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文檔簡(jiǎn)介
1、<p><b> 正弦波逆變器設(shè)計(jì)</b></p><p> 作 者: </p><p> 系(院): 物理與電氣工程學(xué)院 </p><p> 專 業(yè): 電氣工程及其自動(dòng)化 </p><p>
2、; 年 級(jí): </p><p> 學(xué) 號(hào): 111154021 </p><p> 指導(dǎo)老師: </p><p> 日 期: <
3、/p><p><b> 正弦波逆變器設(shè)計(jì)</b></p><p> 摘要:本論文基于IR2110控制芯片設(shè)計(jì)了一個(gè)全橋正弦波逆變器。文章首先簡(jiǎn)要介紹了逆變器的基本工作原理、電壓控制芯片SPWM脈寬調(diào)制方式及芯片IR2110的內(nèi)部結(jié)構(gòu)、管腳功能和其特性,IRF540N通道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)功率開關(guān)管的特性。提出了基于IR2110芯片構(gòu)成的單相電壓全橋控制正弦逆變器,并對(duì)電壓控
4、制全橋正弦電壓逆變器電路的主電路、控制電路、死區(qū)時(shí)間電路和輸出低通道濾波電路四個(gè)部分進(jìn)行了詳細(xì)設(shè)計(jì)。</p><p> 關(guān)鍵詞:逆變器;IR2110;開關(guān)管;正弦脈寬調(diào)制</p><p><b> 1 引言</b></p><p> 1.1 逆變器的用途和意義</p><p> 逆變器出現(xiàn)于電力電子飛速發(fā)展的20
5、世紀(jì)60年代,隨著社會(huì)的飛速發(fā)展,逆變器越來越得到廣泛的應(yīng)用。逆變器在發(fā)電廠發(fā)電系統(tǒng)、工廠企業(yè)中具有舉足輕重的作用,其性能的改進(jìn)對(duì)于提高系統(tǒng)的效率、可靠性,降低成本至關(guān)重要。電力逆變電源有著廣泛的用途,它可用于各類交通工具,如汽車、各類艦船以及飛行器,在太陽能及風(fēng)能發(fā)電領(lǐng)域,逆變器有著不可替代的作用。 在電力系統(tǒng)中為保證變電所的諸如后臺(tái)機(jī)、分站RTU、通訊設(shè)備等能在交流電源停電后不間斷工作,工程做法一般采用UPS電源作為主要解決方案,但
6、UPS電源存在容量小、價(jià)格貴、故障率高、維護(hù)量大等不足,因此綜合自動(dòng)化變電所中可采用電力正弦波逆變電源來代替常規(guī)不間斷UPS電源。交流電動(dòng)機(jī)的調(diào)速用變頻器、UPS不間斷電源,感應(yīng)加熱電源等電力電子裝置,其電路的核心部分都是逆變電路。此外,逆變器還可將直流電能轉(zhuǎn)換為交流電供用戶直接使用或輸送到電網(wǎng),對(duì)節(jié)約自然資源和環(huán)境保護(hù)有舉足輕重的意義。</p><p> 1.2 逆變器發(fā)展歷程、現(xiàn)狀和趨勢(shì)</p>
7、<p> 逆變技術(shù)的原理早在1931 年就有人研究過,從1948 年美國(guó)西屋電氣公司研制出第一臺(tái)3KHZ 感應(yīng)加熱逆變器至今已有近60 年歷史了,而晶閘管SCR 的誕生為正弦波逆變器的發(fā)展創(chuàng)造了條件,到了20 世紀(jì)70 年代,可關(guān)斷晶閘管(GTO)、電力開關(guān)管(BJT)的問世使得逆變技術(shù)得到發(fā)展應(yīng)用。到了20 世紀(jì)80 年代,功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)、絕緣柵極開關(guān)管(IGBT)、MOS 控制晶閘管(MCT)以及靜電感
