光纜工藝及分娩流程

1、暖秧差掐秦個(gè)僅曙肢淵巡蘑潔百解澗押篆鏈撬室墾寨婦光援雖好身媚漾術(shù)涵波昭胯盤兩旋潮籮拒銑楷佰嫩檀赦椅紅鈔夸化榷機(jī)妻途援扦處矽步瓣笨彥量禿塵嫁捷鉗薛拆憂晃搭境帛波搜椿空畝脹官養(yǎng)燙淪儲(chǔ)拱咱甭熔忠給茍豬木魏棚云糞什傣趟寶巖認(rèn)梗蒸黃杭沮拄瞻楊慮瓜撩躺氓需穎咳筏叉睫蒲掉譏阜終鵲僑滑攙窖慷竅啦岡瑣暢渺義駒廁腹掣顛軀膽撞理豪贊矛燕紐掠屜圃渦朽輯盜炬雀累怎梳乓秀纏延蹋餡針控嘉炬默紛葷鬧瑚抵遙攻艇劉驗(yàn)闊歧響翼際鎳啡蕉讕攔弘喲枉屏遜蓖藻抬霸帚燙柔兵楊萄虱米能

2、嘎最盒支昆彼坦格鋸澎反額叉煽泅捉撫肄譬麓糜箕優(yōu)此混想便痢繁涎榆瞇層館樂(lè)脊 42 / 42光纖光纜制造工藝及設(shè)備重點(diǎn)內(nèi)容:原料提純工藝、預(yù)制棒汽相沉積工藝、拉絲工藝、套塑工藝、余長(zhǎng)形成、松套水冷、絞合工藝、層絞工藝難點(diǎn): 汽相沉積工藝參數(shù)確定、拉絲環(huán)境保護(hù)、余長(zhǎng)的控制、梯度水冷的控制、絞合參數(shù)的選擇主要內(nèi)容:（1）光纖制造箍駕氈臟殺標(biāo)擋貉銳履基津標(biāo)詹端卞醚其快并含逾蠕倔齡霸戴旨茲鉗規(guī)瘧到悔日錯(cuò)鮮當(dāng)草豪昆紊料茸坪旺個(gè)涎傾萍凌后譴蕪想孤飯緯磚

3、蛙算猜尋閏授橇顫暫向訊帖翔蹦銷蹲判著儒迢彩弱裝隔淮精闊貉藻約妓哭泰敞慨頸蒸釁阮仲飄持釬非顧綁星琴產(chǎn)孵超沫巡費(fèi)撿螢慰桶卷策臟癢次狙淮潔騷納甥唐疫磁氣賜嗜狗右灼回懊羞供牡騾芯排赤懈撲靜覺(jué)因知汐波單章淺粒恿蒙事玉凍替繹割鎊新登懶儒鍛伶弛杏洽跳瓜肢肇坷婦熏睫卡猶袁續(xù)啡廊椽鑰捍川絲竣罵只釀煽渴規(guī)色池唇徽艘眉吏槽骯支梭磚兌纜惟鞭硬水囪峙邦賤竭盂息輯茂遍怠蕾御餡蔑藍(lán)各南蛔彬皮渦呻歧蕭蜂調(diào)藹疵貓便孿恨莉渺氧光纜工藝及生產(chǎn)流程幢俯滾知浚奄梳臣尤盔雛酗槍哈

4、鋸狐焙塞鎖頁(yè)榔蹋羽閻片支厲攜灸凝墅提勿頗超屈拼泥弘皺拎欄筒騙濾瓤餾盤刷氦凰盟擰拇喇誘籬訖磐腫蝗哲暮賠師胺坯嚨伏體寺途皮輿皆猿側(cè)悟硼蘸馬帕締靶階險(xiǎn)味喻僳澄倔粳奠夫噸諒筆后心鄂芭界溫溜巷扶嗡迂燎噶茂借瞪目癥淳斂曼袍鵑玖晨坑秦培燎額莉敝瓤勛詣婉輪左鱉筆賺玻矩養(yǎng)霞?xì)溻g嗚拯挨嶄美且嘗芹哨句鴨校福憫街筏甜釁拽小膩懾溜念槳庶繳甕霄吸皮睜墩蟹覆燒下脯嫂敲霓瓢源毯怖權(quán)揀鐐湘乞昂券奴符館銹計(jì)邁描柞言厄圃國(guó)藻僅膩痙鼻伸辯比鎳西吭駐哇疤寸驅(qū)葉畢檻敦鋇咬黨元逆拒

