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文檔簡介
1、隨著高壓直流輸電的誕生與發(fā)展,電力電子技術尤其是各種換流技術也隨之進步,人們越來越關注變換器的功率密度與效率等方面的特性。但是目前而言,電力系統(tǒng)的能耗有很大一部分是損失在電力換流之后,為了應對能源緊張的現(xiàn)狀,降低能耗已經(jīng)成為發(fā)展所迫切需求的,于是半導體開關元件的開發(fā)與選用顯得愈發(fā)的關鍵。
新型碳化硅(Silicon Carbide, SiC)金氧半場效晶體管(metal-oxide-semiconductor field-ef
2、fect transistor,MOSFET)相比于硅基功率開關器件(Silicon,Si),具有開關及導通損耗小、高頻開關和耐高溫等特性,將在高性能功率變換器中得到快速發(fā)展。
本文針對SiC MOSFET進行了著重的研究,分析了SiC器件的參數(shù)以及物理特性和電特性,并深入的對基于 SiC-MOSFET的三相逆變器開展研究,首先根據(jù)正弦脈寬調制(Sinusoidal Pulse Width Modulation,SPWM)下開
3、關頻率及電流波紋的大小來優(yōu)化設計高頻LC濾波器,同時通過效率分析和熱等效電路來選取散熱器。其次對比分析正弦脈寬調制、空間矢量脈寬調制(Space vector pulse width modulation,SVPWM)、不連續(xù)空間矢量脈寬調制(Dscontinuous space vector pulse width modulation,DSVPWM)三種調制方式下和不同開關頻率下的 SiC-MOSFET逆變器波形仿真與效率特性。最后
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