力特半導體（無錫）有限公司年增產(chǎn)24億只瞬態(tài)電壓抑制二極管、4.6億只可控硅產(chǎn)品項目環(huán)境影響報告表

1、建設項目環(huán)境影響報告表建設項目環(huán)境影響報告表（附大氣環(huán)境影響專項評價（附大氣環(huán)境影響專項評價、地表水環(huán)境影響專地表水環(huán)境影響專項評價項評價和環(huán)境風險專項評價和環(huán)境風險專項評價）項目名稱：年增產(chǎn)24億只瞬態(tài)電壓抑制二極管、4.6億只可控硅產(chǎn)品項目建設單位(蓋章)：力特半導體（無錫）有限公司江蘇省環(huán)境保護廳制1一、一、建設項目基本情況建設項目基本情況項目名稱年增產(chǎn)24億只瞬態(tài)電壓抑制二極管、4.6億只可控硅產(chǎn)品項目建設單位力特半導體（無錫）

2、有限公司法人代表IANPAULDAVIDHIGHLEY聯(lián)系人陳浩通訊地址無錫市新吳區(qū)碩放街道振發(fā)六路3號聯(lián)系電話13585045597傳真郵編214142建設地點無錫市新吳區(qū)碩放街道振發(fā)六路3號立項審批部門無錫國家高新技術產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會備案文號32021708180142建設性質(zhì)擴建行業(yè)類別及代碼C3972半導體分立器件制造占地面積（平方米）2000綠化面積（平方米）依托原有綠化總投資（萬元）56700其中：環(huán)保投資（萬元）100

3、1環(huán)保投資占總投資比例1.77%評價經(jīng)費（萬元）13預期投產(chǎn)日期2019年1月原輔材料（包括名稱、用量）及主要設施規(guī)格、數(shù)量（原輔材料（包括名稱、用量）及主要設施規(guī)格、數(shù)量（包括鍋爐、發(fā)電機等）：包括鍋爐、發(fā)電機等）：詳見第2頁“原輔材料及主要設施”。水及能源消耗量水及能源消耗量名稱消耗量名稱消耗量水（噸年）248366燃油（噸年）—電（萬度年）12600燃氣（標立方米年）—燃煤（噸年）—蒸汽13500能源總消耗（折算標準煤）—其他—廢