qjb103a-2010 元器件篩選技術(shù)條件

1、QQJB中國(guó)航天科工集團(tuán)公司標(biāo)準(zhǔn)QQJB103.1A～103.15A—2010代替QQJB103.1～103.14—2003元器件篩選技術(shù)條件2010－12－23發(fā)布2011－01－01實(shí)施中國(guó)航天科工集團(tuán)公司發(fā)布QQJB103A—2010前言QQJB103A《元器件篩選技術(shù)條件》共分為十五部分：——第1部分：總則；——第2部分：半導(dǎo)體二極管；——第3部分：微波二極管；——第4部分：半導(dǎo)體三極管；——第5部分：場(chǎng)效應(yīng)晶體管、可控硅、絕緣

2、柵雙極晶體管（IGBT）；——第6部分：半導(dǎo)體單片集成電路；——第7部分：半導(dǎo)體混合集成電路；——第8部分：電容器；——第9部分：電位器；——第10部分：電阻器；——第11部分：電感器；——第12部分：繼電器；——第13部分：石英諧振器；——第14部分：晶體振蕩器；——第15部分：半導(dǎo)體光電器件。本標(biāo)準(zhǔn)代替QQJB103—2003《元器件篩選技術(shù)條件》。本標(biāo)準(zhǔn)與QQJB103—2003相比主要變化如下：——在總則中提出主要針對(duì)元器件的二

3、次篩選或補(bǔ)充篩選需要進(jìn)行的項(xiàng)目、條件及PDA；——減少了原標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定的高溫貯存試驗(yàn)時(shí)間；取消了原標(biāo)準(zhǔn)中塑封表貼集成電路的高溫貯存試驗(yàn)項(xiàng)目，增加了掃描聲學(xué)顯微鏡檢查試驗(yàn)項(xiàng)目；——對(duì)原標(biāo)準(zhǔn)第2部分、第3部分、第4部分、第5部分、第6部分、第7部分、第8部分的功率老煉試驗(yàn)條件進(jìn)行修訂；——對(duì)原標(biāo)準(zhǔn)第2部分、第3部分、第4部分、第5部分、第6部分、第7部分的PIND振動(dòng)條件確定為“B”條件；——?jiǎng)h除了原標(biāo)準(zhǔn)篩選程序中非必要的中間測(cè)試要求；——對(duì)