2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、1一型號為一型號為KP107的晶閘管,的晶閘管,UTN=700VIT(AV)=10A。12中間直流側(cè)接有中間直流側(cè)接有大電容大電容濾波的逆變器是電壓型逆變器,交流側(cè)濾波的逆變器是電壓型逆變器,交流側(cè)輸出電壓輸出電壓波形為矩形波。波形為矩形波。3晶閘管串聯(lián)時(shí),給每只管子并聯(lián)相同阻值的電阻晶閘管串聯(lián)時(shí),給每只管子并聯(lián)相同阻值的電阻R是__均壓均壓______措施。措施。4在在SPWM的調(diào)制中,載波比是的調(diào)制中,載波比是載波載波頻率和頻率和調(diào)

2、制波調(diào)制波頻率的比值。頻率的比值。5考慮變壓器漏抗的可控整流電路中,在換相過程期間,兩個(gè)相鄰的晶閘管同考慮變壓器漏抗的可控整流電路中,在換相過程期間,兩個(gè)相鄰的晶閘管同時(shí)導(dǎo)通,對應(yīng)的電角度稱為時(shí)導(dǎo)通,對應(yīng)的電角度稱為換相重疊角換相重疊角。6功率晶體管功率晶體管GTR從高電壓小電流向低電壓大電流躍變的現(xiàn)象稱為從高電壓小電流向低電壓大電流躍變的現(xiàn)象稱為二次擊二次擊穿。7三相半波可控整流電阻性負(fù)載電路中,控制角α的最大移相范圍是三相半波可控整

3、流電阻性負(fù)載電路中,控制角α的最大移相范圍是150。8三相全控橋電路有三相全控橋電路有6只晶閘管,應(yīng)采用只晶閘管,應(yīng)采用寬脈沖或脈沖或雙窄雙窄脈沖才能保證電路工作正常。電壓連續(xù)時(shí)每個(gè)管導(dǎo)通脈沖才能保證電路工作正常。電壓連續(xù)時(shí)每個(gè)管導(dǎo)通120度,每間隔度,每間隔60度有一只晶閘管換流。接在同一橋臂上兩個(gè)晶閘管觸發(fā)脈沖之間的相度有一只晶閘管換流。接在同一橋臂上兩個(gè)晶閘管觸發(fā)脈沖之間的相位差為位差為180。。9型號為型號為KP1008的晶閘管

4、其額定參數(shù)為:額定電壓的晶閘管其額定參數(shù)為:額定電壓800v,額定電流,額定電流100A。10考慮變壓器漏抗的可控整流電路中,在換相過程期間,兩個(gè)相鄰的晶閘管考慮變壓器漏抗的可控整流電路中,在換相過程期間,兩個(gè)相鄰的晶閘管同時(shí)導(dǎo)通,對應(yīng)的電角度稱為同時(shí)導(dǎo)通,對應(yīng)的電角度稱為換相重疊角換相重疊角11抑制過電壓的方法之一是用抑制過電壓的方法之一是用_電容電容__吸收可能產(chǎn)生過電壓的能量,并用電吸收可能產(chǎn)生過電壓的能量,并用電阻將其消耗。而為

5、抑制器件的阻將其消耗。而為抑制器件的dudt和didt,減小器件的開關(guān)損耗,可采用接,減小器件的開關(guān)損耗,可采用接入緩沖緩沖電路的辦法。電路的辦法。12在交在交直交變頻電路中,中間直流環(huán)節(jié)用交變頻電路中,中間直流環(huán)節(jié)用大電容大電容濾波,則稱之為電壓型濾波,則稱之為電壓型逆變器,若用逆變器,若用大電感大電感濾波,則為電流型逆變器。濾波,則為電流型逆變器。13鋸齒波觸發(fā)電路由鋸齒波觸發(fā)電路由脈沖形成環(huán)節(jié)、鋸齒波的形成和脈沖移相環(huán)節(jié)脈沖形成環(huán)

