《電磁爐維修講解》ppt課件

1、電磁爐維修講解,江勝孫 07-06-01,,,,一、電磁爐的加熱原理二、電磁爐的組裝結(jié)構(gòu)圖三、電磁爐關(guān)鍵器件的作用四、電磁爐幾大電路簡單分析五、電磁爐的故障和排除,目 錄,電磁爐的加熱原理,電磁爐是通過電磁感應(yīng)渦流加熱原理進行工作的。是將220V交流電通過整流濾波成直流電，在將直流逆變成高頻交流電，高頻電流通過感應(yīng)線圈產(chǎn)生交變磁場，當(dāng)磁力線通過鐵質(zhì)鍋底時產(chǎn)生無數(shù)個小渦流,從而使鍋體

2、本身高速發(fā)熱達到用戶使用的需要.,2024/4/4,,電磁爐的組裝結(jié)構(gòu)圖,,,,底殼,風(fēng)機,電源板,電源線,燈板,上蓋組件,發(fā)熱盤,傳感器組件,電磁爐關(guān)鍵器件的作用,,橋堆:整流橋整流橋，220V的電源，2000W內(nèi)的，一般使用15A，2000W以上的,一般使用25A,600V規(guī)格，各品牌均可通用，目前市場上有很多種品牌，質(zhì)量較好的有日本新電源，那些質(zhì)量較差的，主要表現(xiàn)在耐壓較差，或外表粗糙、不平、有凸起現(xiàn)象，在裝配時，若不注意螺絲批的

3、力度，就很容易使整流橋打裂。整流橋是微發(fā)熱器件。,,整流橋,,,IGBT現(xiàn)在工廠用的基本上是復(fù)合管,型號有:FGA25N120、FGA15N120 、K25T120等.以前用過一段時間的單管,如SGW15/25N120,這個管子裝時需要加一個阻尼管.現(xiàn)在在俗泊爾生產(chǎn)的產(chǎn)品上,三個廠家的機器在大致相同工作電流下各品牌一般都可通用，2000W以下一般使用額定電流在20~25A的IGBT管。 IGBT管在工作過程中會發(fā)熱，應(yīng)加散熱片進行散熱

4、。在裝配過程中應(yīng)均勻涂抹散熱硅脂，并緊接觸散熱片進行安裝。 IGBT是高阻抗器件，對靜電特敏感。,IGBT,,保險管,,,保險管也叫熔斷絲,現(xiàn)在常用的有12A、12.5A、15A、16A等當(dāng)電路發(fā)生變化,如電流過大.保險管就自動熔斷起到保護后級電路的作用,,,諧振電容是指電磁爐電控板上與線盤相并聯(lián)的高壓電容，電容范圍為0.15~0.4Uf/1200V，比較好的品牌有順德的創(chuàng)格、百明，聽說達華的也不錯。一般情況下，在同一規(guī)格線盤下，容

5、值越大的，電磁爐工作中心頻率就越低，430材質(zhì)鍋具功率就越易上來。但對304材質(zhì)鍋具的，就會使在最小連續(xù)檔溫升變大。此電容在工作中需承受超過1000VDC的電壓，且會發(fā)熱，如果耐溫耐壓不過關(guān)，則在工作過程中極易損壞。,諧振電容,,,電磁爐電控板上在交流進線處一般放置一2Uf/275VAC的CBB電容，起濾波作用，在整流橋、扼流圈后面放置4~10Uf/275VAC的CBB電容，起直流平波作用，類似水桶原理，使后級的線盤，IGBT工作電流

6、盡量平滑。,平波、濾波電容,,,在整流橋后級，主要起兩個作用，一將外界來的干擾擋住門外，二將IGBT、線盤工作時自產(chǎn)生的干擾關(guān)在門內(nèi)，不讓給跑出到市電上，從而影響其它電器工作。自身會發(fā)熱，當(dāng)線徑小于額定電流所需時，后磁芯質(zhì)量太差，或破裂或磁飽和，均會使溫升增加。一般耐溫130~200度。如若出現(xiàn)繞線匝間短路，在工作中會使短路的繞線燒黑。,扼流圈,,,電流互感器，起電流檢測的作用，用于整機的功率控制。此器件主要是次極繞線容易斷線，易容易引

