2GHz硅基E類射頻功率放大器設計.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、多年來砷化鎵工藝一直憑借著高頻特性好、損耗小、噪聲低、頻帶寬、動態(tài)范圍大等優(yōu)點壟斷了射頻功率放大器的設計領域。但近年來，隨著工藝的發(fā)展，硅基工藝中MOS器件特征尺寸不斷減小，SiGe BiCMOS的截止頻率已經(jīng)高達200GHz，滿足射頻功率放大器設計的需求。同時，由于硅基工藝價格較低，成品率較高，因此有必要對硅基工藝下的射頻功率放大器的設計進行研究。
　　本文在介紹了功率放大器的工作原理、設計指標和不同種類功率放大器的優(yōu)缺點的基礎

2、上，詳細地介紹了E類功率放大器的設計原理，給出了使用0.18μm SiGe BiCMOS工藝的2GHz E類功率放大器的設計方法，完成了電路設計、前仿真、版圖設計和后仿真。本文設計的E類功率放大器為全差分結(jié)構(gòu)，輸出級采用共源共柵結(jié)構(gòu)以保證MOS管工作在安全電壓下不被擊穿。功率放大器的驅(qū)動級由諧振放大器構(gòu)成，它能夠保證在提供足夠大的開關信號的同時消耗較小的功率。功率放大器的匹配網(wǎng)絡和LC巴倫由高Q值片外元件組成，降低了損耗，進一步保證了功

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