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文檔簡介
1、<p> 集成電路版圖分析與設(shè)計(jì)</p><p><b> 實(shí)驗(yàn)指導(dǎo)書</b></p><p><b> 本科</b></p><p><b> 上海建橋?qū)W院</b></p><p><b> 機(jī)電學(xué)院</b></p>&
2、lt;p><b> 2015年8月</b></p><p><b> 目 錄</b></p><p> 實(shí)驗(yàn)一 熟悉Unix 操作命令3</p><p> 實(shí)驗(yàn)二 建立設(shè)計(jì)庫及繪圖技術(shù)9</p><p> 實(shí)驗(yàn)三 Virtuoso 設(shè)計(jì)CMOS反相器版圖16</p&
3、gt;<p> 實(shí)驗(yàn)四 CMOS門電路版圖設(shè)計(jì)27</p><p> 實(shí)驗(yàn)五 版圖DRC/LVS驗(yàn)證32</p><p> 實(shí)驗(yàn)六 高級門級電路版圖設(shè)計(jì)60</p><p> 實(shí)驗(yàn)七 CMOS 模擬電路版圖設(shè)計(jì)(一)62</p><p> 實(shí)驗(yàn)八 CMOS 模擬電路版圖設(shè)計(jì)(二)76</p&g
4、t;<p> 實(shí)驗(yàn)一 熟悉Unix 操作命令</p><p><b> 一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?lt;/b></p><p> 1、熟悉Unix系統(tǒng)環(huán)境;</p><p> 2、了解目錄和文件的操作命令, 並要掌握常用的目錄操作命令和文件操作命令;</p><p> 3、學(xué)會(huì)使用Vi 編輯器。</p>
5、;<p><b> 二、實(shí)驗(yàn)原理</b></p><p> Unix操作系統(tǒng)是Cadence軟件工具安裝的平臺,使用Cadence工具創(chuàng)建、生成文件需要保存成文件。</p><p> ?。ㄒ唬┪募澳夸洸僮?lt;/p><p> 1、Unix系統(tǒng)以目錄樹結(jié)構(gòu)組織文件和目錄,如圖1-1所示。</p><p>
6、; 圖1-1 Unix系統(tǒng)目錄樹結(jié)構(gòu)</p><p><b> 2、目錄操作命令</b></p><p> 在進(jìn)行系統(tǒng)管理時(shí),需要知道當(dāng)前處在哪個(gè)文件(目錄)層,以及如何從文件所在目錄更換到另一個(gè)目錄上。</p><p> ?。?)cd命令:改變當(dāng)前目錄到新的目錄</p><p> 格式:cd 新的目錄路
7、徑</p><p> cd .. 返回上級目錄</p><p> cd . 當(dāng)前目錄</p><p> cd ~ 返回家目錄</p><p> cd / 返回根目錄</p><p> cd /home/shiyan1 返回/home/shiyan1目錄</p><
8、p> (2)pwd命令:顯示當(dāng)前工作目錄</p><p><b> Pwd</b></p><p> ?。?)ls命令:列出目錄內(nèi)容</p><p> 格式: ls [-ltrfda] 目錄路徑名</p><p> ls -l以長格式列出當(dāng)前目錄內(nèi)容</p><p>
9、ls -l/home/shiyan1以長格式列出/home/shiyan1目錄內(nèi)容</p><p> ls -lt /home/shiyan1 以長格式、時(shí)間排序列出/home/shiyan1目錄內(nèi)容</p><p> ls -al /home/shiyan2以長格式列出/home/shiyan2目錄(包含.文件)內(nèi)容</p><p> (4
10、)mkdir命令:創(chuàng)建目錄</p><p> 格式: mkdir [-p] 新的目錄名</p><p> mkdir invert在當(dāng)前目錄下創(chuàng)建invert文件目錄</p><p> mkdir -p /home/shiyan1/temp創(chuàng)建/home/shiyan1/temp目錄,如果父目錄不存在,則創(chuàng)建父目錄</p><p&
11、gt; ?。?)rmdir命令:刪除目錄</p><p> 格式: rmdir [-f] 目錄名</p><p> rmdir invert刪除當(dāng)前目錄文件invert</p><p> rmdir /home/shiyan1/temp刪除/home/shiyan1/temp目錄</p><p> rmdir -f /
12、home/shiyan1/temp 強(qiáng)制刪除/home/shiyan1/temp目錄</p><p> (6)mv命令:更改目錄名</p><p> 格式: mv 舊目錄名 新目錄名</p><p> mv /home/shiyan1 /home/shiyan2</p><p><b> 3、文件操作命令<
13、;/b></p><p> ?。?)cat命令:列出文件內(nèi)容</p><p> 格式: cat [-n] 文件名</p><p> cat /home/shiyan1/myfile 列出/home/shiyan1/myfile文件內(nèi)容</p><p> cat -n /home/shiyan1/myfile列出/h
14、ome/shiyan1/myfile文件內(nèi)容,并給出行號</p><p> (2)cp命令:文件復(fù)制</p><p> 格式: cp [-rf] 舊文件(目錄)名 新文件(目錄)名</p><p> cp /home/shiyan1/myfile /home/shiyan1/myfile-temp 復(fù)制/home/shiyan1/myfile文件為
15、/home/shiyan1/myfile-temp</p><p> cp -rf /home/shiyan1/temp /home/shiyan1/tmp復(fù)制/home/shiyan1/temp目錄為/home/shiyan1/tmp</p><p> ?。?)mv命令:移動(dòng)文件或換名</p><p> 格式: mv 舊文件名 新文件名</p&g
16、t;<p> mv /home/shiyan1/temp /home/shiyan1/tmp將/home/shiyan1/temp換名為/home/shiyan1/tmp</p><p> ?。?)rm命令:刪除文件或目錄</p><p> 格式: rm [-f] 文件(目錄)名</p><p> rm -f /home/shiyan