7、起整機功率波動、檢不到鍋，功率異常等故障。,電流互感器,,,2024/4/4,,圖 02.03 三極管的三種組態(tài),高壓取樣電阻,,用于電壓、IGBT工作波形的檢測，由于工作在高壓，大電流甚至高頻的工作環(huán)境中，所以售后故障率較高。是不檢鍋、無功率輸出、誤報警的主要故障原因。故障主要表現(xiàn)為變值、開路。,,,散熱器,,,散熱片用于IGBT、整流橋發(fā)熱器件的降溫。,,,,,高頻變壓器,電源轉(zhuǎn)換器件，如損壞，會使5V、18V等電壓沒有或偏差太大,

8、,,2024/4/4,快速反應(yīng)二極管,主要用于開關(guān)電源中，主要特性為工作頻率高，開關(guān)導(dǎo)通速度快，由于有些此管與1N4007外表像，使得兩種容易混料、錯插件，造成故障主要有無電壓輸出，或工作一段時間后器件損壞。一般反應(yīng)速度越快的管，管的PN結(jié)壓降越小。,,,主芯片,,用于電磁爐功能控制，類似人的大腦功能。用于電磁爐的主要有東芝、三星、HOLTEK、義隆，現(xiàn)代等品牌。如損壞，主要會引起的故障為無功率輸出、鍋拿走依然有功率、亂顯示、死機、炸機

9、等。注:在換芯片時需注意有方向的,缺口處對著缺口處裝,從缺口處逆時針方向轉(zhuǎn),第一腳為1腳,依次為2/3/4….腳,,,顯示芯片74HC164,,主要用于數(shù)碼管類的電磁爐顯示，是一移位送數(shù)寄存控制器。如若損壞，表現(xiàn)為亂顯示、暗亮、按鍵操作失靈等。,18V、5V,,18V主要用于 IGBT管的驅(qū)動、339的工作電源、風(fēng)扇的電源。18V電源高于20V時，會超過IGBT管的使用電壓范圍，會使風(fēng)扇轉(zhuǎn)速加快，噪因增加，電壓過低，又會使IGBT管驅(qū)

10、動不夠，風(fēng)扇轉(zhuǎn)速不夠。 5V主要用于主芯片的工作電源，比較器的電壓基準。電壓偏高時，會使高壓保護電壓偏高，430鍋功率偏大，IGBT管反壓點抬高。電壓偏低時，就會使高壓保護電壓偏低，430鍋功率容易上不去，IGBT反壓點降低。,電阻的認識,電阻分插件電阻和貼片電阻:根據(jù)材質(zhì)不同分為:水泥電阻 繞線電阻 金屬氧化膜電阻 金屬膜電阻根據(jù)性質(zhì)不同分為:可調(diào)電阻 熱敏電阻 壓敏電阻 滑動電阻 排阻 高壓無感緩沖電阻電阻單位

11、：(歐姆)，用英文表示：Ω1000000(歐姆)Ω=1000千歐（KΩ）=1M歐（MΩ）電阻的作用:限壓與分流作用.一、插件電阻是以色環(huán)來識別的,,電阻的色環(huán)順序,,1 2 3“4” 5,,,,,,,,,,,,(精密電阻1,2,3道色環(huán)是它的有效數(shù)字),1,2,3,4,5,,,,,(普通電阻1,2道色環(huán)是它的有效數(shù)字),,,普通電阻 3道色環(huán)是它的阻值,,,精密電阻4道色環(huán)是它的阻值,舉例:如普通電阻紅 紅 紅

12、 金 那么個位是2 十位是2 再加上他的倍數(shù)乘以他的10/2字方,最后一位那么就是他的誤差值,即:2200歐姆等于2.2K歐紅 綠 黃 銀 那么個位是2 十位是5 再加上他的倍數(shù)乘以他的10/4字方,最后一位那么就是他的誤差值,即:250000歐姆等于250K歐 精密電阻棕 紅 黑 黃 金 那么個位是1 十位是2 百位是0 再加上他的倍數(shù)乘以他的10/4字方,最后一位就是他的誤差值,即:1200000歐姆等于1200K歐,,

13、,,2.1.5 半導(dǎo)體三極管的參數(shù),半導(dǎo)體三極管的參數(shù)分為三大類: 直流參數(shù) 交流參數(shù) 極限參數(shù),,,,,在放大區(qū)基本不變。在共發(fā)射極輸出特性曲線上，通過垂直于X軸的直線(vCE=const)來求取IC / IB ，如圖02.07所示。在IC較小時和IC較大時， 會有所減小，這一關(guān)系見圖02.08。,,圖02.08 值與IC的