6、節(jié)、鋸齒波的形成和脈沖移相環(huán)節(jié)、同步、同步環(huán)節(jié)、雙窄脈沖形成環(huán)節(jié)環(huán)節(jié)、雙窄脈沖形成環(huán)節(jié)構(gòu)成。構(gòu)成。14若輸入相電壓為若輸入相電壓為U2,單相橋式電路的脈沖間隔,單相橋式電路的脈沖間隔=180,晶閘管最大導(dǎo),晶閘管最大導(dǎo)通180,晶閘管承受的最大電壓,晶閘管承受的最大電壓Udm=0.9U2整流電壓脈動(dòng)整流電壓脈動(dòng)?max?次數(shù)次數(shù)m=三相半波電路的脈沖間隔三相半波電路的脈沖間隔=120晶閘管最大導(dǎo)通晶閘管最大導(dǎo)通150,晶閘管承受的最大電

7、壓,晶閘管承受的最大電壓Udm=1.17U2整流電壓脈動(dòng)次數(shù)整流電壓脈動(dòng)次數(shù)?max?m=15GTO、GTR、MOSFET、IGBT分別表示:分別表示:可關(guān)斷晶閘管、電力晶體管、可關(guān)斷晶閘管、電力晶體管、電力場效應(yīng)晶體管、絕緣柵雙極晶體管電力場效應(yīng)晶體管、絕緣柵雙極晶體管16在三相半波可控整流電路中,電感性負(fù)載,當(dāng)控制角在三相半波可控整流電路中,電感性負(fù)載,當(dāng)控制角大于大于30時(shí),時(shí),輸出電壓波形出現(xiàn)負(fù)值,因而常加續(xù)流二級管。輸出電壓波

8、形出現(xiàn)負(fù)值,因而常加續(xù)流二級管。17三相電壓型逆變電路基本電路的工作方式是三相電壓型逆變電路基本電路的工作方式是180導(dǎo)電方式,設(shè)輸入導(dǎo)電方式,設(shè)輸入電壓為電壓為Ud,輸出的交流電壓波形為,輸出的交流電壓波形為矩形矩形,線電壓寬度為,線電壓寬度為180其幅值為其幅值為Ud;相電壓寬度為;相電壓寬度為120,幅值為,幅值為23Ud。二、判斷題二、判斷題5三相橋式可控整流電感性負(fù)載電路中不接續(xù)流二極管,控制角α的最大三相橋式可控整流電感性負(fù)

9、載電路中不接續(xù)流二極管,控制角α的最大移相范圍是移相范圍是(A)A.90B.120C.150D.1806.晶閘管并聯(lián)時(shí)應(yīng)注意:晶閘管并聯(lián)時(shí)應(yīng)注意:(B)A均壓均壓B均流均流C分壓分壓D分流分流7.在我們所學(xué)的三相變流電路中,其中可實(shí)現(xiàn)有源逆變的有(在我們所學(xué)的三相變流電路中,其中可實(shí)現(xiàn)有源逆變的有(A、C),不,不可實(shí)現(xiàn)有源逆變的有(可實(shí)現(xiàn)有源逆變的有(B、D)A三相半波整流電路三相半波整流電路B三相半波帶續(xù)流二極管三相半波帶續(xù)流二極管

10、C三相全控橋電路三相全控橋電路D三相半控橋電路三相半控橋電路8.功率晶體管功率晶體管GTR從高電壓小電流向低電壓大電流躍變的現(xiàn)象稱為從高電壓小電流向低電壓大電流躍變的現(xiàn)象稱為(B)A.一次擊穿一次擊穿B.二次擊穿二次擊穿C.臨界飽和臨界飽和D.反向截止反向截止9180度導(dǎo)電型三相逆變器中,任意時(shí)刻有(度導(dǎo)電型三相逆變器中,任意時(shí)刻有(B)個(gè)晶閘管同時(shí)導(dǎo)通。)個(gè)晶閘管同時(shí)導(dǎo)通。A2B3C1D410三相半波可控整流電阻性負(fù)載電路中,控制角α