17、1/tmp 強(qiáng)制刪除/home/shiyan1/tmp目錄</p><p> ?。?)?、*:通配符</p><p> ??? 匹配單個(gè)字符</p><p> *匹配任意目錄字符</p><p> (6)find命令:查找文件</p><p> 格式: find [-option] path –nam
18、e filename [–print]</p><p> find / -name *.jpg 在根目錄中查找所有.jpg的文件,并顯示所有.jpg文件名</p><p> ?。?)grep命令:文件中查找指定內(nèi)容</p><p> 格式: grep [-inR] string 文件名</p><p> grep DRC /h
19、ome/shiyan1/myfile在/home/shiyan1/myfile中查找DRC字符串</p><p> grep -i DRC /home/shiyan1/myfile在/home/shiyan1/myfile中查找DRC字符串,忽略大小寫</p><p> ?。?)more命令:瀏覽文件</p><p> 格式: more 文件名
20、</p><p> more /home/shiyan1/myfile</p><p><b> 4、文件存取權(quán)限</b></p><p> ?。?)ls查看文件權(quán)限</p><p> r 讀權(quán)限w 寫權(quán)限x 執(zhí)行權(quán)限- 無此權(quán)限</p><p> u 用戶主g
21、 用戶組o 其他用戶a 所有用戶</p><p> ?。?)chmod命令:改變文件權(quán)限</p><p> 格式: chmod [-R] mod 文件(目錄)名</p><p> ?。ǘ﹕hell與進(jìn)程</p><p><b> 1、Shell</b></p><p>
22、 Cshell、kshell、bshell、tshell</p><p><b> 2、進(jìn)程</b></p><p> (1)& 后臺進(jìn)程</p><p> ?。?)權(quán)限為x的文件為可執(zhí)行文件</p><p> ?。?)ps命令:查看進(jìn)程信息</p><p> 格式: ps
23、[-options] 進(jìn)程名</p><p> (4)kill命令:終止進(jìn)程</p><p> 格式: kill [-options] 進(jìn)程號</p><p> ?。ㄈ┦褂胿i文本編輯器</p><p> 1、vi編輯器有三種不同的模式:</p><p> 插入模式——這個(gè)模式是通過在命令模式按下“i”鍵
24、進(jìn)入的。</p><p> 命令模式——這是用戶輸入單鍵命令的模式。在其他模式中按下ESC鍵就可以進(jìn)入命令模式。</p><p> 常見的執(zhí)行刪除操作的命令有:</p><p> dd 刪除整個(gè)行</p><p> #dd 按照輸入的數(shù)字(#),從當(dāng)前行刪除幾行</p><p> D 刪除光
25、標(biāo)位置后面全部內(nèi)容</p><p> dw 刪除光標(biāo)所在位置的單詞</p><p> 冒號模式——從命令模式輸入一個(gè)冒號(:)就可以進(jìn)入這個(gè)模式。常見的冒號模式命令有:</p><p> ?。簑q 保存且退出編輯器</p><p> ?。簑 保存但不退出</p><p> ?。簈 退出且不保存</
26、p><p> ?。簈! 強(qiáng)行退出vi,不保存。</p><p> :help 獲取幫助</p><p> 在系統(tǒng)提示符($)下輸入命令vi和想要編輯(建立)的文件名</p><p> vi test.c <enter></p><p> 按鍵I進(jìn)入插入模式。屏幕上看不到字符i,屏幕下方出現(xiàn)--INSE
27、RT--字樣。</p><p><b> 2、常用編輯命令</b></p><p> (1)光標(biāo)移動(dòng):→、←、↑、↓、^(行首)、$(行尾)、w(下一單詞)、b(上一單詞)、W(忽略標(biāo)點(diǎn))、B(忽略標(biāo)點(diǎn))、3B、3W(下3個(gè)單詞)、 n((前n句開頭)、n)(后n句開頭)、H(屏幕頂)、M(屏幕中)、L(屏幕底)、nG(光標(biāo)移動(dòng)到第n行)、G(移動(dòng)到最后一行)、C
28、trl+U(前卷)、Ctrl+D(后卷)、Ctrl+L(清屏)、</p><p><b> ?。?)編輯命令</b></p><p><b> 刪除字符:x</b></p><p> 刪除單詞:dw、DW、3dw</p><p> 刪除行:dd、3dd、d^(刪除行首到光標(biāo))、d$(刪除光標(biāo)到
29、行尾)、d(、d)</p><p> 刪除段:d}(刪除一段)、3d}、d{(刪除段首到光標(biāo))、3d{</p><p><b> ?。?)移動(dòng)正文</b></p><p> ? 將光標(biāo)移動(dòng)到位置x</p><p> ? 用刪除命令刪除要移動(dòng)的正文</p><p> ? 再將光標(biāo)移至新位置y
30、</p><p> ?、?用P或p命令插入新位置</p><p><b> ?。?)查找與替換</b></p><p> /string 查找 n 向下查找 N向上查找</p><p> /string/substring 替換 /g 全部替換</p><p><b>
31、; 三、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容及步驟</b></p><p> ?。ㄒ唬┪募澳夸洸僮?lt;/p><p> 1、打開terminal,返回到根目錄下,列出根目錄內(nèi)容,并依次瀏覽目錄,貼圖填寫表1-1:</p><p> 表1-1 根目錄以下三層結(jié)構(gòu)圖</p><p> 2、在家目錄中創(chuàng)建名為shiyan1的文件夾,查看該文件夾的默認(rèn)權(quán)限
32、,并記錄shiyan1文件夾權(quán)限:</p><p> shiyan1文件夾權(quán)限:drwxr-xr-x</p><p> 將shiyuan1文件夾權(quán)限修改為,同組具有w權(quán)限,其它組無權(quán)限,并將修改后的shiyan1文件夾權(quán)限記錄下來:drwxrwx---</p><p> (同組w權(quán)限、其他組無權(quán)限)shiyan1文件夾權(quán)限:</p><p&