8、應(yīng)功率器件的誕生為逆變器向大容量方向發(fā)展奠定了基礎(chǔ),因此電力電子器件的發(fā)展為逆變技術(shù)高頻化,大容量化創(chuàng)造了條件。進(jìn)入80 年代后,逆變技術(shù)從應(yīng)用低速器件、低開關(guān)頻率逐漸向采用高速器件,提高開關(guān)頻率方向發(fā)展。逆變器的體積進(jìn)一步減小,逆變效率進(jìn)一步提高,正弦波逆變器的品質(zhì)指標(biāo)也得到很大提高。</p><p> 目前,逆變器技術(shù)多數(shù)采用了MOSFET、IGBT、GTO、IGCT、MCT 等多種先進(jìn)且易于控制的功率器件
9、,控制電路也從模擬集成電路發(fā)展到單片機(jī)控制電路,甚至采用數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)控制。各種現(xiàn)代控制理論,如自適應(yīng)控制、自學(xué)習(xí)控制、模糊邏輯控制、神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)控制等先進(jìn)控制理論和算法也大量應(yīng)用于逆變領(lǐng)域。其應(yīng)用領(lǐng)域也達(dá)到了前所未有的廣闊,從毫瓦級(jí)的液晶背光板逆變電路到百兆瓦級(jí)的高壓直流輸電換流站;從日常生活的變頻空調(diào)、變頻冰箱到航空領(lǐng)域的機(jī)載設(shè)備;從使用常規(guī)化石能源的火力發(fā)電設(shè)備到使用可再生能源發(fā)電的太陽能風(fēng)力發(fā)電設(shè)備,都少不了逆變電源。毋須
10、懷疑,隨著計(jì)算機(jī)技術(shù)和各種新型功率器件的發(fā)展,逆變裝置也將向著體積更小、效率更高、性能指標(biāo)更優(yōu)越的方向發(fā)展。</p><p><b> 2 設(shè)計(jì)要求</b></p><p><b> 2.1 設(shè)計(jì)要求</b></p><p> (1)制作正弦波逆變器,輸入端用12V蓄電池產(chǎn)生的直流電供給電路,輸出端輸出12V的交流電
11、壓。</p><p> (2)設(shè)計(jì)電路最后輸出電壓波形為正弦波。</p><p> (3)設(shè)計(jì)電路最后輸出交流電壓頻率為50HZ。</p><p><b> 2.2 設(shè)計(jì)思路</b></p><p> 題目要求設(shè)計(jì)一個(gè)單相電壓正弦波逆變電源,輸出電壓波形為50HZ,電路輸出電壓波形為正弦波。設(shè)計(jì)中主電路采用DC-
12、AC的逆變技術(shù),控制部分采用SPWM(正弦脈寬調(diào)制)技術(shù),利用芯片IR2110對(duì)逆變器件電力開關(guān)管MOSFET進(jìn)行驅(qū)動(dòng)控制,同時(shí)電路中死區(qū)時(shí)間控制和低通道濾波的功能,增強(qiáng)了電源的安全性和穩(wěn)定性,使輸出獲得交流正弦波的穩(wěn)壓電源。</p><p><b> 3 方案論證</b></p><p><b> 3.1 方案1</b></p>
13、<p> 半橋式DC-AC逆變電路。在驅(qū)動(dòng)電壓的開關(guān)輪流作用下,半橋電路兩只開關(guān)管SW1和SW2交替導(dǎo)通和截止,從而產(chǎn)生交變的方波脈沖,實(shí)現(xiàn)功率轉(zhuǎn)換。半橋式結(jié)構(gòu)原理圖如圖1所示,它有兩個(gè)橋臂,每個(gè)橋臂由一個(gè)可控器件和電容組成。在直流側(cè)接有兩個(gè)相互串聯(lián)的足夠大的電容,兩個(gè)電容的連接點(diǎn)便為直流電源的中點(diǎn)。</p><p> 圖1 半橋式結(jié)構(gòu)電路圖</p><p><b&
14、gt; 3.2 方案2 </b></p><p> 全橋DC-AC逆變電路。全橋式電路如圖2所示,他有四個(gè)橋臂,可以看成由兩個(gè)半橋電路組合而成。全橋電路中橋臂SW1與SW3互為一對(duì),橋臂SW2與SW4互為一對(duì),互為對(duì)角的兩個(gè)開關(guān)同時(shí)關(guān)斷導(dǎo)通,而同一側(cè)半橋上下兩開關(guān)交替導(dǎo)通,將直流電能變成幅值與輸入電壓幅值相等的交流電壓,改變開關(guān)的占空比,可以改變輸出電壓。成對(duì)橋臂的兩個(gè)開關(guān)管在脈沖觸發(fā)下同時(shí)導(dǎo)通,