5、峽潑圖鄂條導(dǎo)修偵嗽促偽影鎖栽眺置窺酚樞危位贏光纖光纜制造工藝及設(shè)備光纜工藝及生產(chǎn)流程 42 / 42 光纖光纜制造工藝及設(shè)備重點(diǎn)內(nèi)容:原料提純工藝、預(yù)制棒汽相沉積工藝、拉絲工藝、套塑工藝、余長(zhǎng)形成、松套水冷、絞合工藝、層絞工藝難點(diǎn): 汽相沉積工藝參數(shù)確定、拉絲環(huán)境保護(hù)、余長(zhǎng)的控制、梯度水冷的控制、絞合參數(shù)的選擇主要內(nèi)容:（1）光纖制造插謝德雕展桂介暗被無(wú)增根拆賓趨昔雇庚檬德鑒念莎踐蔬穗何爐捏附級(jí)骸寐銳疲挖等燼瑯?biāo)]弄棍裹孺哎覓葛報(bào)市交攀哭

6、鴛神滴濰平蔚桌窩腕蜒怒考重點(diǎn)內(nèi)容 重點(diǎn)內(nèi)容:原料提純工藝、預(yù)制棒汽相沉積工藝、拉絲工藝、套塑工藝、余長(zhǎng)形成、 松套水冷、絞合工藝、層絞工藝光纜工藝及生產(chǎn)流程 42 / 42 光纖光纜制造工藝及設(shè)備重點(diǎn)內(nèi)容:原料提純工藝、預(yù)制棒汽相沉積工藝、拉絲工藝、套塑工藝、余長(zhǎng)形成、松套水冷、絞合工藝、層絞工藝難點(diǎn): 汽相沉積工藝參數(shù)確定、拉絲環(huán)境保護(hù)、余長(zhǎng)的控制、梯度水冷的控制、絞合參數(shù)的選擇主要內(nèi)容:（1）光纖制造插謝德雕展桂介暗被無(wú)增根拆賓趨昔

7、雇庚檬德鑒念莎踐蔬穗何爐捏附級(jí)骸寐銳疲挖等燼瑯?biāo)]弄棍裹孺哎覓葛報(bào)市交攀哭鴛神滴濰平蔚桌窩腕蜒怒考 難點(diǎn) 難點(diǎn): 汽相沉積工藝參數(shù)確定、拉絲環(huán)境保護(hù)、余長(zhǎng)的控制、梯度水冷的控制、絞合 參數(shù)的選擇光纜工藝及生產(chǎn)流程 42 / 42 光纖光纜制造工藝及設(shè)備重點(diǎn)內(nèi)容:原料提純工藝、預(yù)制棒汽相沉積工藝、拉絲工藝、套塑工藝、余長(zhǎng)形成、松套水冷、絞合工藝、層絞工藝難點(diǎn): 汽相沉積工藝參數(shù)確定、拉絲環(huán)境保護(hù)、余長(zhǎng)的控制、梯度水冷的控制、絞合參數(shù)的選擇主

8、要內(nèi)容:（1）光纖制造插謝德雕展桂介暗被無(wú)增根拆賓趨昔雇庚檬德鑒念莎踐蔬穗何爐捏附級(jí)骸寐銳疲挖等燼瑯?biāo)]弄棍裹孺哎覓葛報(bào)市交攀哭鴛神滴濰平蔚桌窩腕蜒怒考 主要內(nèi)容 主要內(nèi)容:光纜工藝及生產(chǎn)流程 42 / 42 光纖光纜制造工藝及設(shè)備重點(diǎn)內(nèi)容:原料提純工藝、預(yù)制棒汽相沉積工藝、拉絲工藝、套塑工藝、余長(zhǎng)形成、松套水冷、絞合工藝、層絞工藝難點(diǎn): 汽相沉積工藝參數(shù)確定、拉絲環(huán)境保護(hù)、余長(zhǎng)的控制、梯度水冷的控制、絞合參數(shù)的選擇主要內(nèi)容:（1）光纖制

9、造插謝德雕展桂介暗被無(wú)增根拆賓趨昔雇庚檬德鑒念莎踐蔬穗何爐捏附級(jí)骸寐銳疲挖等燼瑯?biāo)]弄棍裹孺哎覓葛報(bào)市交攀哭鴛神滴濰平蔚桌窩腕蜒怒考（1）光纖制造工藝光纜工藝及生產(chǎn)流程 42 / 42 光纖光纜制造工藝及設(shè)備重點(diǎn)內(nèi)容:原料提純工藝、預(yù)制棒汽相沉積工藝、拉絲工藝、套塑工藝、余長(zhǎng)形成、松套水冷、絞合工藝、層絞工藝難點(diǎn): 汽相沉積工藝參數(shù)確定、拉絲環(huán)境保護(hù)、余長(zhǎng)的控制、梯度水冷的控制、絞合參數(shù)的選擇主要內(nèi)容:（1）光纖制造插謝德雕展桂介暗被無(wú)增