33、gt; mkdir ./shiyan1</p><p><b> ls –rthl</b></p><p> chmod g+w ./shiyan1</p><p> chmod o-r ./shiyan1</p><p> chmod o-x ./shiyan1</p><p><
34、;b> ls -rthl</b></p><p> 3、在家目錄中,使用vi編輯器創(chuàng)建名為myfile的文件,正確輸入以下內(nèi)容,并一截圖方式將結(jié)果粘貼在表1-2.</p><p> /*********************************************************************(40)</p><p&g
35、t; #include <stdio.h></p><p> void my_print(char *);</p><p> void my_print2(char *);</p><p><b> main ()</b></p><p><b> { </b></p&g
36、t;<p> char my_string[] = “hello world”;</p><p> my_print (my_string); </p><p> my_print2 (my_string);</p><p><b> }</b></p><p> void my_print(ch
37、ar *string)</p><p><b> {</b></p><p> printf(“The string is %s\n”, string);</p><p><b> }</b></p><p> void my_print2(char *string)</p>
38、<p><b> { </b></p><p> char *string2; </p><p> int size, I; </p><p> size = strlen (string); </p><p> string2 = (char *) malloc (size + 1); </p
39、><p> for (I = 0; I < size; i++) </p><p><b> {</b></p><p> string2[size – i] = string[i];</p><p><b> } </b></p><p> string2[si
40、ze+1] = ‘\0’; </p><p> printf (“The string printed backward is %s\n”, string2); </p><p> free(string2);</p><p><b> }</b></p><p> 表1-2 myfile文件截圖</p&
41、gt;<p><b> 四、注意事項(xiàng)</b></p><p> 1、本實(shí)驗(yàn)要求獨(dú)立完成,并做好相關(guān)記錄;</p><p> 2、對自己的家目錄維護(hù)好;要求創(chuàng)建temp文件夾,用于保存臨時(shí)文件,保證文件結(jié)構(gòu)清晰合理;</p><p> 3、仔細(xì)閱讀實(shí)驗(yàn)步驟和內(nèi)容;</p><p> 3、請遵守實(shí)驗(yàn)室
42、規(guī)章制度。</p><p> 五、實(shí)驗(yàn)結(jié)果、總結(jié)和思考</p><p> 1、對實(shí)驗(yàn)作出小結(jié),說明收獲和不足;</p><p> 2、分析不足的原因,提出改進(jìn)措施。</p><p><b> 六、實(shí)驗(yàn)環(huán)境和設(shè)備</b></p><p><b> 1、臺式PC機(jī)</b>
43、;</p><p> 2、Linux 5 操作系統(tǒng)平臺</p><p> 實(shí)驗(yàn)二 建立設(shè)計(jì)庫及繪圖技術(shù)</p><p><b> 一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?lt;/b></p><p> 1、掌握Cadence 版圖設(shè)計(jì)的環(huán)境設(shè)置;</p><p> 2、了解圖編輯窗內(nèi)繪制MOS器件的初步技術(shù);<
44、/p><p> 3、熟悉Virtuoso編輯工具。</p><p><b> 二、實(shí)驗(yàn)原理</b></p><p> (一)Cadence版圖設(shè)計(jì)環(huán)境設(shè)置</p><p> 1、在家目錄中建立shiyan2文件夾,用于保存本次試驗(yàn)內(nèi)容;</p><p> 2、將(.cdsinit) 、庫文件
45、(techfile.tf)及顯示初始化文件(display.drf)拷貝至工作目錄shiyan2中;</p><p> 3、啟動(dòng)icfb &</p><p><b> 4、配置工藝庫路徑</b></p><p> 在Library Path Editor中指定工藝庫路徑。該步的操作結(jié)果將保存到工作目錄下的cds.lib文件中。&l
46、t;/p><p> 『注意1』:所有的庫或其他任何一個(gè)設(shè)計(jì)目錄要被3)所啟動(dòng)的CIW所使用,都必須使用前先在工作目錄下的cds.lib文件作定義,指明其引用名稱(在cadence環(huán)境中的標(biāo)識名)及絕對路徑。</p><p> 『注意2』為了能使用Cadence自帶的一些庫(如畫電路圖時(shí)的Basic symbols),需要在cds.lib文件的開頭部分添加 “INCLUDE <工具I
47、C的安裝目錄>/share/cdssetup/cds.lib”。在命令行中輸入instdir可查看工具IC的可執(zhí)行程序所在目錄。</p><p> [例]在線路組ic_linux上命令行模式輸入instdir可得到:/usr/cadence/ic5033/tools.lnx86/dfII,則工具IC的安裝目錄為/usr/cadence/ic5033/,需要添加的內(nèi)容為”INCLUDE /usr/caden
48、ce/ic5033/share/cdssetup/cds.lib”</p><p> 在本次設(shè)計(jì)中工藝庫完全通過techfile.tf提供,需要用technology file manager來導(dǎo)入工藝文件。</p><p> csmc06目錄上傳到 ~/ 目錄下</p><p> (csmc06中包含了n管,p管,電阻,電容以及金屬1與金屬2連接,金屬1與p
