SiC單相光伏逆變器效率分析.pdf

1、SiC功率器件優(yōu)異的性能引起了廣泛關(guān)注，在光伏發(fā)電中應(yīng)用研究也是當(dāng)前的熱點(diǎn)。對單相光伏逆變的主要結(jié)構(gòu)以及常用的單相逆變器結(jié)構(gòu)進(jìn)行了綜述，逆變器是光伏逆變器系統(tǒng)的核心環(huán)節(jié)，本文將SiCMOSFET應(yīng)用于光伏逆變器中，研究SiCMOSFET對于逆變器效率提升的影響。
　　SiCMOSFET的特性與傳統(tǒng)的SiMOSFET有很大的差別，而且常用于高速開關(guān)的場合，易出現(xiàn)誤觸發(fā)現(xiàn)象。根據(jù)SiCMOSFET的特性以及應(yīng)用特點(diǎn)，在電路結(jié)構(gòu)、電阻設(shè)

2、計、驅(qū)動電壓、可靠性設(shè)計等方面進(jìn)行綜合考慮，設(shè)計了SiCMOSFET驅(qū)動電路。
　　SiCMOSFET體二極管反向恢復(fù)特性優(yōu)異，能夠直接應(yīng)用于全橋硬開關(guān)逆變器中，為了提升逆變器的功率密度，將SiCMOSFET全橋逆變器的開關(guān)頻率提高至100kHz，對逆變器的主要參數(shù)進(jìn)行了設(shè)計。器件工作于硬開關(guān)狀態(tài)，根據(jù)電路的工作狀態(tài)，進(jìn)行了逆變器布局優(yōu)化，以減小關(guān)鍵回路上的雜散電感;并分析了逆變器的效率，與基于SiMOSFET的20kHzH6逆變

3、器進(jìn)行了效率對比;同時將SiCMOSFET全橋逆變器的工作頻率降低至20kHz，并進(jìn)行了效率分析。最后搭建了實驗平臺，測試了相應(yīng)的效率曲線，并進(jìn)行了對比。
　　對100kHz的SiCMOSFET全橋逆變器的損耗進(jìn)行了研究分析，找出影響其效率的主要因素。為了進(jìn)一步提高逆變器的效率，根據(jù)逆變器的工作狀態(tài)，在逆變器中采用了ZVS軟開關(guān)技術(shù)。首先對軟開關(guān)電路的工作過程進(jìn)行了闡述，并進(jìn)行了相關(guān)參數(shù)的設(shè)計;其次，根據(jù)電路的工作狀態(tài)，對軟開關(guān)逆