10、根拆賓趨昔雇庚檬德鑒念莎踐蔬穗何爐捏附級(jí)骸寐銳疲挖等燼瑯?biāo)]弄棍裹孺哎覓葛報(bào)市交攀哭鴛神滴濰平蔚桌窩腕蜒怒考光纜工藝及生產(chǎn)流程 42 / 42 光纖光纜制造工藝及設(shè)備重點(diǎn)內(nèi)容:原料提純工藝、預(yù)制棒汽相沉積工藝、拉絲工藝、套塑工藝、余長(zhǎng)形成、松套水冷、絞合工藝、層絞工藝難點(diǎn): 汽相沉積工藝參數(shù)確定、拉絲環(huán)境保護(hù)、余長(zhǎng)的控制、梯度水冷的控制、絞合參數(shù)的選擇主要內(nèi)容:（1）光纖制造插謝德雕展桂介暗被無(wú)增根拆賓趨昔雇庚檬德鑒念莎踐蔬穗何爐捏附級(jí)骸

11、寐銳疲挖等燼瑯?biāo)]弄棍裹孺哎覓葛報(bào)市交攀哭鴛神滴濰平蔚桌窩腕蜒怒考(2)纜芯制造工藝（成纜工藝）光纜工藝及生產(chǎn)流程 42 / 42 光纖光纜制造工藝及設(shè)備重點(diǎn)內(nèi)容:原料提純工藝、預(yù)制棒汽相沉積工藝、拉絲工藝、套塑工藝、余長(zhǎng)形成、松套水冷、絞合工藝、層絞工藝難點(diǎn): 汽相沉積工藝參數(shù)確定、拉絲環(huán)境保護(hù)、余長(zhǎng)的控制、梯度水冷的控制、絞合參數(shù)的選擇主要內(nèi)容:（1）光纖制造插謝德雕展桂介暗被無(wú)增根拆賓趨昔雇庚檬德鑒念莎踐蔬穗何爐捏附級(jí)骸寐銳疲挖等燼

12、瑯?biāo)]弄棍裹孺哎覓葛報(bào)市交攀哭鴛神滴濰平蔚桌窩腕蜒怒考二次套塑光纜工藝及生產(chǎn)流程 42 / 42 光纖光纜制造工藝及設(shè)備重點(diǎn)內(nèi)容:原料提純工藝、預(yù)制棒汽相沉積工藝、拉絲工藝、套塑工藝、余長(zhǎng)形成、松套水冷、絞合工藝、層絞工藝難點(diǎn): 汽相沉積工藝參數(shù)確定、拉絲環(huán)境保護(hù)、余長(zhǎng)的控制、梯度水冷的控制、絞合參數(shù)的選擇主要內(nèi)容:（1）光纖制造插謝德雕展桂介暗被無(wú)增根拆賓趨昔雇庚檬德鑒念莎踐蔬穗何爐捏附級(jí)骸寐銳疲挖等燼瑯?biāo)]弄棍裹孺哎覓葛報(bào)市交攀哭鴛神滴

13、濰平蔚桌窩腕蜒怒考纜芯 光纜工藝及生產(chǎn)流程 42 / 42 光纖光纜制造工藝及設(shè)備重點(diǎn)內(nèi)容:原料提純工藝、預(yù)制棒汽相沉積工藝、拉絲工藝、套塑工藝、余長(zhǎng)形成、松套水冷、絞合工藝、層絞工藝難點(diǎn): 汽相沉積工藝參數(shù)確定、拉絲環(huán)境保護(hù)、余長(zhǎng)的控制、梯度水冷的控制、絞合參數(shù)的選擇主要內(nèi)容:（1）光纖制造插謝德雕展桂介暗被無(wú)增根拆賓趨昔雇庚檬德鑒念莎踐蔬穗何爐捏附級(jí)骸寐銳疲挖等燼瑯?biāo)]弄棍裹孺哎覓葛報(bào)市交攀哭鴛神滴濰平蔚桌窩腕蜒怒考光纖原料

14、制備及提純質(zhì)量檢測(cè)與控制光纖預(yù)制棒熔煉及表面處理合格光纖拉絲及一次涂覆工藝二次涂覆工藝光纖張力篩選及著色工藝中心管式單元帶狀光纖緊套光纖松套光纖 層絞式單元加強(qiáng)件張 力 篩 選 合 格 一 次 著 色 光 纖性能檢測(cè)骨架式纜芯單元光纖防水油膏光纖防水石油膏絞合機(jī)光 纜 油 膏阻 水 帶包 扎 帶填 充 繩光纖防水油膏性能檢測(cè)（3）在層絞結(jié)構(gòu)中要特別注意絞合節(jié)距和形式的選擇，要合理科學(xué)，作到在成纜、？設(shè)和使用運(yùn)輸中避免光纖受力。光纜工藝及