49、oly連接等等的pcell,方便以后繪制版圖)</p><p> CIW窗口→Tools→Technology File Manager→NEW 如圖2-1所示</p><p> 圖2-1 Tools→Technology File Manager</p><p><b> 圖2-2 創(chuàng)建庫</b></p><p&
50、gt; 在Technology Library Name中輸入工藝庫的名字, csmc06;在Load ASCII Technology File 中輸入techfile.tf 單擊OK,程序會(huì)將techfile.tf中的數(shù)據(jù)導(dǎo)入至文件夾csmc06中。此時(shí)用Library Path Editor可以查看到剛才添加的庫文件。</p><p> 如果還有其他的庫文件,則在technology file tool
51、 box 中選擇LOAD,在ASCII Technology File輸入框 輸入包含*.tf的文件名(如devices.tf),在Classes多選項(xiàng)里,根據(jù)*.tf 中提供的內(nèi)容以及期望導(dǎo)入的內(nèi)容決定。在Technology Library多選一框里,選擇對應(yīng)的庫。在多選一框下方,有 Merge Replace 二選一,選 Merge則新導(dǎo)入的*.tf庫是補(bǔ)充原有的庫;選Replace則新導(dǎo)入的*.tf將覆蓋對應(yīng)庫的原有內(nèi)容。點(diǎn)擊
52、 OK 按鈕3、開始一個(gè)新的設(shè)計(jì)---編輯電路圖與版圖。</p><p> ?。ǘ┬陆ㄒ粋€(gè)設(shè)計(jì)庫</p><p> 在 CIW 窗口,點(diǎn)擊 File → New → Library 彈出 New Library 窗口. 在 Name 輸入框中輸入設(shè)計(jì)庫名字,在右邊 Technology File 處選擇 Attach to an existing techfile。點(diǎn)擊 OK。 一般每
53、個(gè)芯片設(shè)計(jì)都采用一個(gè)對應(yīng)的設(shè)計(jì)庫。然后在這個(gè)設(shè)計(jì)庫下面創(chuàng)建各個(gè)子模塊。</p><p><b> (三)創(chuàng)建新設(shè)計(jì)</b></p><p> 在 CIW 窗口,點(diǎn)擊 File → New → Cellview, 彈出 Create New File窗口, 在 Create New File窗口,將 Library Name 項(xiàng)選擇為 剛才所創(chuàng)建的庫, 在 Cell
54、 Name 項(xiàng)輸入要?jiǎng)?chuàng)建的Cell 名,在 Tool 項(xiàng),選擇 Composer-Schematic 則為編輯電原理圖,選擇Virtuoso 則為編輯版圖;點(diǎn)擊 OK。</p><p><b> ?。ㄋ模┚庉嫲鎴D</b></p><p> 用3)的方法為一個(gè)cell創(chuàng)建一個(gè)Layout view。用Virtuoso編輯版圖。打開Vituoso編輯窗口的同時(shí),會(huì)彈出一
55、個(gè)細(xì)長型的窗口,其名稱為LSW,該窗口定義了版圖各層的顯示特性。畫版圖的基本操作步驟為:在LSW中選定相應(yīng)層,然后在版圖編輯窗口的Create下選要畫的幾何形狀,再在可編輯區(qū)域完成繪圖。而且可以調(diào)用前面創(chuàng)建的csmc06庫中的pcell。版圖編輯有很多快捷鍵可用。它們的定義都可以在相應(yīng)的菜單項(xiàng)上找到。</p><p> ?。ㄎ澹┛梢愿鶕?jù)習(xí)慣改變版圖的層次顯示特性</p><p> 方法為
56、LSW->Edit->Display Resource Editor;在彈出的窗口中可以重新定義個(gè)層次的顯示特性(邊框線型及顏色、、填充類型及顏色等等);定義之后單擊Apply按鈕,LSW中將發(fā)生相應(yīng)改變。退出Display Resource Editor時(shí)可以選擇保存到Display.drf中,從而使得這次修改在每次icfb&啟動(dòng)之后都能生效;否則,選擇No退出,再次打開LSW后的設(shè)置將恢復(fù)到本次修改之前的形式。&
57、lt;/p><p><b> 三、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容及步驟</b></p><p> ?。ㄒ唬〤adence版圖設(shè)計(jì)環(huán)境設(shè)置</p><p> 1、在家目錄中建立shiyan文件夾,用于保存本次實(shí)驗(yàn)內(nèi)容;</p><p> 2、將(.cdsinit) 、庫文件(techfile.tf)及顯示初始化文件(display.drf)拷
58、貝至工作目錄shiyan中;</p><p> 3、啟動(dòng)icfb &</p><p><b> 4、配置工藝庫路徑</b></p><p> 在Library Path Editor中指定工藝庫路徑。該步的操作結(jié)果將保存到工作目錄下的cds.lib文件中。執(zhí)行l(wèi)s –al命令,將結(jié)果截圖(包含.cdsinit、techfile.t
59、f、display.drf)到表2-1中。</p><p> 表2-1 Cadence版圖設(shè)計(jì)環(huán)境結(jié)果截圖</p><p> 在 CIW 窗口,點(diǎn)擊 File → New → Library 彈出 New Library 窗口。Name 輸入框中輸入設(shè)計(jì)庫名字,在右邊 Technology File 處選擇 Attach to an existing techfile。點(diǎn)擊 OK。
60、一般每個(gè)芯片設(shè)計(jì)都采用一個(gè)對應(yīng)的設(shè)計(jì)庫。然后在這個(gè)設(shè)計(jì)庫下面創(chuàng)建各個(gè)子模塊。如圖2-1所示,創(chuàng)建clock設(shè)計(jì)庫。</p><p> 圖2-3 New Library</p><p> ?。ǘ〢ttach庫</p><p> 在彈出的 Attach Design Library to Technology File 窗口,將 Technology Librar