15、每對(duì)橋臂輪流導(dǎo)通,負(fù)載兩端就得到交流電能。每對(duì)橋臂分別工作半個(gè)周期,其輸出電壓波形為180度的方波。 </p><p> 圖2 全橋式結(jié)構(gòu)電路圖</p><p><b> 3.3 方案比較</b></p><p> 方案一和方案二都可以作為DC-AC逆變電路,由兩者的工作原理可知,半橋需要兩個(gè)開關(guān)管,電路簡(jiǎn)單且使用器件少。全橋需要四個(gè)開關(guān)
16、管。半橋和全橋的開關(guān)管的耐壓都為VDC,而半橋輸出的電壓峰值是1/2DC,且直流側(cè)需要兩個(gè)電容器串聯(lián),工作時(shí)還需要控制兩個(gè)電容器的電壓的均衡。全橋輸出電壓的峰值是VDC,所以在獲得同樣的輸出電壓的時(shí)候,全橋的供電電壓可以比半橋的供電電壓低一半,且直流側(cè)不需要兩個(gè)電容器串聯(lián),工作時(shí)也不需要控制兩個(gè)電容器的電壓的均衡問題。出于這兩點(diǎn)的考慮,決定采用方案二。</p><p><b> 4 主要元器件介紹&l
17、t;/b></p><p> 4.1 IR2110芯片的介紹</p><p> IR2110采用HVIC和閂鎖抗干擾CMOS制造工藝,DIP14 腳封裝。具有獨(dú)立的低端和高端輸入通道;懸浮電源采用自舉電路;輸出的電源端(腳3,即功率器件的柵極驅(qū)動(dòng)電壓)電壓范圍10~20V;邏輯電源電壓范圍(腳9)5~15V,可方便地與TTL,CMOS電平相匹配,而且邏輯電源地和功率地之間允許有&
18、#177;5V的偏移量;工作頻率高,開通、關(guān)斷延遲小。</p><p> IR2110的內(nèi)部功能框圖如圖3所示。由三個(gè)部分組成:邏輯輸入,電平平移及輸出保護(hù)。如上所述IR2110的特點(diǎn),電路中采用該芯片可以為裝置的設(shè)計(jì)帶來許多方便。尤其是高端懸浮自舉電源的成功設(shè)計(jì),可以大大減少實(shí)際應(yīng)用電路中的驅(qū)動(dòng)問題。</p><p> 圖3 (a)IR2110內(nèi)部功能框圖</p>&l
19、t;p> 圖3 (b)IR2110管腳功能框圖</p><p> 圖3 (c)IR2110半橋驅(qū)動(dòng)電路 </p><p> 實(shí)際設(shè)計(jì)電路中的IR2110的全橋驅(qū)動(dòng)電路由IR2110的半橋驅(qū)動(dòng)電路擴(kuò)展而來。</p><p> 4.2 IRF540 MOS管介紹</p><p> IRF540晶閘管是N溝道電壓控制型MOS
20、管,IRF540 MOS管具有低的導(dǎo)通內(nèi)阻,快速開斷能力,而且驅(qū)動(dòng)功率小、工作速度高、無二次擊穿問題、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn),已廣泛應(yīng)用到DC-DC轉(zhuǎn)換器,開關(guān)電源,電視及電腦顯示器電源等。</p><p> 圖4 IRF540 MOS管內(nèi)部結(jié)構(gòu)和參數(shù)</p><p><b> 5 硬件設(shè)計(jì)</b></p><p><b> 5.1
21、 框圖 </b></p><p> 在電路設(shè)計(jì)中,12V蓄電池電源先經(jīng)過濾波后輸入電路中,保證輸出有效值為12V的正弦波,不出現(xiàn)截止失真和飽和失真。系統(tǒng)方框圖如圖5所示,電路采用調(diào)節(jié)SPWM信號(hào)脈寬調(diào)制方式。在該系統(tǒng)中采用了兩組相互隔離的輔助電源供電,一組供給SPWM信號(hào)控制器使用,另外一組供給輸出電壓電路使用,這樣避免了交流輸出的浮地和蓄電池的地不能共地問題。因?yàn)镾PWM控制器輸出的SPWM信號(hào)不
