“金太陽(yáng)示范工程”應(yīng)用產(chǎn)品的指標(biāo)要求

1、金太陽(yáng)示范工程基本要求（金太陽(yáng)示范工程基本要求（2009年）年）一、一、系統(tǒng)集成要求系統(tǒng)集成要求一一一并網(wǎng)光伏發(fā)電項(xiàng)目符合《光伏電站接入電網(wǎng)技術(shù)規(guī)定（試行）》的要求。一一一并網(wǎng)光伏發(fā)電項(xiàng)目須配置現(xiàn)地?cái)?shù)據(jù)采集系統(tǒng)，能夠采集項(xiàng)目的各類(lèi)運(yùn)行數(shù)據(jù)，并按規(guī)定的協(xié)議通過(guò)GPRSCDMA無(wú)線(xiàn)通道、電話(huà)線(xiàn)路或Inter公眾網(wǎng)上傳。一一一系統(tǒng)整體質(zhì)保期不低于2年。一一一支持在光伏系統(tǒng)中采用新產(chǎn)品和新技術(shù)。二、二、關(guān)鍵設(shè)備要求關(guān)鍵設(shè)備要求（一）電池組件1晶

2、體硅組件最高限價(jià)14元峰瓦，非晶硅薄膜組件最高限價(jià)9元峰瓦。2單晶硅組件效率不低于15%，多晶硅組件效率不低于14%，非晶硅薄膜組件效率不低于6%。3組件使用壽命不低于25年。4晶體硅組件衰減率2年內(nèi)不高于2%、10年內(nèi)不高于10%、25年內(nèi)不高于20%；非晶硅薄膜組件衰減率2年內(nèi)不高于4%、10年內(nèi)不高于10%、25年內(nèi)不高于20%。5晶體硅和非晶硅薄膜組件須分別按照GBT9535（或6整機(jī)質(zhì)保期不低于2年。7平均無(wú)故障時(shí)間不低于3年

3、，使用壽命不低于12年。8按照GBT19064標(biāo)準(zhǔn)要求，通過(guò)國(guó)家批準(zhǔn)認(rèn)證機(jī)構(gòu)的認(rèn)證。（四）獨(dú)立控制器（5千瓦以上獨(dú)立光伏發(fā)電系統(tǒng)所用控制器）1最高限價(jià)為2元瓦。2直流電壓等級(jí)不低于48V。3功率不低于5kW。4平均無(wú)故障時(shí)間不低于3年，使用壽命不低于12年。5按照GBT19064標(biāo)準(zhǔn)要求，通過(guò)國(guó)家批準(zhǔn)認(rèn)證機(jī)構(gòu)的認(rèn)證。6整機(jī)質(zhì)保期不低于2年。（五）控制逆變一體機(jī)1最高限價(jià)為4元瓦（以逆變部分容量確定）。2直流電壓等級(jí)為24V。3逆變效率不