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1、20052005年碩士研究生入學(xué)考試試卷年碩士研究生入學(xué)考試試卷課程名稱(chēng):課程名稱(chēng):電力電子技術(shù)(本試卷共有八道大題,滿(mǎn)分為(本試卷共有八道大題,滿(mǎn)分為100100分,考試時(shí)間為分,考試時(shí)間為120120分鐘)分鐘)一、填空題(一、填空題(10分,每題分,每題1分)分)1、某晶閘管若其斷態(tài)重復(fù)峰值電壓為500V,反向重復(fù)峰值電壓為700V,則該晶閘管得額定電壓為。2、若流過(guò)晶閘管的電流有效值是157A,則其額定電流為。(不考慮晶閘管的電
2、流裕量)3、列四種電力電子器件中,屬于半控型器件。a.SCRb.GTOc.IGBTd.MOSFET。4、三相三電平逆變器共有種工作狀態(tài)。?a.8b.9c.16d.275、獲得SPWM波形的基本方法有:硬件生成法、和。6、在采用SPWM控制的電壓型逆變電路中,載波頻率越高,則輸出電壓中的諧波頻率越。7、晶閘管交流調(diào)壓電路的工作狀態(tài)與負(fù)載性質(zhì)。a.有關(guān)b.無(wú)關(guān)8、在大電感負(fù)載可控整流電路中,換相壓降ΔUd與控制角α。a.有關(guān)b.無(wú)關(guān)9、可控
3、整流電路,電阻性負(fù)載,當(dāng)Id一定時(shí),流過(guò)晶閘管的電流有效值IT隨控制角α的增大而。a.增大b.減小c.不變10、下列功率器件中,最適合于小功率、高開(kāi)關(guān)頻率的變換器。a.SCRb.IGBTc.MOSFETd.GTO二、判斷題,正確的劃“√”二、判斷題,正確的劃“√”,不正確的劃“”,不正確的劃“”(共(共20分,每題分,每題2分)分)(注意:本題共有(注意:本題共有10個(gè)小題。每個(gè)小題后面有個(gè)小題。每個(gè)小題后面有4個(gè)判斷,答對(duì)個(gè)判斷,答對(duì)
4、4個(gè)判斷得個(gè)判斷得2分;答對(duì)分;答對(duì)3個(gè)判斷得個(gè)判斷得1.5分;答對(duì)分;答對(duì)2個(gè)判斷得個(gè)判斷得0.5分;其它不得分)分;其它不得分)1、電力電子器件的驅(qū)動(dòng)電路通常采用的隔離技術(shù)有:①磁隔離()②電容隔離()8、單相晶閘管交流調(diào)壓電路接電感性負(fù)載:①晶閘管通常采用寬脈沖觸發(fā)()②控制角α的移相范圍是:0?~180?()③當(dāng)控制角α增大時(shí),功率因數(shù)減?。ǎ墚?dāng)控制角α增大時(shí),輸出電壓增大()9、晶閘管交—交變頻電路:①一般采用PWM方式工作
5、()②可四象限運(yùn)行()③與交—直—交變頻電路相比輸入側(cè)功率因數(shù)較高()④低頻輸出特性較好,適合于低速大功率交流調(diào)速系統(tǒng)()10、PWM整流器:①可四象限運(yùn)行()②功率因數(shù)可接近于1()③可用于電力牽引()④可用于太陽(yáng)能并網(wǎng)發(fā)電系統(tǒng)()三、單相全控橋式整流電路,帶電阻電感反電勢(shì)負(fù)載,工作在有源逆變狀態(tài)。已知U2=220V,R=2?,Ld=?,E=140V,?=120?,交流側(cè)電感LB=0.5mH。畫(huà)出輸入電壓u2、輸入電流i2、輸出電壓u
6、d的波形(均考慮換相重疊角),并計(jì)算Ud、Id、Pd的值。(12分)四、三相全控橋整流電路,帶阻感負(fù)載,?=60?,Ld=?,輸出電流連續(xù)。設(shè)三相電壓對(duì)稱(chēng),相電壓為U2,負(fù)載電阻為R,交流側(cè)電抗忽略不計(jì)。若T1~T6六個(gè)晶閘管中T3和T5同時(shí)燒斷,試畫(huà)出輸出電壓ud的波形,并求輸出電流Id的表達(dá)式(即Id與U2及R的關(guān)系式)。(8分)五、圖1所示為交-直-交變流系統(tǒng)電路圖,試回答下列問(wèn)題:1簡(jiǎn)要說(shuō)明圖中各電路單元的作用;2分別畫(huà)出無(wú)源逆
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