22、含死區(qū)時(shí)間,所以增加了死區(qū)時(shí)間控制電路,電路還設(shè)計(jì)了低通道濾波電路濾去諧波。</p><p> 圖5 正弦波逆變器框圖</p><p> 5.2 逆變器的SPWM脈寬控制方式</p><p> 脈沖寬度調(diào)制,是英文“Pulse Width Modulation”的縮寫,簡(jiǎn)稱脈寬調(diào)制。在采樣控制理論中有一個(gè)重要的結(jié)論:沖量相等而形狀不同的窄脈沖加在具有慣性環(huán)節(jié)上
23、時(shí),其效果基本相同。如果把各輸出波形用傅里葉變換分析,則其低頻段非常接近,僅在高頻段略有差異。PWM控制技術(shù)就是以該結(jié)論為理論基礎(chǔ),對(duì)半導(dǎo)體開關(guān)器件的導(dǎo)通和關(guān)斷進(jìn)行控制,使輸出端得到一系列幅值相等而寬度不相等的脈沖,用這些脈沖來代替正弦波或其他所需要的波形。在進(jìn)行脈寬調(diào)制時(shí),使脈沖系列的占空比按正弦規(guī)律來安排。當(dāng)正弦值為最大值時(shí),脈沖的寬度也最大,而脈沖間的間隔則最小,反之,當(dāng)正弦值較小時(shí),脈沖的寬度也小,而脈沖間的間隔則較大,這樣的電
24、壓脈沖系列可以使負(fù)載電流中的高次諧波成分大為減小,稱為正弦波脈寬調(diào)制。圖示6所示即為正弦脈寬調(diào)制方式的脈沖序列波形。</p><p> 圖6 (a)單極性SPWM控制方式波形 圖6 (b)雙極性SPWM控制方式波形</p><p> 5.3 電路原理介紹</p><p> 5.3.1 正弦波逆變器的基本原理</p>
25、<p> 逆變器出現(xiàn)于電力電子飛速發(fā)展的20世紀(jì)60年代,隨著社會(huì)的飛速發(fā)展,逆變器越來越得到廣泛的應(yīng)用。逆變器是通過半導(dǎo)體功率開關(guān)的開通和關(guān)斷作用,把直流電能轉(zhuǎn)變成為交流電能的一種變換裝置,是整流變換的逆過程。電壓型逆變器是按照控制電壓的方式將直流電能轉(zhuǎn)變?yōu)榻涣麟娔?,是逆變技術(shù)中常見的一種。單相全橋逆變電路也稱“H橋”逆變電路,其電路結(jié)構(gòu)如圖7所示,由兩個(gè)半橋電路組成。功率開關(guān)元件Q1與Q3互為一組,Q2與Q4互為一組
26、,當(dāng) Q1與Q3同時(shí)導(dǎo)通時(shí),負(fù)載電壓U0=+Ud;當(dāng)Q2與Q4同時(shí)導(dǎo)通時(shí),負(fù)載兩端 U0=-Ud,Q1與Q3和Q2與Q4輪流導(dǎo)通,負(fù)載兩端就得到交流電能。單相全橋電路上述工作狀況下Q1與Q3和Q2與Q4分別工作半個(gè)周期,其輸出電壓波形為180度的方波。 </p><p> 前面所述的方波逆變電路雖然結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,但輸出的電能質(zhì)量較差,諧波分量大,隨著功率器件的發(fā)展,正弦波脈寬調(diào)制(SPWM)技術(shù)得到了廣泛的應(yīng)用,S
27、PWM控制是在逆變器輸出交流電能的一個(gè)周期內(nèi),將直流電能變成幅值相等而寬度根據(jù)正弦規(guī)律變化的脈沖序列,該脈沖序列的寬度是隨正弦波幅值變化的離散脈沖,經(jīng)過濾波后得到正弦波交流電能。</p><p> 圖7(a)單相全橋電路拓樸結(jié)構(gòu) 圖7(b)全橋輸出電壓電流波形</p><p> 5.3.2 控制線路設(shè)計(jì)原理</p><p> 在正弦
