石墨烯粉體電導(dǎo)率測(cè)定 動(dòng)態(tài)四探針法 __db32_t 4027-2021

1、 ICS 17.040.20 CCS Q 53 DB32 DB32/T 4027-2021 石墨烯粉體電導(dǎo)率測(cè)定 動(dòng)態(tài)四探針法 Determination of electrical conductivity of graphene powder—Dynamic four point probe method 2021- 05 - 14 發(fā)布 2021 - 06 - 14 實(shí)施 江蘇省市場(chǎng)監(jiān)督管理局 發(fā) 布 江 蘇 省 地 方

2、 標(biāo) 準(zhǔn)DB32/T 4027-2021 1 石墨烯粉體電導(dǎo)率的測(cè)定 動(dòng)態(tài)四探針法 1 范圍 本文件規(guī)定了利用四探針動(dòng)態(tài)測(cè)定石墨烯粉體電導(dǎo)率的方法。 本文件適用于氧化還原法和化學(xué)插層剝離法等方法制備的壓實(shí)后電導(dǎo)率無宏觀各向異性的石墨烯粉體的電導(dǎo)率測(cè)定。 2 規(guī)范性引用文件 下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。 其中， 注日期的引用文件，僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有

3、的修改單）適用于本文件。 GB/T 30544.13 納米技術(shù) 術(shù)語 第13部分：石墨烯及相關(guān)二維材料 GB/T 31838.2 固體絕緣材料 介電和電阻特性 第2部分：電阻特性（DC方法） 體積電阻和體積電阻率 JJG 508 四探針電阻率測(cè)試儀檢定規(guī)程 SJ/T 10315 四探針探頭通用技術(shù)條件 3 術(shù)語和定義 下列術(shù)語和定義適用于本文件。 石墨烯 graphene 由一個(gè)碳原子與周圍三個(gè)近鄰碳原子結(jié)合形成蜂窩狀結(jié)構(gòu)的碳原

4、子單層。 注1：它是許多碳納米物體的重要構(gòu)建單元。 注2：由于石墨烯僅有一層，因此通常被稱為單層石墨烯。石墨烯縮寫為 1LG，以便區(qū)別于縮寫為 2LG 的雙層石墨烯和縮寫為 FLG 的少層石墨烯。 注3：石墨烯有邊界，并且在碳-碳鍵遭到破壞的地方有缺陷和晶界。 [來源:GB/T 30544.13—2018，定義 3.1.2.1] 體積電阻率 electrical resistivity；ρ 在給定的時(shí)間及電壓下，直流電場(chǎng)強(qiáng)度與材料內(nèi)部電