陶瓷纖維基多孔陶瓷材料的制備與表征研究.pdf

1、作為第三代半導(dǎo)體的典型代表，SiC具有較好的機(jī)械性能、親水性能、熱學(xué)性能，同時(shí)，它還具有較好的光學(xué)性能和電學(xué)性能。SiC材料具有包括零維、一維、二維和三維等在內(nèi)的多種構(gòu)型，其中，SiC三維材料不但較好的保持了一維材料和二維材料的性能，還具有一些特殊的性能，比如較高的比表面積、更高的光吸收效率、更快的界面電荷轉(zhuǎn)移速度還有可調(diào)節(jié)的電荷傳輸能力。這就使SiC三維材料的應(yīng)用范圍比其他材料更加廣泛。SiC三維材料越來(lái)越受地到人們的關(guān)注。
　

2、　因此，通過(guò)開(kāi)發(fā)多種方法直接或者間接合成SiC三維材料以滿(mǎn)足各領(lǐng)域?qū)ζ淙找嬖黾拥男枰ぐl(fā)了研究者們諸多的興趣。到目前為止，合成SiC三維材料的方法主要有滲透法、抽濾制坯法、真空成型與燒結(jié)結(jié)合法、凝膠澆鑄法、化學(xué)氣相沉積法、碳熱還原法等多種方法。在這些方法當(dāng)中，碳熱還原法因制備納米材料所需要的原料廉價(jià)易得、產(chǎn)量較大而備受青睞。本文利用應(yīng)用廣泛的碳熱還原法制備出了以三維網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)為主要構(gòu)型的SiC纖維基多孔陶瓷材料，并對(duì)該材料以及材料改性后的

3、光致發(fā)光性能等進(jìn)行了測(cè)定。
　　本文的研究重點(diǎn)主要集中在以下幾個(gè)方面。
　　1、利用常用的碳熱還原反應(yīng)法，以蔗糖、正硅酸四乙酯分別作為反應(yīng)的碳源和硅源，探究了合成碳化硅基納米纖維及骨架結(jié)構(gòu)所需要的溫度范圍、催化劑的使用等因素對(duì)碳化硅纖維和骨架結(jié)構(gòu)生成的影響，同時(shí)，對(duì)正硅酸四乙酯水解促進(jìn)劑的酸堿性對(duì)材料結(jié)構(gòu)的影響做了初步探究。
　　2、探究了在1300℃的保溫條件下以酚醛樹(shù)脂、正硅酸四乙酯作為碳熱還原反應(yīng)的碳源和硅源時(shí)碳