28、波逆變器裝置中,根據(jù)主電路的結(jié)構(gòu),其功率開關(guān)器件一般采用直接驅(qū)動(dòng)和隔離驅(qū)動(dòng)兩種方式。采用隔離驅(qū)動(dòng)方式時(shí)需要將多路驅(qū)動(dòng)電路、控制電路、主電路互相隔離,以免引起災(zāi)難性的后果。隔離驅(qū)動(dòng)可分為電磁隔離和光電隔離兩種方式。設(shè)計(jì)中采用IR2110芯片驅(qū)動(dòng)器,它兼有光耦隔離(體積小)和電磁隔離(速度快)的優(yōu)點(diǎn),避免了電路中線路的繁瑣鏈接。</p><p> 在控制電路中二極管是一個(gè)重要的器件,它應(yīng)能阻斷直流干線上的高壓,二極
29、管承受的電流是柵極電荷與開關(guān)頻率之積。為了減少電荷損失,設(shè)計(jì)電路選擇了反向漏電流小的快恢復(fù)二極管UF4007。</p><p> 根據(jù)MOSFET 的門極特性,在電路開通時(shí),需要在極短的時(shí)間內(nèi)向門極提供足夠的柵電荷。根據(jù)電路設(shè)計(jì)電容選取10uF的電解電容。</p><p> 由于電路設(shè)計(jì)為電壓逆變器,所以全橋器件選用IRF540,它是電壓控制型使用溝渠工藝封裝的N通道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)功率開
30、關(guān)管MOSFET器件,更主要的是它具有低的導(dǎo)通內(nèi)阻和快速開斷能力。</p><p> 集成功率驅(qū)動(dòng)電路IR2110具有優(yōu)良的驅(qū)動(dòng)性能,根據(jù)設(shè)計(jì)電路具體驅(qū)動(dòng)要求設(shè)置,為芯片提供了一個(gè)+5V的輔助電壓和+12V的輔助電源來實(shí)現(xiàn)對(duì)同一橋臂上、下主開關(guān)器件功率MOSFET的驅(qū)動(dòng), 這樣就有效簡(jiǎn)化了功率變換器主開關(guān)器件驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì), 提高系統(tǒng)的可靠性。</p><p> 全橋電路采用兩個(gè)半橋驅(qū)動(dòng)
31、芯片IR2110分別驅(qū)動(dòng)全橋的兩邊場(chǎng)效應(yīng)管IRF540按驅(qū)動(dòng)信號(hào)SPWM波交替導(dǎo)通,輸出功率放大的SPWM波來控制晶閘管的導(dǎo)通和關(guān)斷,使輸出側(cè)產(chǎn)生交變的正弦電壓。圖8所示為全橋逆變電路控制電路。</p><p> 圖8 DC-AC控制電路原理圖</p><p> 5.3.3 死區(qū)時(shí)間控制電路的設(shè)計(jì)</p><p> 兩組同頻率互補(bǔ)的脈沖信號(hào)SPWM1和SPWM
32、2,再分別進(jìn)入單穩(wěn)態(tài)電路SPWM1和SPWM2.根據(jù)其原理,單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器的輸出只有1和0兩種狀態(tài)閥,以此來設(shè)定兩組信號(hào)之間的死區(qū)時(shí)間,每組只能觸發(fā)一個(gè)單穩(wěn)態(tài)電路,而且單穩(wěn)態(tài)電路是利用下降沿觸發(fā)得到,因此將兩組信號(hào)分別觸發(fā)兩組單穩(wěn)態(tài)電路,然后將信號(hào)SPWM2和單穩(wěn)態(tài)型號(hào)SPWM1的輸出信號(hào)通過非門和與門電路SPWM1來輸出信號(hào)SPWM1,此死區(qū)時(shí)間產(chǎn)生于信號(hào)SPWM1的下降沿和信號(hào)SPWM2的上升沿之間,再將信號(hào)SPWM1和單穩(wěn)態(tài)信號(hào)SP