61、y 一項(xiàng)選擇為相應(yīng)的庫,在本設(shè)計(jì)中應(yīng)為剛才添加的csmc06,點(diǎn)擊 OK。如圖2-4所示。將設(shè)計(jì)庫clock attach到定義的工藝庫csmc06。</p><p> 圖2-4 Attach工藝庫</p><p><b> (三)創(chuàng)建新設(shè)計(jì)</b></p><p> 在 CIW 窗口,點(diǎn)擊 File → New → Cellview,
62、 彈出 Create New File窗口, 在 Create New File窗口,將 Library Name 項(xiàng)選擇為 剛才所創(chuàng)建的庫, 在 Cell Name 項(xiàng)輸入要?jiǎng)?chuàng)建的Cell 名,在 Tool 項(xiàng),選擇 Composer-Schematic 則為編輯電原理圖,選擇 Virtuoso 則為編輯版圖;點(diǎn)擊 OK。如圖2-5所示,</p><p> 圖2-5 New File</p>
63、<p> ?。ㄋ模㎜SW窗口及版圖編輯窗口</p><p> 如圖2-6所示,編輯inverter的layout view。</p><p> 圖2-6 LSW窗口及版圖編輯窗口</p><p><b> ?。ㄎ澹┚庉嫲鎴D</b></p><p> 用3)的方法為一個(gè)cell創(chuàng)建一個(gè)Layout vie
64、w。用Virtuoso編輯版圖。打開Vituoso編輯窗口的同時(shí),會(huì)彈出一個(gè)細(xì)長型的窗口,其名稱為LSW,該窗口定義了版圖各層的顯示特性。畫版圖的基本操作步驟為:在LSW中選定相應(yīng)層,然后在版圖編輯窗口的Create下選要畫的幾何形狀,再在可編輯區(qū)域完成繪圖。而且可以調(diào)用前面創(chuàng)建的csmc06庫中的pcell。版圖編輯有很多快捷鍵可用。它們的定義都可以在相應(yīng)的菜單項(xiàng)上找到。</p><p> 1、生成PMOS的
65、instance,并根據(jù)PMOS模型,重畫2L*2W的PMOS,保存截圖結(jié)果到表2-2</p><p> 表2-2 2L*2W PMOS版圖截圖</p><p> 2、生成NMOS的instance,并根據(jù)PMOS模型,重畫2L*2W的NMOS,保存截圖結(jié)果到表2-3</p><p> 表2-3 2L*2W NMOS版圖截圖</p><
66、p> (五)可以根據(jù)習(xí)慣改變版圖的層次顯示特性</p><p> 方法為LSW->Edit->Display Resource Editor;在彈出的窗口中可以重新定義個(gè)層次的顯示特性(邊框線型及顏色、、填充類型及顏色等等);定義之后單擊Apply按鈕,LSW中將發(fā)生相應(yīng)改變。退出Display Resource Editor時(shí)可以選擇保存到Display.drf中,從而使得這次修改在每次i
67、cfb&啟動(dòng)之后都能生效;否則,選擇No退出,再次打開LSW后的設(shè)置將恢復(fù)到本次修改之前的形式。</p><p> 圖2-7 Display Resource Editor</p><p> 將你的LSW截圖粘貼到表2-4.</p><p><b> 表2-4 LSW</b></p><p><b
68、> 四、注意事項(xiàng)</b></p><p> 1、本實(shí)驗(yàn)要求獨(dú)立完成,并做好相關(guān)記錄;</p><p> 2、仔細(xì)閱讀實(shí)驗(yàn)步驟和內(nèi)容;</p><p> 3、請遵守實(shí)驗(yàn)室規(guī)章制度。</p><p> 五、實(shí)驗(yàn)結(jié)果、總結(jié)和思考</p><p> 1、對實(shí)驗(yàn)作出小結(jié),說明收獲和不足;</p
69、><p> 2、分析不足的原因,提出改進(jìn)措施;</p><p><b> 3、提交實(shí)驗(yàn)報(bào)告。</b></p><p><b> 六、實(shí)驗(yàn)環(huán)境和設(shè)備</b></p><p><b> 1、臺式PC機(jī)</b></p><p> 2、Linux 5 操作
70、系統(tǒng)平臺</p><p> 3、Cadence軟件工具</p><p> 實(shí)驗(yàn)三 Virtuoso 設(shè)計(jì)CMOS反相器版圖</p><p><b> 一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?lt;/b></p><p> 1、了解版圖設(shè)計(jì)有關(guān)命令菜單;</p><p> 2、掌握版圖設(shè)計(jì)常用命令;</p>
71、<p> 3、在版圖編輯窗內(nèi), 應(yīng)用版圖設(shè)計(jì)工具 Virtuoso 進(jìn)行CMOS反相器的版圖設(shè)計(jì);</p><p> 4、學(xué)習(xí)版圖初步設(shè)計(jì)。</p><p><b> 二、實(shí)驗(yàn)原理</b></p><p> Layout窗口介紹:版圖窗口由三部分組成: Icon menu , menu banner , status ba
72、nner,Icon menu (圖標(biāo)菜單)缺省時(shí)位于版圖圖框的左邊,列出了一些最常用的命令的圖標(biāo) ,要查看圖標(biāo)所代表的指令,只需要將鼠標(biāo)滑動(dòng)到想要查看的圖標(biāo)上,圖標(biāo)下方即會(huì)顯示出相應(yīng)的指令。 menu banner(菜單欄),包含了編輯版圖所需要的各項(xiàng)指令,并按相應(yīng)的類別分組。 status banner(狀態(tài)顯示欄),位于 menu banner的上方,顯示的是坐標(biāo)、當(dāng)前編輯指令等狀態(tài)信息。</p><p>
73、 layout選項(xiàng)設(shè)置: layout窗口中選中 Options display,會(huì)出現(xiàn)一個(gè)display選項(xiàng)設(shè)置窗口。將其中的 X snap spacing和 Y snap spacing設(shè)置為 0.01, 然后點(diǎn)“OK”關(guān)掉該設(shè)置窗口。</p><p> 在開始正式的版圖設(shè)計(jì)之前,最好可以先熟悉一下 layout窗口中各個(gè)菜單和圖標(biāo),尤其是各個(gè)編輯功能的使用方法。隨便繪制一些圖形。</p>&
