xh,n(x=n，p，o和s)分子對(duì)si(111)7215;7表面化學(xué)修飾的理論研究_第1頁(yè)
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1、廈門(mén)大學(xué)博士學(xué)位論文XH（X=N，P，O和S）分子對(duì)Si（111）-7×7表面化學(xué)修飾的理論研究姓名：王新蘭申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：博士專業(yè)：物理化學(xué)指導(dǎo)教師：徐昕20080401使O 原子插入的能壘則相對(duì)較低，僅為1 9 ．O 、1 6 ．7 和2 4 ．8 k c a l ／m o l 。相對(duì)于前者，后者在動(dòng)力學(xué)上更為有利。( 4 ) 不同于N H 3 、P H 3 和H 2 0 ，H 2 S 在s i 0 1 1 ) - 7 &#

2、215;7 上的初始吸附是一個(gè)不需要經(jīng)過(guò)分子前驅(qū)體的快速解離過(guò)程，其本質(zhì)應(yīng)在于H 2 S 的堿性最弱，酸性最強(qiáng)。( 5 ) 類似于H 2 0 對(duì)S i ( 1 l1 ) ．7 ×7 的氧化歷程，S 原子逐步插入S i a - S i 。鍵是可以發(fā)生的，且H 2 S 直接打開(kāi)S i a - S i 。鍵進(jìn)而使S 原子插入的途徑仍是動(dòng)力學(xué)上較為有利的，但H 2 S 以S 或H 原子進(jìn)攻S i 。位從而打開(kāi)S i a - S i 。

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