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文檔簡介
1、05年LA物理師部分考題1.1個電子所帶電賀量為:A.1.6021018CB.1.6021019CC.1.6021019JD.1.6021020CE.1.6021021C2.某原子核外電子數(shù)為10,L層排滿,那么它的核外電子排列方式為:A.2S2P1SB.1S2S2PC.2S1P1SD.1s2s1pE.2s2p2s3.一個原子的質(zhì)量為:A.1.661027KGB.1.661028KGC.1.661029KGD.1.661026KGE.1
2、.661025KG4.某反應(yīng)式如下:X→YF,其中Mx、My、MF分別為母核、子核及放射光子的靜止能量,EY為子核的反沖動能,問發(fā)射光子F的能量表達式為:(mxmymf)c2ey5.下列哪一反應(yīng)可以有軔致輻射發(fā)生?A.α衰變B.β衰變C.γ衰變D.內(nèi)轉(zhuǎn)換E.電子湮沒6下列關(guān)系式正確的是:A.1ci=108BqB.1ci=109BqC.1ci=1010BqD.1ci=1011BqE.ci=1012Bq7軔致輻射是下列哪一反應(yīng)式發(fā)生的?A.
3、帶點粒子與原子核外電子非彈性碰撞B.帶點粒子與原子核外電子彈性碰撞C.帶點粒子與原子核非彈性碰撞D.帶點粒子與原子核彈性碰撞E.帶點粒子與原子核發(fā)生核反應(yīng)8描述在單位路程里發(fā)生能量轉(zhuǎn)移的多少的量是?LET9X(γ)線與物質(zhì)相互作用的主要形式為?光電效應(yīng),康普頓效應(yīng)和電子對效應(yīng),其次作用為相干散射,光致核反映。10半價層HVL表示的是:A.線束流光子數(shù)減到原來的一半所需的物質(zhì)衰減厚度B.線束流強度減到原來的一半所需的物質(zhì)衰減厚度C.線束流
4、光子數(shù)和強度減到原來的一半所需的物質(zhì)衰減厚度D.……E.……11對康普頓效應(yīng)而言A.反沖電子只能出現(xiàn)在90~180B.反沖電子只能出現(xiàn)在0~90C.反沖電子的動能不可能連續(xù)分布D.反沖電子在反沖電子能譜能量最大處數(shù)目最少E.~12在電子對淹沒中下列正確的是A.只有入射的X(γ)光子能量高于0.511Mev時才發(fā)生電子對淹沒B.在電子對淹沒時放出2個0.511Mev、方向相反的光子C.在電子對淹沒時放出2個0.511Mev、方向相同的光子
5、D.在電子對淹沒時放出1個能量為1.022Mev的光子,且方向相反E.在電子對淹沒時放出1個能量為1.022Mev的光子,且方向相同13照射量的單位是:A.C?KGB.CKGC.CJD.C?JE.Gy14對給定的電力輻射,電離室收集的電荷會因收集極工作電壓極性的改變而改變,這種效應(yīng)叫做電離室的什么效應(yīng)?46在TBI治療中在其間加衰減屏的目的?47電子束需要利用()將出射時的電子束展寬到臨床所需范圍?48劑量剃度G表示送的是?50電子束臨
6、床治療的能量選擇和射野選擇?51電子束和X(γ)同時治療時的情況?52增大電子束源皮距離時將出現(xiàn)?53電子束旋轉(zhuǎn)治療時的β角,射野寬w,曲率半徑r的關(guān)系?54電子束旋轉(zhuǎn)治療時的劑量計算與校準(zhǔn)?55在近距離照射中,“水”中同一位置處Nk與吸收劑量數(shù)值基本一致。此題給的是答案,但前面加“”的水不知對否,當(dāng)時是手寫的,認不出了。56.衰減因子T(r)=A+Br+Cr2+Dr3中的r范圍是?57立體交角技術(shù)的描述?58曼徹斯特系統(tǒng)?59AB點技
7、術(shù)中的B點代表的是哪里器官的劑量?60平均中心劑量概念?61管內(nèi)照射常用于()的治療?62組織間插值常用于()的治療?63提高腫瘤治療增益比的方法有哪些?64TD505及TD55的定義?65P331有一題,忘記。好像是TD55中10cm的脊髓受量?66臨床劑量四原則?67臨床劑量規(guī)一點的敘述選擇對錯?68SSD和SAD照射各自的要點?69考點:電子線射野大于計劃靶區(qū)20%(橫徑)70對上頜竇的常用照射方法?71LQ模型的生物學(xué)基礎(chǔ)?72
8、早反應(yīng)組織有哪些?晚反應(yīng)組織有哪些?734R理論?74TCP與NTCPD概念等?75體模階段的主要任務(wù)是哪些?76治療計劃的主要實施者?77治療體位的選擇原則?78三精?79體位參考標(biāo)記?80模擬機的關(guān)鍵組成部分是?81可以用于擋塊校準(zhǔn)的燈光源是?82虛擬模擬的概念?83DRR圖像質(zhì)量仍差于XR的主要原因?84射野影像系統(tǒng)的分類?85熒光系統(tǒng)的優(yōu)點?86模室所需要的主要產(chǎn)品有哪些?87全擋塊所需的半價層數(shù)為?88LML的主要組成元素?8
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