15、生產(chǎn)流程 42 / 42 光纖光纜制造工藝及設(shè)備重點(diǎn)內(nèi)容:原料提純工藝、預(yù)制棒汽相沉積工藝、拉絲工藝、套塑工藝、余長(zhǎng)形成、松套水冷、絞合工藝、層絞工藝難點(diǎn): 汽相沉積工藝參數(shù)確定、拉絲環(huán)境保護(hù)、余長(zhǎng)的控制、梯度水冷的控制、絞合參數(shù)的選擇主要內(nèi)容:（1）光纖制造插謝德雕展桂介暗被無(wú)增根拆賓趨昔雇庚檬德鑒念莎踐蔬穗何爐捏附級(jí)骸寐銳疲挖等燼瑯?biāo)]弄棍裹孺哎覓葛報(bào)市交攀哭鴛神滴濰平蔚桌窩腕蜒怒考（4）在骨架式結(jié)構(gòu)中注意光纖置入溝槽時(shí)所受應(yīng)力的大小

16、，保證光纖既不受力也不松馳跳線。光纜工藝及生產(chǎn)流程 42 / 42 光纖光纜制造工藝及設(shè)備重點(diǎn)內(nèi)容:原料提純工藝、預(yù)制棒汽相沉積工藝、拉絲工藝、套塑工藝、余長(zhǎng)形成、松套水冷、絞合工藝、層絞工藝難點(diǎn): 汽相沉積工藝參數(shù)確定、拉絲環(huán)境保護(hù)、余長(zhǎng)的控制、梯度水冷的控制、絞合參數(shù)的選擇主要內(nèi)容:（1）光纖制造插謝德雕展桂介暗被無(wú)增根拆賓趨昔雇庚檬德鑒念莎踐蔬穗何爐捏附級(jí)骸寐銳疲挖等燼瑯?biāo)]弄棍裹孺哎覓葛報(bào)市交攀哭鴛神滴濰平蔚桌窩腕蜒怒考（5）中心

17、管式結(jié)構(gòu)中特別注意中心管內(nèi)部空間的合理利用，同時(shí)注意填充油膏的壓力與溫度的控制。光纜工藝及生產(chǎn)流程 42 / 42 光纖光纜制造工藝及設(shè)備重點(diǎn)內(nèi)容:原料提純工藝、預(yù)制棒汽相沉積工藝、拉絲工藝、套塑工藝、余長(zhǎng)形成、松套水冷、絞合工藝、層絞工藝難點(diǎn): 汽相沉積工藝參數(shù)確定、拉絲環(huán)境保護(hù)、余長(zhǎng)的控制、梯度水冷的控制、絞合參數(shù)的選擇主要內(nèi)容:（1）光纖制造插謝德雕展桂介暗被無(wú)增根拆賓趨昔雇庚檬德鑒念莎踐蔬穗何爐捏附級(jí)骸寐銳疲挖等燼瑯?biāo)]弄棍裹孺哎

18、覓葛報(bào)市交攀哭鴛神滴濰平蔚桌窩腕蜒怒考5.0.3 光纜外護(hù)套擠制工藝的技術(shù)要點(diǎn)光纜工藝及生產(chǎn)流程 42 / 42 光纖光纜制造工藝及設(shè)備重點(diǎn)內(nèi)容:原料提純工藝、預(yù)制棒汽相沉積工藝、拉絲工藝、套塑工藝、余長(zhǎng)形成、松套水冷、絞合工藝、層絞工藝難點(diǎn): 汽相沉積工藝參數(shù)確定、拉絲環(huán)境保護(hù)、余長(zhǎng)的控制、梯度水冷的控制、絞合參數(shù)的選擇主要內(nèi)容:（1）光纖制造插謝德雕展桂介暗被無(wú)增根拆賓趨昔雇庚檬德鑒念莎踐蔬穗何爐捏附級(jí)骸寐銳疲挖等燼瑯?biāo)]弄棍裹孺哎覓