74、lt;p> 以下是已經(jīng)繪制好的反相器版圖設(shè)計(jì),如圖3-1所示:</p><p> 該圖所用的圖層已經(jīng)做了相應(yīng)的標(biāo)注,大家可以觀察一下。版圖中上半部分為一個(gè) PMOS晶體管,下半部分為一個(gè) NMOS晶體管,最上和最下方分別是接通電源(VDD)和地(GND)的金屬連線。</p><p> 可以看到,多晶硅( GT)與有源區(qū)( TO)相交,就形成了一個(gè)晶體管,其中 GT是柵極, &l
75、t;/p><p> 圖3.1 CMOS反相器版圖</p><p> TO層被GT層相隔形成的兩個(gè)方形區(qū)域分別是源極和漏極。這個(gè)晶體管是 NMOS還是PMOS是通過覆蓋有源區(qū)的離子注入層是 SP(P+注入?yún)^(qū),則為 PMOS),還是 SN(N+注入?yún)^(qū),則為NMOS)來進(jìn)行區(qū)別的。</p><p> 而PMOS晶體管或者 NMOS晶體管的三個(gè)極必須有與電源、地之間的
76、連接以及其他連接,才能形成一個(gè)邏輯門,這是通過在有源區(qū)( TO)、多晶硅( GT)上放置接觸孔( W1),連接到金屬層(A1),進(jìn)而實(shí)現(xiàn)連接的。</p><p> 圖3-1 已經(jīng)繪制好的反向器版圖</p><p> 注意:在繪制版圖的過程中,注意多進(jìn)行幾次保存,(快捷鍵 F2,或者菜單中 Design?Save),以免因誤操作或者其他意外使完成的設(shè)計(jì)丟失。</p>&l
77、t;p><b> 三、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容及步驟</b></p><p> 1、畫 pmos部分</p><p> (1)、畫出有源區(qū)在LSW中,點(diǎn)擊選中 TO(dg),注意這時(shí) LSW頂部顯示 TO字樣,說明 TO層為當(dāng)前所選中的繪圖層。然后回到Layout窗口中。</p><p> 點(diǎn)擊 icon menu(窗口左側(cè))中的</p&g
78、t;<p> 點(diǎn)擊 icon menu(窗口左側(cè))中的(或者使用快捷鍵 r,或者使用頂部菜單中的 creat?rectangle),在窗口中畫一個(gè)寬為 3.8u,長為 2.8u的矩形。畫一個(gè)指定尺寸的 rectangle有很多種方法,這里列舉其中的三種:</p><p> A、點(diǎn)后在繪圖區(qū)點(diǎn)鼠標(biāo)左鍵確定方形的第一個(gè)頂點(diǎn),然后斜向上劃出一個(gè)矩形,注意觀察窗口頂部顯示的 dx dy值,當(dāng)改變?yōu)?dx
79、 3.8 dy 2.8時(shí)松開鼠標(biāo)。 </p><p> B、先畫一個(gè)任意尺寸的矩形,然后使用標(biāo)尺 ruler(點(diǎn),或使用快捷鍵 k,或從 creat菜單中選擇)從一個(gè)端點(diǎn)開始量出想要設(shè)定的尺寸,然后使用 stretch命令(快捷鍵 s,或者從 Edit菜單中選擇)改變 rectangle的大小。</p><p> C、先畫一個(gè)任意尺寸的矩形,然后按 ESC鍵從畫 rectangle狀態(tài)
80、回到選擇狀態(tài),用鼠標(biāo)左鍵點(diǎn)矩形的邊框,選中該矩形(變?yōu)榘咨?,然后按快捷鍵 p(或 edit菜單中選 properties選項(xiàng)),從出現(xiàn)的屬性設(shè)置窗口中設(shè)置頂點(diǎn)坐標(biāo),從而得到想要的尺寸。</p><p> 圖3-2 柵與與有源區(qū)的位置關(guān)系</p><p> (2)、畫柵在LSW中,點(diǎn)擊 GT(dg),畫矩形。與有源區(qū)的位置關(guān)系如圖3-2所示: </p><p>
81、; 可以先畫出一個(gè)寬度為 0.6u的矩形,然后從有源區(qū)的一條邊量出 1.6u的距離,然后選中 GT矩形,使用move命令(快捷鍵m,或edit菜單),將其移動(dòng)到想要放置的位置。</p><p> ?。?)畫注入?yún)^(qū)和N阱</p><p> 一個(gè)完整的PMOS晶體管在有源區(qū)之外,還應(yīng)該有 P+離子注入?yún)^(qū)和 N阱。分別對應(yīng) SP和 TB層。所以需要在剛才圖形的基礎(chǔ)上添加一個(gè)SP層的矩形,這一
82、矩形需要從 TO的矩形向外延伸至少0.6u。接著,我們還要再使用 TB層畫一個(gè)矩形,它至少需要從 SP矩形向外延伸 1.8u。如圖3-3所示:</p><p> 圖3-3 注入?yún)^(qū)和阱</p><p> 這樣,一個(gè) pmos的版圖就大致完成了。接著我們要給這個(gè)管子布線。</p><p> ?。?)布線 pmos管必須連接到輸入信號源和電源上,因此我們必須在原圖基
83、礎(chǔ)上布金屬線。如圖3-4。</p><p> a、首先我們要完成有源區(qū)(源區(qū)和漏區(qū))的連接。在源區(qū)和漏區(qū)上用 W1(dg)層畫contact接觸孔,尺寸為 0.6u乘0.6u的矩形。</p><p> b、我們需要使用多個(gè)通孔,但沒有必要每個(gè)都畫一遍,可以使用 copy命令(選中通孔后按快捷鍵 c,或者使用 edit菜單),將一個(gè)通孔拷貝為多個(gè)。</p><p>
84、; c、將兩個(gè) contact上下對齊擺放,間距為 0.8u, 然后用金屬層 A1畫一個(gè)寬為 1.2u的矩形,覆蓋在 contact上,注意兩邊延伸出去的金屬都為 0.3u。然后將該金屬和 contace的組合復(fù)制一份,分別放在源區(qū)和漏區(qū),注意 contact到 GT的最小距離為0.6u。</p><p> 圖3-4 布線PMOS管</p><p> 布線完畢后的版圖如圖3-5所示
