單片集成高效率高功率射頻功率放大器芯片設(shè)計(jì)畢業(yè)論文

1、 西 安 郵 電 大 學(xué) 畢 業(yè) 設(shè) 計(jì)（論 計(jì)（論 文） 文） 題 目：單片集成高效率高功率射頻功率放大器芯片設(shè)計(jì) 學(xué) 院： 電子工程學(xué)院 專 業(yè)： 集成電路設(shè)計(jì)與集成系統(tǒng) 班 級： 120

2、1 學(xué)生姓名： 導(dǎo)師姓名： 職稱： 起止時(shí)間：2016 年 3 月 14 日至 2016 年 6 月 17 日 西安郵電大學(xué)本科畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）選題審批表 西安郵電大學(xué)本科畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）選題審批表 申 報(bào) 人

3、職 稱 副教授 學(xué) 院 電子工程學(xué)院 題 目 名 稱 單片集成高效率高功率射頻功率放大器芯片設(shè)計(jì) 題目來源 科研 √ 教學(xué) 其它 題目類型 硬件 設(shè)計(jì) √ 軟件 設(shè)計(jì)論文 藝術(shù) 作品 題目性質(zhì) 實(shí)際應(yīng)用 √ 理論研究題目 簡述 單片微波集成電路，即 MMIC 是 Monolithic Microwave Integrated Circuit 的縮寫，它包括多種功能電路，如低噪聲放大器（LNA） 、功率放大器、混頻器

4、、上變頻器、檢波器、調(diào)制器、壓控振蕩器（VCO） 、移相器、開關(guān)、MMIC 收發(fā)前端，甚至整個(gè)發(fā)射/接收（T/R）組件（收發(fā)系統(tǒng)） 。由于 MMIC 的襯底材料（如 GaAs、InP）的電子遷移率較高、禁帶寬度寬、工作溫度范圍大、微波傳輸性能好，所以 MMIC 具有電路損耗小、噪聲低、頻帶寬、動(dòng)態(tài)范圍大、功率大、附加效率高、抗電磁輻射能力強(qiáng)等特點(diǎn)。本課題利用 MMIC 技術(shù)設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)單片集成高功率高效率功率放大器。 對學(xué) 生知 識與 能力

5、 要求 為了順利完成該項(xiàng)目選題學(xué)生應(yīng)該具有以下知識儲備和能力要求： （1）具有良好的電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)； （2）具有良好的半導(dǎo)體理論基礎(chǔ)； （3）具有一定的通信理論基礎(chǔ)。 預(yù)期 目標(biāo) 為了能夠明確學(xué)生的設(shè)計(jì)目標(biāo)，所以制定如下目標(biāo)： （1）單片集成功率放大器設(shè)計(jì)與驗(yàn)證。 （2）完整的基于 MMIC 技術(shù)的射頻功率放大器芯片設(shè)計(jì)一份，本科畢業(yè)設(shè)計(jì)一份。 時(shí)間 進(jìn)度 第 1 周—第 2 周（2016.3.2—2016.3.11） ：資料收集與整理