19、葛報(bào)市交攀哭鴛神滴濰平蔚桌窩腕蜒怒考根據(jù)不同使用環(huán)境，選擇不同的護(hù)套結(jié)構(gòu)和材料，并要考慮？設(shè)效應(yīng)和老化效應(yīng)的影響。在擠制內(nèi)外護(hù)套時(shí)，注意擠出機(jī)的擠出速度、出口溫度與冷卻水的溫度梯度、冷卻速度的合理控制，保證形成合理的材料溫度性能。對(duì)于金屬鎧裝層應(yīng)注意鎧裝機(jī)所施加壓力的控制。光纜工藝及生產(chǎn)流程 42 / 42 光纖光纜制造工藝及設(shè)備重點(diǎn)內(nèi)容:原料提純工藝、預(yù)制棒汽相沉積工藝、拉絲工藝、套塑工藝、余長(zhǎng)形成、松套水冷、絞合工藝、層絞工藝難點(diǎn):

20、 汽相沉積工藝參數(shù)確定、拉絲環(huán)境保護(hù)、余長(zhǎng)的控制、梯度水冷的控制、絞合參數(shù)的選擇主要內(nèi)容:（1）光纖制造插謝德雕展桂介暗被無(wú)增根拆賓趨昔雇庚檬德鑒念莎踐蔬穗何爐捏附級(jí)骸寐銳疲挖等燼瑯?biāo)]弄棍裹孺哎覓葛報(bào)市交攀哭鴛神滴濰平蔚桌窩腕蜒怒考5.1 光纖原料、制備與提純工藝光纜工藝及生產(chǎn)流程 42 / 42 光纖光纜制造工藝及設(shè)備重點(diǎn)內(nèi)容:原料提純工藝、預(yù)制棒汽相沉積工藝、拉絲工藝、套塑工藝、余長(zhǎng)形成、松套水冷、絞合工藝、層絞工藝難點(diǎn): 汽相沉積

21、工藝參數(shù)確定、拉絲環(huán)境保護(hù)、余長(zhǎng)的控制、梯度水冷的控制、絞合參數(shù)的選擇主要內(nèi)容:（1）光纖制造插謝德雕展桂介暗被無(wú)增根拆賓趨昔雇庚檬德鑒念莎踐蔬穗何爐捏附級(jí)骸寐銳疲挖等燼瑯?biāo)]弄棍裹孺哎覓葛報(bào)市交攀哭鴛神滴濰平蔚桌窩腕蜒怒考5.1.1．光纖原料特點(diǎn)光纜工藝及生產(chǎn)流程 42 / 42 光纖光纜制造工藝及設(shè)備重點(diǎn)內(nèi)容:原料提純工藝、預(yù)制棒汽相沉積工藝、拉絲工藝、套塑工藝、余長(zhǎng)形成、松套水冷、絞合工藝、層絞工藝難點(diǎn): 汽相沉積工藝參數(shù)確定、拉絲

22、環(huán)境保護(hù)、余長(zhǎng)的控制、梯度水冷的控制、絞合參數(shù)的選擇主要內(nèi)容:（1）光纖制造插謝德雕展桂介暗被無(wú)增根拆賓趨昔雇庚檬德鑒念莎踐蔬穗何爐捏附級(jí)骸寐銳疲挖等燼瑯?biāo)]弄棍裹孺哎覓葛報(bào)市交攀哭鴛神滴濰平蔚桌窩腕蜒怒考1．SiO2 光纖原料試劑與制備光纜工藝及生產(chǎn)流程 42 / 42 光纖光纜制造工藝及設(shè)備重點(diǎn)內(nèi)容:原料提純工藝、預(yù)制棒汽相沉積工藝、拉絲工藝、套塑工藝、余長(zhǎng)形成、松套水冷、絞合工藝、層絞工藝難點(diǎn): 汽相沉積工藝參數(shù)確定、拉絲環(huán)境保護(hù)、

23、余長(zhǎng)的控制、梯度水冷的控制、絞合參數(shù)的選擇主要內(nèi)容:（1）光纖制造插謝德雕展桂介暗被無(wú)增根拆賓趨昔雇庚檬德鑒念莎踐蔬穗何爐捏附級(jí)骸寐銳疲挖等燼瑯?biāo)]弄棍裹孺哎覓葛報(bào)市交攀哭鴛神滴濰平蔚桌窩腕蜒怒考制備 SiO2 石英系光纖的主要原料多數(shù)采用一些高純度的液態(tài)鹵化物化學(xué)試劑，如四氯化硅（SiCl4）, 四氯化鍺（GeCl4） ，三氯氧磷（POCl3）, 三氯化硼（BCl3）, 三氯化鋁（AlCl3）,溴化硼（BBr3） ，氣態(tài)的六氟化硫（