85、:</p><p> 圖3-5 布好線的PMOS管</p><p> (5)熟悉make cell 和flatten。</p><p> 按ESC鍵回到選擇狀態(tài),然后按住鼠標(biāo)左鍵圈選畫好的全部版圖,然后使用 Edit|Hierarchy|make cell, 在出現(xiàn)的對話框中cell一欄輸入pmos,這樣,就建立了一個(gè)新的 cell, cell名稱為pmos。
86、可以使用library manager查看test1庫中的變化。</p><p> 注意:這個(gè)時(shí)候 inv_1 版圖窗口中前面所繪制的版圖,變成了對 cell pmos的一個(gè)調(diào)用,如果不想保持這種調(diào)用關(guān)系,可以選中這個(gè) instance, 然后用Edit|Hierarchy|flatten來去除與pmos cell之間的調(diào)用關(guān)系。</p><p> 2、畫 NMOS部分</p&g
87、t;<p> 我們注意到,其實(shí) NMOS可以從 PMOS的版圖中修改得到,這樣就沒有必要再從零開始來畫NMOS了。</p><p> ?。?)、在inv_1的layout窗口中按快捷鍵i(或使用 create instance),在窗口中輸入 Library: test1 Cell: pmos View: layout,或者點(diǎn)“browse”,然后在出現(xiàn)的窗口中依次選中 test1,pmos,la
88、yout,然后點(diǎn)“close”,可以達(dá)到跟上面直接輸入同樣的效果。</p><p> 然后點(diǎn)“ hide”,會(huì)看到一個(gè)黃色的圖形出現(xiàn),在layout窗口中合適的位置上點(diǎn)擊鼠標(biāo)左鍵,就添加了一個(gè) pmos的instance,如圖3-6所示,然后按ESC鍵,結(jié)束添加 instance命令,回到選擇狀態(tài)。</p><p> 然后選中這個(gè) instance, 用Edit|Hierarchy|f
89、latten來進(jìn)行flatten。這時(shí),該部分圖形中的每個(gè)層又可以單獨(dú)進(jìn)行編輯了。</p><p> ?。?)、選中該部分中的 NWELL層,刪除(del 鍵),然后選中SP層,按快捷鍵 q(或使用Edit Properties),在出現(xiàn)的窗口中將 layer一欄由SP改為SN,如圖3-7所示。</p><p> 圖3-6 添加了一個(gè) pmos的instance</p>
90、<p> 這時(shí),一個(gè) NMOS晶體管已經(jīng)完成了,但我們?yōu)榱藢?PMOS、NMOS的寬度比改為 2:1,再進(jìn)行一下修改,將 NMOS晶體管的寬度改為 1.4u??梢酝ㄟ^刪除和 stretch命令,來達(dá)到修改的目的。</p><p> 將橫向并排的兩個(gè) contact刪除掉,然后按快捷鍵 s(或者使用 Edit?Stretch),進(jìn)入 stretch命令狀態(tài)。在 nmos圖形的左側(cè)開始,按鼠標(biāo)左鍵,框選
91、住下半部分,即劃出一個(gè)如圖3-8所示的黃框:</p><p> 圖3-8 stretch命令狀態(tài)</p><p> 松開鼠標(biāo)左鍵,把鼠標(biāo)移回到 nmos下方,然后再點(diǎn)一次鼠標(biāo)左鍵,松開后上下移動(dòng)鼠標(biāo),會(huì)發(fā)現(xiàn)下半部的圖形隨之移動(dòng)。這時(shí)如果原先設(shè)定了一個(gè)標(biāo)尺,可以將其精確的移動(dòng)到想要移動(dòng)的位置;或者在沒有標(biāo)尺可以參照的情況下,也可以計(jì)算一下想要移動(dòng)的距離,例如這里是需要向上移動(dòng) 1.4u
92、,那么可以按F3鍵,然后在彈出的窗口中“ Y”那一欄輸入 1.4,然后點(diǎn)“ Apply XY”,“Hide”,也可以達(dá)到移動(dòng)的目的,如圖3-9所示。</p><p> 3、完成反相器版圖。</p><p> 在完成了PMOS和NMOS的版圖后,還需要做一些工作來完成整個(gè)反相器的版圖。主要包括完成電源、地線、輸出節(jié)點(diǎn)的連接、添加 NWELL和襯底接地的TAP、添加label來作為pin的
93、標(biāo)記。</p><p> ?。?)pmos的N阱(N well)必須連接到vdd,NMOS的襯底必須連到 GND。這是通過在其上放置有源區(qū),并連接到 VDD或者GND上來實(shí)現(xiàn)的。首先,畫一個(gè) 1.4u乘1.4u的TO矩形;然后把這個(gè)矩形包圍一層 SN層(從TO矩形向外延伸 0.6u)。在中間畫一個(gè) contact(W1層),并用金屬 1(A1層)覆蓋住。尺寸如圖3-10所示。</p><p&g
94、t; 圖3-9 修改stretch尺寸 圖3-10 繪制襯底觸孔</p><p><b> ?。?)連接電源</b></p><p> 在PMOS版圖上放畫一條寬為 3u的金屬w1,并與PMOS的源極相接,將前面畫好的 PTAP也連接到這跟電源線上,并將原 TB矩形拉長,包住PTAP。選中圖層A1TE
95、XT,按快捷鍵l(或create?label),添加一個(gè) label。在出現(xiàn)的對話框中 label一欄填入“VDD!”,然后點(diǎn) “hide”,將label放置到電源線上。如圖3-11所示:</p><p> 圖3-11 PMOS與VDD的連接</p><p> 最后將PMOS的N阱(TB層)的矩形拉長,包住該部分。</p><p> (3)對NMOS部分進(jìn)行類
96、似的處理,只是添加的 TAP中將SP層改為SN層(可以copy后修改該圖層的屬性);添加的label名稱改為“ GND!”</p><p> ?。?)連接輸入輸出節(jié)點(diǎn)</p><p> 使用金屬將PMOS、NMOS的漏極連接起來,并在金屬上添加 label “out”。添加一個(gè)poly contact(用TG層畫一個(gè)1.4u * 1.4u的矩形,中間放置一個(gè) contact),在連接?xùn)艠O
97、的金屬上添加 label “in”。實(shí)驗(yàn)完成。</p><p> 將完成的反相器結(jié)果截圖粘貼在圖3-12。</p><p> 圖3-12 反相器版圖</p><p><b> 四、注意事項(xiàng)</b></p><p> 1、本實(shí)驗(yàn)要求獨(dú)立完成,并做好相關(guān)記錄;</p><p> 2、對自己