11、的最大移相范圍是三相半波可控整流電阻性負(fù)載電路中,控制角α的最大移相范圍是(C)A.90B.120C.150三、簡答:三、簡答:1、典型全控型電力電子器件有哪些,它們?nèi)绾畏诸??、典型全控型電力電子器件有哪些,它們?nèi)绾畏诸??電流?qū)動(dòng):門極可關(guān)斷晶閘管電流驅(qū)動(dòng):門極可關(guān)斷晶閘管GTO、電力晶體管、電力晶體管GTR。電壓驅(qū)動(dòng):電力場效應(yīng)晶體管電壓驅(qū)動(dòng):電力場效應(yīng)晶體管MOSFET、絕緣柵雙極晶體管、絕緣柵雙極晶體管IGBT。2、單相交、單相交

12、交變頻電路中,如何時(shí)輸出電壓波形接近正弦波?交變頻電路中,如何時(shí)輸出電壓波形接近正弦波?為使為使uo波形接近正弦波,可按正弦規(guī)律對波形接近正弦波,可按正弦規(guī)律對?角進(jìn)行調(diào)制。角進(jìn)行調(diào)制。在半個(gè)周期內(nèi)讓在半個(gè)周期內(nèi)讓P組?角按正弦規(guī)律從角按正弦規(guī)律從90減到減到0或某個(gè)值,再增加到或某個(gè)值,再增加到90,每個(gè)控制間隔內(nèi)的平均輸出電壓就按正弦規(guī)律從零增至最高,再減到零;,每個(gè)控制間隔內(nèi)的平均輸出電壓就按正弦規(guī)律從零增至最高,再減到零;另外半

13、個(gè)周期可對另外半個(gè)周期可對N組進(jìn)行同樣的控制。組進(jìn)行同樣的控制。uo由若干段電源電壓拼接而成,在由若干段電源電壓拼接而成,在uo的一個(gè)周期內(nèi),包含的電源電壓段數(shù)的一個(gè)周期內(nèi),包含的電源電壓段數(shù)越多,其波形就越接近正弦波。越多,其波形就越接近正弦波。3、晶閘管串聯(lián)及并聯(lián)分別要注意什么?為什么?、晶閘管串聯(lián)及并聯(lián)分別要注意什么?為什么?晶閘管的串聯(lián):當(dāng)晶閘管的額定電壓小于實(shí)際要求時(shí),可以用兩個(gè)以上同型晶閘管的串聯(lián):當(dāng)晶閘管的額定電壓小于實(shí)際

14、要求時(shí),可以用兩個(gè)以上同型號器件相串聯(lián)。號器件相串聯(lián)。1)靜態(tài)不均壓問題)靜態(tài)不均壓問題為達(dá)到靜態(tài)均壓,首先應(yīng)選用參數(shù)和特性盡量一致的器件,此外可以采用電為達(dá)到靜態(tài)均壓,首先應(yīng)選用參數(shù)和特性盡量一致的器件,此外可以采用電阻均壓。阻均壓。2)動(dòng)態(tài)不均壓問題)動(dòng)態(tài)不均壓問題為達(dá)到動(dòng)態(tài)均壓,同樣首先應(yīng)選擇動(dòng)態(tài)參數(shù)和特性盡量一致的器件,另外還為達(dá)到動(dòng)態(tài)均壓,同樣首先應(yīng)選擇動(dòng)態(tài)參數(shù)和特性盡量一致的器件,另外還可以用可以用RC并聯(lián)支路作動(dòng)態(tài)均壓;對

15、于晶閘管來講,采用門極強(qiáng)脈沖觸發(fā)可以并聯(lián)支路作動(dòng)態(tài)均壓;對于晶閘管來講,采用門極強(qiáng)脈沖觸發(fā)可以顯著減小器件開通時(shí)間上的差異。顯著減小器件開通時(shí)間上的差異。晶閘管的并聯(lián):大功率晶閘管裝置中,常用多個(gè)器件并聯(lián)來承擔(dān)較大的電晶閘管的并聯(lián):大功率晶閘管裝置中,常用多個(gè)器件并聯(lián)來承擔(dān)較大的電流。流。1)晶閘管并聯(lián)就會分別因靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性參數(shù)的差異而存在電流分配不均)晶閘管并聯(lián)就會分別因靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性參數(shù)的差異而存在電流分配不均勻的問題。勻的問題。

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