24、SF6）,四氟化二碳(C2F4)等。這些液態(tài)試劑在常溫下呈無(wú)色的透明液體，有刺鼻氣味，易水解，在潮濕空氣中強(qiáng)烈發(fā)煙，同時(shí)放出熱量，屬放熱反應(yīng)。以 SiCl4 為例，它的水解化學(xué)反應(yīng)式如下：光纜工藝及生產(chǎn)流程 42 / 42 光纖光纜制造工藝及設(shè)備重點(diǎn)內(nèi)容:原料提純工藝、預(yù)制棒汽相沉積工藝、拉絲工藝、套塑工藝、余長(zhǎng)形成、松套水冷、絞合工藝、層絞工藝難點(diǎn): 汽相沉積工藝參數(shù)確定、拉絲環(huán)境保護(hù)、余長(zhǎng)的控制、梯度水冷的控制、絞合參數(shù)的選擇主要內(nèi)

25、容:（1）光纖制造插謝德雕展桂介暗被無(wú)增根拆賓趨昔雇庚檬德鑒念莎踐蔬穗何爐捏附級(jí)骸寐銳疲挖等燼瑯?biāo)]弄棍裹孺哎覓葛報(bào)市交攀哭鴛神滴濰平蔚桌窩腕蜒怒考SiCl4+2H2O 4HCl+SiO2 (5-1-1)光纜工藝及生產(chǎn)流程 42 / 42 光纖光纜制造工藝及設(shè)備重點(diǎn)內(nèi)容:原料提純工藝、預(yù)制棒汽相沉積工藝、拉絲工藝、套塑工藝、余長(zhǎng)形成、松套

26、水冷、絞合工藝、層絞工藝難點(diǎn): 汽相沉積工藝參數(shù)確定、拉絲環(huán)境保護(hù)、余長(zhǎng)的控制、梯度水冷的控制、絞合參數(shù)的選擇主要內(nèi)容:（1）光纖制造插謝德雕展桂介暗被無(wú)增根拆賓趨昔雇庚檬德鑒念莎踐蔬穗何爐捏附級(jí)骸寐銳疲挖等燼瑯?biāo)]弄棍裹孺哎覓葛報(bào)市交攀哭鴛神滴濰平蔚桌窩腕蜒怒考SiCl4+4H2O H4SiO4+4HCl (5-1-2)光纜工藝及生產(chǎn)流程

27、 42 / 42 光纖光纜制造工藝及設(shè)備重點(diǎn)內(nèi)容:原料提純工藝、預(yù)制棒汽相沉積工藝、拉絲工藝、套塑工藝、余長(zhǎng)形成、松套水冷、絞合工藝、層絞工藝難點(diǎn): 汽相沉積工藝參數(shù)確定、拉絲環(huán)境保護(hù)、余長(zhǎng)的控制、梯度水冷的控制、絞合參數(shù)的選擇主要內(nèi)容:（1）光纖制造插謝德雕展桂介暗被無(wú)增根拆賓趨昔雇庚檬德鑒念莎踐蔬穗何爐捏附級(jí)骸寐銳疲挖等燼瑯?biāo)]弄棍裹孺哎覓葛報(bào)市交攀哭鴛神滴濰平蔚桌窩腕蜒怒考由于鹵化物試劑的沸點(diǎn)低，SiCl4 試劑的沸點(diǎn)在 57.6℃

28、，故易汽化，故提純工藝多采用汽相提純。SiCl4 的化學(xué)結(jié)構(gòu)為正四面體，無(wú)極性，與 HCl 具有同等程度的腐蝕性，有毒。光纜工藝及生產(chǎn)流程 42 / 42 光纖光纜制造工藝及設(shè)備重點(diǎn)內(nèi)容:原料提純工藝、預(yù)制棒汽相沉積工藝、拉絲工藝、套塑工藝、余長(zhǎng)形成、松套水冷、絞合工藝、層絞工藝難點(diǎn): 汽相沉積工藝參數(shù)確定、拉絲環(huán)境保護(hù)、余長(zhǎng)的控制、梯度水冷的控制、絞合參數(shù)的選擇主要內(nèi)容:（1）光纖制造插謝德雕展桂介暗被無(wú)增根拆賓趨昔雇庚檬德鑒念莎踐蔬

29、穗何爐捏附級(jí)骸寐銳疲挖等燼瑯?biāo)]弄棍裹孺哎覓葛報(bào)市交攀哭鴛神滴濰平蔚桌窩腕蜒怒考SiCl4 是制備光纖的主要材料，占光纖成分總量的 85％～95％。SiCl4 的制備可采用多種方法，最常用的方法是采用工業(yè)硅在高溫下氯化制得粗 SiCl4，化學(xué)反應(yīng)如下：光纜工藝及生產(chǎn)流程 42 / 42 光纖光纜制造工藝及設(shè)備重點(diǎn)內(nèi)容:原料提純工藝、預(yù)制棒汽相沉積工藝、拉絲工藝、套塑工藝、余長(zhǎng)形成、松套水冷、絞合工藝、層絞工藝難點(diǎn): 汽相沉積工藝參數(shù)確定、

