湖南大學(xué)《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》復(fù)習(xí)重點筆記

1、考試復(fù)習(xí)重點資料（最新版） 考試復(fù)習(xí)重點資料（最新版）封面第1頁資料見第二頁 資料見第二頁在本征半導(dǎo)體中摻入適量且適當(dāng)?shù)钠渌兀ń须s質(zhì)元素） ，就形成雜質(zhì)半導(dǎo)體，其導(dǎo)電能力將大大增強。一. Ｎ型半導(dǎo)體在硅或鍺本征半導(dǎo)體中摻入適量的五價元素（如磷） ，則磷原子與其周圍相鄰的四個硅或鍺原子之間形成共價鍵后， 還多出一個電子， 這個多出的電子極易成為自由電子參與導(dǎo)電。 同時,因本征激發(fā)還產(chǎn)生自由電子和空穴對。 結(jié)果,自由電子成為多數(shù)載流子(

2、稱多子),空穴成為少數(shù)載流子(稱少子)。這種主要依靠多數(shù)載流子自由電子導(dǎo)電的雜質(zhì)半導(dǎo)體，叫 N 型半導(dǎo)體 ，如圖 1-4 所示。二. P 型半導(dǎo)體在硅或鍺本征半導(dǎo)體中，摻入適量的三價元素（如硼） ，則硼原子與周圍的四個硅或鍺原子形成共價鍵后，還留有一個空穴。同時，因本征激發(fā) 還產(chǎn)生自由電子和空穴對。結(jié)果，空穴成為多子，自由電子成為少子。這種主要依靠多子空穴導(dǎo)電的雜質(zhì)半導(dǎo)體，叫 P 型半導(dǎo)體。如圖 1-5 所示。無外電場作用時，本征半導(dǎo)體

3、和雜質(zhì)半導(dǎo)體對外均呈現(xiàn)電中性，其內(nèi)部無電流。小 結(jié)1. 半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間。2. 在一定溫度下，本征半導(dǎo)體因本征激發(fā)而產(chǎn)生自由電子和空穴對，故其有一定的導(dǎo)電能力。3. 本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力主要由溫度決定；雜質(zhì)半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力主要由所摻雜質(zhì)的濃度決定。4. P 型半導(dǎo)體中空穴是多子，自由電子是少子。N 型半導(dǎo)體中自由電子是多子，空穴是少子。5. 半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力與溫度、光強、雜質(zhì)濃度和材料性質(zhì)有關(guān)。1.2本征半導(dǎo)體、P

4、型和 N 型半導(dǎo)體都不能單獨構(gòu)成半導(dǎo)體器件，PN 結(jié)才是構(gòu)成半導(dǎo)體器件的基本單元。1.2.1 PN 結(jié)的形成在特殊工藝條件下，P 型和 N 型半導(dǎo)體交界面處所形成的空間電荷區(qū)，稱為 PN 結(jié).一. 一. 多數(shù)載流子的擴散在 P 型和 N 型半導(dǎo)體交界面兩側(cè),電子和空穴的濃度差很大。在濃度差的作用下，P 區(qū)中的多子空穴向 N 區(qū)擴散,在 P 區(qū)一側(cè)留下雜質(zhì)負離子,在 N 區(qū)一側(cè)集中正電荷;同時，N 區(qū)中的多子自由電子向 P 區(qū)擴散， 在