(na0.5bi0.5)tio3改性batio3基陶瓷的制備、結(jié)構(gòu)與介電性能研究

1、武漢理工大學(xué)博士學(xué)位論文（Na0.5Bi0.5）TiO3改性BaTiO3基陶瓷的制備、結(jié)構(gòu)與介電性能研究姓名：歸冬云申請學(xué)位級別：博士專業(yè)：材料物理與化學(xué)指導(dǎo)教師：劉韓星201205武漢理工大學(xué)博士學(xué)位論文穩(wěn)定性，其t o ．9 2 B T ．0 ．0 8 N B T ．0 ．0 1 5 Y b 2 0 3 陶瓷改性最為明顯，在．2 0 ．1 7 0o C 之間容溫變化率小于1 5 ％，e r ’～2 0 0 0 。Y b 2 0 3

2、．M g O 共摻雜對0 ．9 2 B T ．0 ．0 8 N B T 體系中，M g O 能抑制晶粒長大與C o r e ．S h e l l 結(jié)構(gòu)中C o r e 的長大，并能有效改善低溫端的容溫穩(wěn)定性，高溫段損耗t a n 6 也明顯降低；當(dāng)M g O 摻雜量為0 ．0 0 5 時(shí)，樣品滿足容溫變化率在士1 5 ％范圍內(nèi)的溫度區(qū)間為．5 5 ．1 7 0 o C ，e r ’～2 0 0 0 。通過對上述體系微結(jié)構(gòu)與介電行為的分析

3、表明：稀土摻雜B T - N B T 陶瓷體系中，C o r e ．S h e l l 結(jié)構(gòu)的形成，使得體系表現(xiàn)出雙峰特色的介溫譜，其中介溫峰T l 主要由體系中的鐵電疇貢獻(xiàn)，而寬介溫峰T 2 主要由殼以及濃度梯度區(qū)域貢獻(xiàn)，因此介溫峰T 2 對當(dāng)前體系的組成尤為敏感。C o r e —S h e l l 結(jié)構(gòu)中的內(nèi)應(yīng)力，也是導(dǎo)致體系中介溫峰展寬( 彌散) 、介溫峰移動(dòng)、介溫峰強(qiáng)變化等介溫行為發(fā)生改變的關(guān)鍵因素。關(guān)鍵詞：多層陶瓷電容器；核