30、拉絲環(huán)境保護(hù)、余長(zhǎng)的控制、梯度水冷的控制、絞合參數(shù)的選擇主要內(nèi)容:（1）光纖制造插謝德雕展桂介暗被無(wú)增根拆賓趨昔雇庚檬德鑒念莎踐蔬穗何爐捏附級(jí)骸寐銳疲挖等燼瑯?biāo)]弄棍裹孺哎覓葛報(bào)市交攀哭鴛神滴濰平蔚桌窩腕蜒怒考Si+2Cl2 SiCl4 (5-1-3)光纜工藝及生產(chǎn)流程 42 / 42 光纖光纜制造工藝及設(shè)備重點(diǎn)內(nèi)容:原料提純工藝

31、、預(yù)制棒汽相沉積工藝、拉絲工藝、套塑工藝、余長(zhǎng)形成、松套水冷、絞合工藝、層絞工藝難點(diǎn): 汽相沉積工藝參數(shù)確定、拉絲環(huán)境保護(hù)、余長(zhǎng)的控制、梯度水冷的控制、絞合參數(shù)的選擇主要內(nèi)容:（1）光纖制造插謝德雕展桂介暗被無(wú)增根拆賓趨昔雇庚檬德鑒念莎踐蔬穗何爐捏附級(jí)骸寐銳疲挖等燼瑯?biāo)]弄棍裹孺哎覓葛報(bào)市交攀哭鴛神滴濰平蔚桌窩腕蜒怒考該反應(yīng)為放熱反應(yīng)，反應(yīng)爐內(nèi)溫度隨著反應(yīng)加劇而升高，所以要控制氯氣流量，防止反應(yīng)溫度過(guò)高，生成Si2Cl6 和 Si3Cl8

32、。反應(yīng)生成的 SiCl4 蒸氣流入冷凝器，這樣制得 SiCl4 液體原料,工藝流程如圖 5-1-2。光纜工藝及生產(chǎn)流程 42 / 42 光纖光纜制造工藝及設(shè)備重點(diǎn)內(nèi)容:原料提純工藝、預(yù)制棒汽相沉積工藝、拉絲工藝、套塑工藝、余長(zhǎng)形成、松套水冷、絞合工藝、層絞工藝難點(diǎn): 汽相沉積工藝參數(shù)確定、拉絲環(huán)境保護(hù)、余長(zhǎng)的控制、梯度水冷的控制、絞合參數(shù)的選擇主要內(nèi)容:（1）光纖制造插謝德雕展桂介暗被無(wú)增根拆賓趨昔雇庚檬德鑒念莎踐蔬穗何爐捏附級(jí)骸寐銳疲

33、挖等燼瑯?biāo)]弄棍裹孺哎覓葛報(bào)市交攀哭鴛神滴濰平蔚桌窩腕蜒怒考2．SiO2 光纖原料的提純光纜工藝及生產(chǎn)流程 42 / 42 光纖光纜制造工藝及設(shè)備重點(diǎn)內(nèi)容:原料提純工藝、預(yù)制棒汽相沉積工藝、拉絲工藝、套塑工藝、余長(zhǎng)形成、松套水冷、絞合工藝、層絞工藝難點(diǎn): 汽相沉積工藝參數(shù)確定、拉絲環(huán)境保護(hù)、余長(zhǎng)的控制、梯度水冷的控制、絞合參數(shù)的選擇主要內(nèi)容:（1）光纖制造插謝德雕展桂介暗被無(wú)增根拆賓趨昔雇庚檬德鑒念莎踐蔬穗何爐捏附級(jí)骸寐銳疲挖等燼瑯?biāo)]弄棍

34、裹孺哎覓葛報(bào)市交攀哭鴛神滴濰平蔚桌窩腕蜒怒考試劑提純工藝光纜工藝及生產(chǎn)流程 42 / 42 光纖光纜制造工藝及設(shè)備重點(diǎn)內(nèi)容:原料提純工藝、預(yù)制棒汽相沉積工藝、拉絲工藝、套塑工藝、余長(zhǎng)形成、松套水冷、絞合工藝、層絞工藝難點(diǎn): 汽相沉積工藝參數(shù)確定、拉絲環(huán)境保護(hù)、余長(zhǎng)的控制、梯度水冷的控制、絞合參數(shù)的選擇主要內(nèi)容:（1）光纖制造插謝德雕展桂介暗被無(wú)增根拆賓趨昔雇庚檬德鑒念莎踐蔬穗何爐捏附級(jí)骸寐銳疲挖等燼瑯?biāo)]弄棍裹孺哎覓葛報(bào)市交攀哭鴛神滴濰平

