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1、LED部分基本工作原理部分基本工作原理1LED的原理概述的原理概述發(fā)光二極管主要由PN結(jié)芯片、電極和光學(xué)系統(tǒng)組成。其發(fā)光體晶片的尺寸一般為8.9.10.12..13.14mil(1mil=0.0254毫米),目前市面上晶片尺寸越來越大超過40mil。其發(fā)光過程包括三部分:正向偏壓下的載流子注入、復(fù)合輻射和光能傳輸。當(dāng)電子經(jīng)過該晶片時(shí),帶負(fù)電的電子移動(dòng)到帶正電的空穴區(qū)域并與之復(fù)合,電子和空穴消失的同時(shí)產(chǎn)生光子。電子和空穴之間的能量(帶隙)
2、越大,產(chǎn)生的光子的能量就越高。光子的能量反過來與光的顏色對(duì)應(yīng),可見光的頻譜范圍內(nèi),藍(lán)色光、紫色光攜帶的能量最多,桔色光、紅色光攜帶的能量最少。由于不同的材料具有不同的帶隙,從而能夠發(fā)出不同顏色的光。PAnodeNCathode2發(fā)光二極管的伏安特性發(fā)光二極管的伏安特性順向電壓(VF)v.s.順向電流(IF)逆向電壓(VR)v.s.逆向電流(IR)LED是電流驅(qū)動(dòng)元件非電壓驅(qū)動(dòng)元件測(cè)試時(shí)VR=5V時(shí)IR5V電流從正極PIN腳流入,經(jīng)金線流
3、至芯片正極(P極),再流至芯片PN結(jié),從而激發(fā)芯片發(fā)光(芯片為PN結(jié)處發(fā)光),再流至N結(jié),至杯底后經(jīng)短腳流出,而形成一完整的封閉電路通常芯片設(shè)計(jì)時(shí)考慮其正常工作電流為20mA,因此,使用發(fā)光二極管及生產(chǎn)測(cè)試時(shí),通過發(fā)光二極管的電流均為20mA,此電流稱為正向電流(If)。IF值通常為20mA被設(shè)為一個(gè)測(cè)試條件和常亮?xí)r的一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)電流.IF增大時(shí)LAMP的顏色、亮度、VF特性及工作溫度均會(huì)受到影響,它是正常工作時(shí)的一個(gè)先決條件,IF值增大:
4、壽命縮短、VF值增大、波長(zhǎng)偏低、溫度上升、亮度增大、角度不變.3、.VR反向電壓反向電壓由于LAMP是二極管具有單向?qū)щ娞匦裕聪蛲姇r(shí)反向電流為0,而反向電壓高到一定程度時(shí)會(huì)把二極管擊穿,剛好能把二極管擊穿的電壓稱為反向崩潰電壓,可以用“VR”來表示。VR特性:1>VR是衡量PN結(jié)反向耐壓特性,當(dāng)然VR赿高赿好;RYYGOVR可以做到2040V紅、黃、黃綠等四元晶片反向電壓可做到15-20V。BPG可以做到5V以上.2IR(反向加電壓
5、時(shí)流過的電流)特性:①IR是反映二極管的反向特性,IR值太大說明PN結(jié)特性不好,快被擊穿;IR值太小或?yàn)?說明二極管的反向很好;IR一般要求是10ūA以下。②通常IR值較大時(shí)VR值相對(duì)會(huì)小,IR值較小時(shí)VR值相對(duì)會(huì)大;③IR的大小與晶片本身和封裝制程均有關(guān)系,制程主要體現(xiàn)在銀膠過多或側(cè)面沾膠,雙線材料焊線時(shí)焊偏,靜電亦會(huì)造成反向擊穿,使IR增大。4、IVIV(LAMP的發(fā)光強(qiáng)度,稱為亮度)指LAMP有流過電流時(shí)的光強(qiáng),單位一般用毫燭光(
6、mcd)來衡量,1000mcd=1cd由于一批晶片做出的LAMP光強(qiáng)均不相同,封裝廠商會(huì)將其按不同的等級(jí)分類,分為低、中、高等多個(gè)等級(jí),而LAMP的價(jià)格也與其亮度大小有關(guān)系。同一亮度LAMP順向電流越大,亮度越高。亮度還跟角度有關(guān)系,同樣物料角度越大亮度越低,角度越小,亮度越高,所以要求亮度的同時(shí)要考慮到角度的大小.5、光通量、光通量(LuminousfluxΦ)指光源每秒鐘所發(fā)出的量之總和單位為:流明(lumenlm)一般鎢絲燈泡的發(fā)
7、光效率在625Lmw之間,日光燈的發(fā)光效率在4595Lmw之間。目前LED超過100LMW.,6、照度照度(illuminance)(illuminance)單位勒克斯(Luxlx)照度是光通量與被照面之比值。1lumen之光通量均勻分布在面積為一平方米之區(qū)域。照度(Luminosity)指物體被照亮的程度,采用單位面積所接受的光通量來表示,表示單位為勒[克斯](Luxlx),即1m/m2。1勒[克斯]等于1流[明](lumenlm)的
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