14、關(guān)系,圖 02.07 在輸出特性曲線上決定,,,,,2.共基極直流電流放大系數(shù) =（IC－ICBO）/IE≈IC/IE 顯然 與 之間有如下關(guān)系: = IC/IE= IB/?1+ ?IB= /?1+ ?,②極間反向電流 1.集電極基極間反向飽和電流ICBO ICBO的下標(biāo)CB代表集電極和基極，O是Open的字頭，代

15、表第三個電極E開路。它相當(dāng)于集電結(jié)的反向飽和電流。,,,,,2.集電極發(fā)射極間的反向飽和電流ICEO ICEO和ICBO有如下關(guān)系 ICEO=（1+ ）ICBO 相當(dāng)基極開路時，集電極和發(fā)射極間的反向飽和電流，即輸出特性曲線IB=0那條曲線所對應(yīng)的Y坐標(biāo)的數(shù)值。如圖02.09所示。,圖02.09 ICEO在輸出特性曲線上的位置,,,,,(2)交流參數(shù)①交流電流放

16、大系數(shù) 1.共發(fā)射極交流電流放大系數(shù)? ?=?IC/?IB?vCE=const,在放大區(qū)? 值基本不變，可在共射接法輸出特性曲線上，通過垂直于X 軸的直線求取?IC/?IB?；蛟趫D02.08上通過求某一點的斜率得到?。具體方法如圖02.10所示。,圖02.10 在輸出特性曲線上求β,2.共基極交流電流放大系數(shù)α α=?IC/?IE? VCB=const當(dāng)ICBO和I

17、CEO很小時，≈?、≈?，可以不加區(qū)分。,,,,,②特征頻率fT 三極管的?值不僅與工作電流有關(guān)，而且與工作頻率有關(guān)。由于結(jié)電容的影響，當(dāng)信號頻率增加時，三極管的?將會下降。當(dāng)?下降到1時所對應(yīng)的頻率稱為特征頻率，用fT表示。,(3)極限參數(shù) ①集電極最大允許電流ICM,如圖02.08所示，當(dāng)集電極電流增加時，? 就要下降，當(dāng)?值下降到線性放大區(qū)?值的70～30％時，所對應(yīng)的集電極電流稱為集電極最大允

18、許電流ICM。至于?值下降多少，不同型號的三極管，不同的廠家的規(guī)定有所差別?？梢姡?dāng)IC＞ICM時，并不表示三極管會損壞。 圖02.08 值與IC的關(guān)系,,,,,②集電極最大允許功率損耗PCM,集電極電流通過集電結(jié)時所產(chǎn)生的功耗， PCM= ICVCB≈ICVCE， 因發(fā)射結(jié)正偏，呈低

19、阻，所以功耗主要集中在集電結(jié)上。在計算時往往用VCE取代VCB。,,,,,③反向擊穿電壓,反向擊穿電壓表示三極管電極間承受反向電壓的能力，其測試時的原理電路如圖02.11所示。 圖02.11 三極管擊穿電壓的測試電路,,,,,1.V(BR)CBO——發(fā)射極開路時的集電結(jié)擊穿電壓。下標(biāo)BR代表擊穿之意，是Breakdown的字頭，CB代表集電極和基極，O代表第三個電極E開路。,,,,,2.V(B

20、R) EBO——集電極開路時發(fā)射結(jié)的擊穿電壓。,3.V(BR)CEO——基極開路時集電極和發(fā)射極間的 擊穿電壓。 對于V(BR)CER表示BE間接有電阻，V(BR)CES表示BE間是短路的。幾個擊穿電壓在大小上有如下關(guān)系 V(BR)CBO≈V(BR)CES＞V(BR)CER＞V(BR)CEO＞V(BR) EBO,由PCM、 ICM和V(BR)CEO在輸出特性曲線上

21、可以確定過損耗區(qū)、過電流區(qū)和擊穿區(qū)，見圖02.12。 圖02.12 輸出特性曲線上的過損耗區(qū)和擊穿區(qū),,,,2024/4/4,2.1.6 半導(dǎo)體三極管的型號,國家標(biāo)準對半導(dǎo)體三極管的命名如下:3 D G 110 B,,,,,,,,,,,第二位：A鍺PNP管、B鍺NPN管、 C硅PNP管、D硅NPN管,第三位：X低頻小功率管、D低頻大功率管、 G