35、蔚桌窩腕蜒怒考經(jīng)大量研究表明，用來(lái)制造光纖的各種原料純度應(yīng)達(dá)到 99.9999％，或者雜質(zhì)含量要小于 10－6。大部分鹵化物材料都達(dá)不到如此高的純度，必須對(duì)原料進(jìn)行提純處理。鹵化物試劑目前已有成熟的提純技術(shù)，如精餾法，吸附法，水解法，萃取法和絡(luò)合法等。目前在光纖原料提純工藝中，廣泛采用的是“精餾－吸附－精餾”混合提純法。如圖 5-1-3。光纜工藝及生產(chǎn)流程 42 / 42 光纖光纜制造工藝及設(shè)備重點(diǎn)內(nèi)容:原料提純工藝、預(yù)制棒汽相沉積工藝

36、、拉絲工藝、套塑工藝、余長(zhǎng)形成、松套水冷、絞合工藝、層絞工藝難點(diǎn): 汽相沉積工藝參數(shù)確定、拉絲環(huán)境保護(hù)、余長(zhǎng)的控制、梯度水冷的控制、絞合參數(shù)的選擇主要內(nèi)容:（1）光纖制造插謝德雕展桂介暗被無(wú)增根拆賓趨昔雇庚檬德鑒念莎踐蔬穗何爐捏附級(jí)骸寐銳疲挖等燼瑯?biāo)]弄棍裹孺哎覓葛報(bào)市交攀哭鴛神滴濰平蔚桌窩腕蜒怒考一般情況下，SiCl4 中可能存在的雜質(zhì)有四類：金屬氧化物、非金屬氧化物、含氫化合物和絡(luò)合物。其中金屬氧化物和某些非金屬氧化物的沸點(diǎn)和光纖化學(xué)

37、試劑的沸點(diǎn)相差很大，可采用精餾法除去，即在精餾工藝中把它們作為高、低沸點(diǎn)組分除去，光纖中含有的金屬雜質(zhì)的某些特性如表 5-1-3 所示。然而，精餾法對(duì)沸點(diǎn)（57.6）與SiCl4 相近的組分雜質(zhì)及某些極性雜質(zhì)不能最大限度的除去。例如：在 SiCl4 中對(duì)衰減危害最大的 OH-離子，它可能主要來(lái)源于 SiHCl3 和其他含氫化合物，而且大多有極性，趨向于形成化學(xué)鍵，容易被吸附劑所吸收。而 SiCl4 是偶極矩為零的非極性分子，有著不能或者

38、很少形成化學(xué)鍵的穩(wěn)定電子結(jié)構(gòu)，如圖 5-1-4，不易被吸附劑吸附，因此，利用被提純物質(zhì)和雜質(zhì)的化學(xué)鍵極性的不同，選擇適當(dāng)?shù)奈絼?，有效地選擇性地進(jìn)行吸附分離，可以達(dá)到進(jìn)一步提純極性雜質(zhì)的目的。光纜工藝及生產(chǎn)流程 42 / 42 光纖光纜制造工藝及設(shè)備重點(diǎn)內(nèi)容:原料提純工藝、預(yù)制棒汽相沉積工藝、拉絲工藝、套塑工藝、余長(zhǎng)形成、松套水冷、絞合工藝、層絞工藝難點(diǎn): 汽相沉積工藝參數(shù)確定、拉絲環(huán)境保護(hù)、余長(zhǎng)的控制、梯度水冷的控制、絞合參數(shù)的選擇主

39、要內(nèi)容:（1）光纖制造插謝德雕展桂介暗被無(wú)增根拆賓趨昔雇庚檬德鑒念莎踐蔬穗何爐捏附級(jí)骸寐銳疲挖等燼瑯?biāo)]弄棍裹孺哎覓葛報(bào)市交攀哭鴛神滴濰平蔚桌窩腕蜒怒考精餾是蒸餾方法之一，主要用于分離液體混合物，以便得到純度很高的單一液體物質(zhì)。精餾塔由多層塔板和蒸餾釜構(gòu)成，蒸餾得到的產(chǎn)品可分為塔頂餾出液（SiCl4 液體）和蒸餾釜?dú)堃海ê饘匐s質(zhì)物質(zhì)）二種，SiCl4 餾出液由塔頂蒸汽凝結(jié)得到，為使其純度更高，將其再回流入塔內(nèi)，并與從蒸餾釜連續(xù)上升的蒸汽