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文檔簡介
1、工藝的進步和消費電子市場對高密度非易失性存儲的需求，促使多層單元閃存代替單層單元閃存成為閃存市場的主流，但同時提出數(shù)據(jù)可靠性的需求。針對多層單元閃存中存在的多比特隨機錯誤問題，閃存控制器中需要實現(xiàn)低功耗高帶寬的差錯控制編解碼器。本畢業(yè)設計首先在riBM/RiBM算法的基礎上，對BCH碼的關鍵方程求解部分進行研究創(chuàng)新，提出二進制版的riBM算法，修正現(xiàn)有的SiBM算法的錯誤，并且提出更加優(yōu)化的另外兩種算法，硬件上實現(xiàn)了帶寬為1.6Gbps
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