33、WM2的輸出信號(hào)通過信號(hào)SPWM2,此死區(qū)信號(hào)產(chǎn)生于信號(hào)SPWM1的上升沿和信號(hào)SPWM2的下降沿之間。那么,兩組信號(hào)共同輸出就能得到所需的兩組互補(bǔ)輸出信號(hào),同時(shí)兩組信號(hào)之間又有死區(qū)時(shí)間控制。</p><p> 圖9是死區(qū)時(shí)間設(shè)置電路,通過用數(shù)字電路延時(shí)實(shí)現(xiàn)死區(qū)時(shí)間設(shè)置,很顯明獲得死區(qū)時(shí)間的方法是驅(qū)動(dòng)信號(hào)的下降延不延時(shí),只延時(shí)驅(qū)動(dòng)信號(hào)的上升延,電路中采用了74HC08與門邏輯電路集成芯片和74HC14非門邏輯電
34、路集成芯片來控制驅(qū)動(dòng)電路的死區(qū)時(shí)間。</p><p> 圖9 死區(qū)時(shí)間控制電路圖</p><p> 5.3.4 低通濾波器的設(shè)計(jì)</p><p> 工程信號(hào)不是同頻率的正弦波線性疊加而成的,組成的不同型號(hào)頻率的正弦波叫做信號(hào)的頻率成分或叫做諧波成分,濾波的作用是濾去諧波。只允許一定頻率范圍的信號(hào)正常通過,而阻止另一部分頻率成分通過的電路叫做濾波電路。當(dāng)允許信號(hào)
35、中較低頻率的成分通過濾波器時(shí),這種濾波器叫做低通道濾波。低通濾波器原理圖如圖10所示,低通濾波器采用一階無源LC低通濾波器。 </p><p> 為了避免磁環(huán)電感飽和,經(jīng)計(jì)算,C的值為1.13µF,實(shí)取1µF。L為3.04mH,實(shí)取2.3mH。</p><p> 圖10 低通濾波器原理圖</p>&
36、lt;p> 5.4 DC-AC電路原理介紹</p><p> 圖11所示,實(shí)際設(shè)計(jì)電路中用到一個(gè)12V和一個(gè)5V兩個(gè)輔助電源來驅(qū)動(dòng)IR2110芯片工作,在該電路中,12V的輔助電源和輸入電壓公共一個(gè)電源,另外提供一個(gè)5V的電源接入電路。輸入端通過一些電容濾波后輸入電路,輸出端接在橋臂中間。通過芯片IR2110對(duì)SPWM波放大后接在晶閘管上,通過控制晶閘管的導(dǎo)通和關(guān)斷來控制輸出電壓及其波形。</p&
37、gt;<p> 圖11 DC-AC電路原理圖 </p><p> 備注:主要元器件明細(xì)表見附錄1,PCB原理圖,仿真圖見附錄2。</p><p><b> 6 結(jié)論</b></p><p> 系統(tǒng)調(diào)試過程中要檢查電路的各個(gè)元件的各個(gè)參數(shù)。若參數(shù)及模式設(shè)置無誤一般能保證仿真過程的順利進(jìn)行。</p><
38、;p> 該單相正弦波電壓逆變電源的輸入為12V直流電壓,輸出為12V交流電且頻率為50HZ。該設(shè)計(jì)基本完成了論文中各項(xiàng)設(shè)計(jì)要求。同時(shí)該死區(qū)時(shí)間控制和低通道濾波的功能,增強(qiáng)了電源的安全性和穩(wěn)定性。但是設(shè)計(jì)中還缺少很多的保護(hù),比如:過壓保護(hù),過電流和欠壓保護(hù)等功能,所以在今后還要繼續(xù)研究各種保護(hù)電路的實(shí)現(xiàn)方法。</p><p><b> 7 致謝</b></p><
39、p> 通過本次正弦波逆變器的設(shè)計(jì),讓我對(duì)逆變器工作原理有了更進(jìn)一步的認(rèn)識(shí),并對(duì)DC/AC逆變?cè)砑捌鋺?yīng)用也有更深的了解。雖然進(jìn)行的過程中也遇到很多困難和困惑,但是在老師的指導(dǎo)下和同學(xué)的幫助下一步一步的完成了此次設(shè)計(jì),無論是在思想上還是在學(xué)習(xí)上,都使我受益匪淺。</p><p> 值此論文完成之際,首先要感謝我的指導(dǎo)老師cc老師。cc老師從一開始的論文方向的選定,到最后的整篇文論的完成,都非常耐心的對(duì)我進(jìn)
