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1、分子磁性材料是90年代以來(lái)磁學(xué)的重要發(fā)現(xiàn),由于其突出的磁學(xué)性質(zhì),使其在理論和實(shí)際應(yīng)用方面都具有重要研究意義。首先,在理論方面,這種具有慢磁弛豫和量子隧道效應(yīng)的分子磁性材料,可以用來(lái)研究量子力學(xué)和經(jīng)典力學(xué)之間的轉(zhuǎn)換行為。其次,在實(shí)際應(yīng)用方面,分子磁性材料可用于制備高密度信息存儲(chǔ)器件。由于該存儲(chǔ)器件是以單個(gè)分子為存儲(chǔ)單元,存儲(chǔ)密度將得到很大提高,這為未來(lái)量子計(jì)算所需大容量信息存儲(chǔ)提供了保證。遺憾的是,到目前為止所報(bào)道的分子磁性材料阻塞溫度T
2、B都遠(yuǎn)低于常溫,離實(shí)際應(yīng)用還有很長(zhǎng)一段路要走。為此,本論文將通過(guò)研究一系列單分子磁體阻塞溫度與分子結(jié)構(gòu)、元素組成及有效能壘之間的內(nèi)在關(guān)系,尋找具有高阻塞溫度單分子磁性材料可能的分子結(jié)構(gòu)和元素組成,為分子磁性材料早日應(yīng)用于實(shí)際器件貢獻(xiàn)一份力量。
首先,使用從頭計(jì)算方法計(jì)算了四種單核Dy稀土單分子磁體的磁學(xué)性質(zhì),通過(guò)研究分析了Dy在不同配位環(huán)境下的磁各向異性,給出了影響單核Dy稀土單分子磁體有效能壘可能的因素:Dy周圍配位環(huán)境的軸
3、對(duì)稱性;沿磁中心離子磁軸方向配位原子上的電荷分布;基態(tài)和激發(fā)態(tài)的量子隧穿幾率等。通過(guò)計(jì)算發(fā)現(xiàn),對(duì)于由Dy構(gòu)成的單分子磁體,當(dāng)其結(jié)構(gòu)具有較高軸向?qū)ΨQ性、沿磁軸方向配位原子上負(fù)電荷分布越多時(shí),該單分子磁體將會(huì)表現(xiàn)出更加優(yōu)異的磁學(xué)性質(zhì)。
其次,分析了鑭系雙核稀土單分子磁體[Ln(μ-OH)(DBP)2(THF)]2,該雙核稀土單分子磁體磁中心離子通過(guò)羥基橋聯(lián)?;衔?中的兩個(gè)磁中心離子都是DyⅢ,將化合物1中的一個(gè)磁中心離子換成YⅢ
4、構(gòu)成化合物2。首先,通過(guò)分析化合物1磁滯回線以及xMT值變化規(guī)律,發(fā)現(xiàn)化合物1具有強(qiáng)各向異性,其中的兩個(gè)Dy之間為反鐵磁相互作用;其次,在CASSCF理論計(jì)算過(guò)程中選取了不同活性空間進(jìn)行計(jì)算,比較了化合物1計(jì)算和實(shí)驗(yàn)?zāi)芗?jí)之間的差異,得出用CASSCF計(jì)算存在強(qiáng)晶體場(chǎng)鑭系稀土單分子磁體時(shí),應(yīng)盡量擴(kuò)大活性空間,把Dy周圍配位原子上的電子放到活性空間中,這將使計(jì)算與實(shí)驗(yàn)結(jié)果更加接近。在本文中我們分別選用CAS(9,7)和CAS(11,8)兩種
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