng)深度的計(jì)算，該模塊運(yùn)行時(shí)需要輸入的參數(shù)如下：（1）開(kāi)始測(cè)道： 12~14 （2）結(jié)束測(cè)道：40 （3）電阻率系數(shù)：10000 （4）深度系數(shù)：30~70 （5）保存計(jì)算結(jié)果：勾選該選項(xiàng)后然后點(diǎn)“…”按鈕設(shè)置計(jì)算好的“.

5、dat””格式 數(shù)據(jù)的路徑（6）結(jié)果輸出絕對(duì)值坐標(biāo)：勾選該選項(xiàng)后輸出的“.dat””格式中 Y 坐標(biāo)即深度數(shù)值為正值，不勾選該選項(xiàng)后輸出的 Y 值為負(fù)值，底板探測(cè) 時(shí)一般不勾選該選項(xiàng)。瞬變電磁數(shù)據(jù)處理流程新 建 工 程輸 入 工 程 名 稱設(shè) 置 工 程 路 徑鏈 接 原 始 數(shù) 據(jù)測(cè)線 拆分 組合道 參 設(shè) 置屏 蔽 校 正圓 滑 處 理晚期 電阻 率計(jì) 算輸 出 結(jié) 果修 改 測(cè) 點(diǎn) 號(hào)修 改 x 坐 標(biāo)修 改 發(fā) 射 匝 數(shù)修 改

6、 接 收 匝 數(shù)設(shè) 置 校 正 類 型校 正 測(cè) 點(diǎn) 選 擇背 景 測(cè) 點(diǎn) 選 擇設(shè) 置 開(kāi) 始 測(cè) 道輸 入 電 阻 率 系 數(shù)輸 入 深 度 系 數(shù)保 存 計(jì) 算 結(jié) 果結(jié) 果 輸 出 絕 對(duì) 坐 標(biāo)Sufer 成 圖說(shuō)明 說(shuō)明1、 新建工程：新建工程后即可將儀器導(dǎo)出的“.$$$”格式的原始數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)化為 MTEM 軟件可讀取的“.MTE”格式的工程文件。2、 測(cè)線拆分與組合：（1）將采集的原始數(shù)據(jù)的廢點(diǎn)數(shù)據(jù)剔除 （2）將不同測(cè)線采集的

7、數(shù)據(jù)拆分開(kāi)，然后對(duì)不同的測(cè)線進(jìn)行重新命名 3、 道參設(shè)置：道參設(shè)置時(shí)需要對(duì)每條測(cè)線的道參進(jìn)行設(shè)置，選中所需要處理的測(cè)線進(jìn)行道參設(shè)置，道參設(shè)置時(shí)需要修改的參數(shù)分別如下所示：（1）測(cè)點(diǎn)號(hào)：將測(cè)點(diǎn)號(hào)按照 1、2、3……的順序依次排列 （2）x 坐標(biāo)：按照實(shí)測(cè)測(cè)點(diǎn)點(diǎn)間距進(jìn)行設(shè)置 （4）發(fā)射匝數(shù)：9 （5）接收匝數(shù)：184、屏蔽校正：屏蔽校正的作用是將受“金屬物”干擾的測(cè)點(diǎn)以鄰近沒(méi)有收到干擾的測(cè)點(diǎn)為背景值進(jìn)行校正，校正的原則是多個(gè)測(cè)點(diǎn)對(duì)一個(gè)測(cè)點(diǎn)或

8、多個(gè) 測(cè)點(diǎn)對(duì)多個(gè)測(cè)點(diǎn)校正。屏蔽校正時(shí)需要設(shè)置的參數(shù)具體如下：（1）校正類型：“均值與均值” （2）校正測(cè)點(diǎn)：分別輸入現(xiàn)場(chǎng)記錄中受“金屬物”干 擾開(kāi)始測(cè)點(diǎn)與結(jié)束測(cè)點(diǎn)的點(diǎn)號(hào)（3）背景值測(cè)點(diǎn)：分別輸入受干擾測(cè)點(diǎn)的鄰近的幾個(gè)測(cè)點(diǎn)的開(kāi)始測(cè)點(diǎn)號(hào)與結(jié)束測(cè)點(diǎn)號(hào)5、圓滑處理：當(dāng)某個(gè)測(cè)點(diǎn)出現(xiàn)電位畸變即電位衰減曲線不是很平滑時(shí)需要對(duì)該測(cè)點(diǎn)進(jìn)行平滑處理。 6、晚期電阻率計(jì)算：晚期電阻率計(jì)算即對(duì)所采集的不同測(cè)點(diǎn)進(jìn)行電阻率極其對(duì)應(yīng)深度的計(jì)算，該模塊運(yùn)行時(shí)需要輸入的