半導(dǎo)體納晶atotio_2多孔電極制備及電色性能研究

1、西安理工大學(xué)碩士學(xué)位論文半導(dǎo)體納晶ATO趙康20030101摘要半導(dǎo)體納晶A T O ＆T i 0 2 多孔電極制備及電色性能研究學(xué)科：撾料堂作者：二正直搓導(dǎo)師： 爸臣擅熬援趙崖熬援答辯} I 期：! Q Q 墨．!作者( 簽名) ：導(dǎo) 師( 簽字) ：摘 要分別對采用回流膠溶法、液相共沉淀法制備T i 0 2 粉體與A T 0 ·納米粉體：采用非均勻成核法制各A ] D ／T i 0 2 包覆粉體以及采用印刷法制備了A T

2、o ，刖0 2 涂層電極羊¨A 1 的／T i 0 2 包覆粉體多孔涂層電極進(jìn)行了研究。通過x R D 、s E M 、T E M 、x P s 、粉體電阻測試及電化學(xué)測試等分析手段，研究了A ’m 、T 1 0 2 粉、A 7 r o ／T i q 包覆粉體及其電極的相關(guān)物理性能和電致變色特性。對A T O 、T i 0 2 粉和A 1 的／T i 0 2 包覆粉體的制備及表征研究發(fā)現(xiàn)：采用同流膠溶法，通過反應(yīng)溫度、膠溶時間

3、等參數(shù)的控制可以在液相中一步臺成粒徑從2 0 ．4 0 0 n m的晶態(tài)的T i 0 2 超微粉體：采用液相兆沉淀法制備A T o 納米粉體可以實(shí)現(xiàn)s b 在A 1 ’o中4 0 ．5 0 ％( m 0 1 ) 摻雜最，解決丁溶膠．凝膠方法中s b 達(dá)不到高濃度摻雜的問題：采用非均勻成核法及同流膠溶法的結(jié)合可以在同一體系中一步合成包覆型A T O ／T i 0 2 復(fù)合粉體，其殼層A T O 的粒徑可以選到I o n m 左右，渴望賦予

4、該材料更好的電色響麻速度和電荷的存儲能力。對A 1 D 、’r 1 0 2 電極和A T O ／T i 0 2 包覆粉體多孔電極的制備及性能測試表明：采用印刷法可以獲得多孔微結(jié)構(gòu)特征的電極涂層。T i 0 2 涂層的離子存儲能力最佳值為2 ～3 m c ／c m 2 ，且銳鈦礦T i 0 2 的離子存儲性能較金紅石為好。A T o 涂層電極的離子存儲性能的最佳值為3 ～4 m c ／c m 2 。ⅣI ’0 ／T i 0 2 包覆粉體，