基于有機(jī)-無機(jī)雜化鈣鈦礦(MAPbI3)薄膜電雙穩(wěn)器件的研究.pdf

1、隨著信息時(shí)代的到來，高性能存儲(chǔ)器件受到了越來越多的關(guān)注，人們不斷尋找新的材料來制備性能優(yōu)良的存儲(chǔ)器件。近幾年來，一種新型的有機(jī)/無機(jī)雜化鈣鈦礦材料，因其結(jié)晶度好、遷移率大等優(yōu)點(diǎn)，在光電子領(lǐng)域受到越來越多的關(guān)注。本論文主要圍繞有機(jī)/無機(jī)雜化鈣鈦礦(MAPbI3)開展了有機(jī)電雙穩(wěn)器件的研究，主要工作內(nèi)容如下:
　　(1)聚3，4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸鹽(PEDOT∶PSS)因其良好的透光性與導(dǎo)電性被廣泛的應(yīng)用到光電器件的研究中，

2、本工作將PEDOT∶PSS與鈣鈦礦相結(jié)合，制備新型電雙穩(wěn)存儲(chǔ)器件，并研究其電雙穩(wěn)特性。首先，采用一步法（one-ste）制備了鈣鈦礦薄膜并對(duì)其形貌進(jìn)行了表征。通過溶液旋涂法在玻璃襯底上制備結(jié)構(gòu)為ITO/PEDOT∶PSS/MAPbI3/Metal(Cu/Au/Ag/Al)的器件，并對(duì)器件的電雙穩(wěn)特性進(jìn)行了測(cè)試。通過對(duì)比不同金屬電極器件的性能，發(fā)現(xiàn)不同金屬電極的雙穩(wěn)器件工作電壓不同，但都具有一定的雙穩(wěn)特性，其中，以鋁、銅作為電極的雙穩(wěn)器件

3、穩(wěn)定性較好，最大開關(guān)比均可達(dá)到103。最終，通過對(duì)器件I-V進(jìn)行了線性擬合，探究了器件在不同階段電荷傳輸?shù)臋C(jī)制，分析了器件電雙穩(wěn)特性的產(chǎn)生機(jī)制。
　　(2)聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)因其優(yōu)良的介電特性，良好的穩(wěn)定性，低廉的制備成本，溶液制備的無毒等特性，而在新型光電子存儲(chǔ)器件中受到了廣泛的關(guān)注。本研究將PMMA引入到了鈣鈦礦雙穩(wěn)器件的研究中，通過制備結(jié)構(gòu)為ITO/PMMAMAPbI3/Al的單層電雙穩(wěn)存儲(chǔ)器件，并對(duì)功能層中PMM

4、A的不同含量對(duì)器件性能的影響進(jìn)行了探究，并優(yōu)化了器件性能。當(dāng)共混功能層中PMMA∶MAPbI3的質(zhì)量比較大時(shí)，器件的介電特性占主導(dǎo)，導(dǎo)致器件沒有雙穩(wěn)特性;當(dāng)共混功能層中PMMA∶MAPbI3的質(zhì)量比較小時(shí)，鈣鈦礦的導(dǎo)電性占主導(dǎo)，器件的電雙穩(wěn)態(tài)的穩(wěn)定性較差。而當(dāng)PMMA∶MAPbI3的質(zhì)量比為1∶31時(shí)，共混鈣鈦礦溶液制備的器件性能最好，最大開關(guān)比達(dá)103，器件穩(wěn)定。通過比較共混器件與雙層器件的雙穩(wěn)性能，發(fā)現(xiàn)活性層內(nèi)異質(zhì)結(jié)造成的電荷俘獲中