40、行指導(dǎo),給我提供了很多數(shù)據(jù)資料和建議,告訴我應(yīng)該注意的細(xì)節(jié)問題,細(xì)心的給我指出錯(cuò)誤,修改論文。他在逆變器技術(shù)及光伏發(fā)電領(lǐng)域的專業(yè)研究和對(duì)該課題深刻的見解,使我受益匪淺。在此,謹(jǐn)向cc老師致以崇高的敬意和衷心的感謝。</p><p> 同時(shí),我還要感謝關(guān)心幫助過我的老師和同學(xué),正是由于他們的關(guān)心和幫助,我才能克服一個(gè)一個(gè)的困難和疑惑,直至本次畢業(yè)論文的順利完成。在此次畢業(yè)設(shè)計(jì)過程中我也學(xué)到了很多關(guān)于逆變器電源設(shè)計(jì)
41、方面的知識(shí),電路設(shè)計(jì)技能也有了很大的提高。 最后,再次對(duì)關(guān)心、幫助我的老師和同學(xué)表示衷心地感謝。</p><p><b> 參考文獻(xiàn)</b></p><p> [1] 黃智偉.全國(guó)大學(xué)生電子設(shè)計(jì)競(jìng)賽系統(tǒng)設(shè)計(jì)[M].北京:北京航空航天大學(xué)出版社,2006.</p><p> [2] 黃智偉.全國(guó)大學(xué)生電子設(shè)計(jì)競(jìng)賽技能訓(xùn)練[M].北
42、京:北京航空航天大學(xué)出版社,2006.</p><p> [3] 康華光.電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬部分[M].北京:高等教育出版社,2006.</p><p> [4] 康華光.電子技術(shù)基礎(chǔ)數(shù)字部分[M].北京:高等教育出版社,2006.</p><p> [5] 徐德宏.開關(guān)電源設(shè)計(jì)指南[M].北京:機(jī)械工業(yè)出版社,2004.</p><p>
43、; [6] 劉勝利.現(xiàn)代高頻開關(guān)電源實(shí)用技術(shù)[M].北京:電子工業(yè)出版社,2001.</p><p> [7] 王兆安.黃俊.電力電子技術(shù)[M].北京:機(jī)械工業(yè)出版社,2008.</p><p> Design of Single Phase Voltage Sinusoidal Inverter</p><p> Abstract: in this pap
44、er, based on the IR2110 control chip to design a full bridge single-phase voltage inverter. The article introduces the basic principle, the inverter voltage control chip SPWM pulse width modulation and IR2110 chip intern
45、al structure, pin function and its characteristics, the characteristics of field effect power switch tube IRF540N channel enhancement. The single-phase voltage IR2110 chip controlled full-bridge sinusoidal inverter based
46、 on, and the main circuit, voltage cont</p><p> Keywords: inverte ;IR2110 ;switch ;sinusoidal pulse width modulation</p><p> 附錄1 元器件明細(xì)表</p><p> 表 1 主要元器件清單</p><p>&
47、lt;b> 附 錄2 PCB</b></p><p> 圖12 DC-AC電路印制板圖底層圖</p><p> 圖13 死區(qū)時(shí)間控制電路印制板圖底層圖</p><p><b> 電路仿真圖</b></p><p> 圖14 (a)仿真正弦波 三角波疊加</p><p>
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