98、的家目錄維護(hù)好;要求創(chuàng)建temp文件夾,用于保存臨時(shí)文件,保證文件結(jié)構(gòu)清晰合理;</p><p> 3、仔細(xì)閱讀實(shí)驗(yàn)步驟和內(nèi)容;</p><p> 4、請遵守實(shí)驗(yàn)室規(guī)章制度。</p><p> 五、實(shí)驗(yàn)結(jié)果、總結(jié)和思考</p><p> 1、對實(shí)驗(yàn)作出小結(jié),說明收獲和不足;</p><p> 2、分析不足的原
99、因,提出改進(jìn)措施。</p><p><b> 六、實(shí)驗(yàn)環(huán)境和設(shè)備</b></p><p><b> 1、臺式PC機(jī)</b></p><p> 2、Linux 5 操作系統(tǒng)平臺</p><p> 3、Cadence軟件工具</p><p> 實(shí)驗(yàn)四 CMOS門電路版
100、圖設(shè)計(jì)</p><p><b> 一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?lt;/b></p><p> 1、了解CMOS數(shù)字電路的版圖設(shè)計(jì)基本規(guī)則;</p><p> 2、掌握CMOS邏輯門電路的版圖設(shè)計(jì)方法和技巧;</p><p> 3、進(jìn)一步熟悉使用Cadence工具;</p><p><b> 二、實(shí)
101、驗(yàn)原理</b></p><p> 和反相器一樣,傳輸門也是CMOS電路的基本單元。傳輸門包含一個(gè)PMOS管和一個(gè)NMOS管,和反相器的區(qū)別在于:傳輸門由一個(gè)PMOS和一個(gè)NMOS并聯(lián)而成,而且兩個(gè)器件的柵極分別接到CP和。此外,傳輸門是雙向開關(guān),輸入輸出可以互換。由于傳輸門包含的管子和反相器一樣,其版圖可以采用畫反相器的方法進(jìn)行。但是PMOS管和NMOS管的柵極各自獨(dú)立,不能共用一條多晶硅。由于傳輸
102、門的兩個(gè)器件并聯(lián),PMOS管的源S端和NMOS的漏D端連接,PMOS的漏D端和NMOS的源S端連接,用金屬層實(shí)現(xiàn)連接,成為傳輸門的輸入輸出。</p><p> 注意:如果把傳輸門單獨(dú)制成集成電路,PMOS管襯底必須連接到VDD,NMOS管襯底必須連接到VSS。因?yàn)閺膫鬏旈T的電路圖可見,電源電壓是通過PMOS管和NMOS管的襯底加到傳輸門上的,否則,傳輸門就沒有接通電源。按上述要求畫出的CMOS傳輸門的版圖如圖4
103、-1所示。</p><p> 圖4-1 CMOS傳輸門版圖 圖4-2 反相器和傳輸門組合的版圖</p><p> 當(dāng)傳輸門和其它電路集成在一起,例如,傳輸門與反相器結(jié)合,由反相器為傳輸門提供信號,在這個(gè)電路中,傳輸門和反相器共用襯底連接,傳輸門的襯底接觸可以省略不畫,,版圖如圖4-2所示。圖中VDD和VSS金屬導(dǎo)線的右邊都是空的,按理可以在VSS線下多畫幾個(gè)襯底觸孔
104、,在VSS線右邊再畫一個(gè)接觸孔。這涉及版圖設(shè)計(jì)技巧。</p><p> 版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則:版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則可看作是對光刻掩模版制備要求。這些規(guī)則在生產(chǎn)階段為電路設(shè)計(jì)師和工藝工程師提供了一種必要的信息聯(lián)系。與版圖規(guī)則相聯(lián)系的主要目標(biāo)是獲得有最佳成品率的電路,而幾何尺寸則盡可能地小,又不影響器件電路的可靠性。 集成電路的版圖設(shè)計(jì)規(guī)則通常有多種方法來描述,其中包括以微米分辨率來規(guī)定的微米規(guī)則和以特征尺寸為基準(zhǔn)的λ規(guī)則
105、。 </p><p> 表4-1 N阱硅柵工藝的部分工藝層</p><p> 幾何設(shè)計(jì)規(guī)則: 表4-2為N阱層相關(guān)的設(shè)計(jì)規(guī)則及其示意圖(圖4-3所示) </p><p> 表4-2為N阱層相關(guān)的設(shè)計(jì)規(guī)則</p><p> 圖4-3 N阱層先關(guān)設(shè)計(jì)規(guī)則示意圖 圖4-4 P+、N+有源區(qū)層相關(guān)的設(shè)計(jì)規(guī)則示意
106、圖</p><p> 表4-3為P+、N+有源區(qū)層相關(guān)的設(shè)計(jì)規(guī)則,示意圖如圖4-4所示。</p><p> 表4-3 P+、N+有源區(qū)層相關(guān)的設(shè)計(jì)規(guī)則</p><p> 表4-4為Poly層相關(guān)的設(shè)計(jì)規(guī)則,示意圖如圖4-5所示。 </p><p> 表4-4 Poly層相關(guān)的設(shè)計(jì)規(guī)則</p><p> 圖
107、4-5 Poly層相關(guān)的設(shè)計(jì)規(guī)則示意圖 圖4-6 Contact層相關(guān)的設(shè)計(jì)規(guī)則示意圖</p><p> 表4-5為Contact層相關(guān)的設(shè)計(jì)規(guī)則,示意圖如圖4-6所示。 </p><p> 表4-5 Contact層相關(guān)的設(shè)計(jì)規(guī)則</p><p> 表4-6為Metal層相關(guān)的設(shè)計(jì)規(guī)則,示意圖如圖4-7所示。 </p>&l
108、t;p> 表4-6 Metal層相關(guān)的設(shè)計(jì)規(guī)則</p><p> 圖4-7 Metal層相關(guān)的設(shè)計(jì)規(guī)則示意圖 圖4-8 Pad層相關(guān)的設(shè)計(jì)規(guī)則示意圖</p><p> 表4-7為Pad層相關(guān)的設(shè)計(jì)規(guī)則,示意圖如圖4-8所示。</p><p> 表4-7 Pad層相關(guān)的設(shè)計(jì)規(guī)則</p><p&
109、gt;<b> 三、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容及步驟</b></p><p> 1、新建視圖為Virtuoso的版圖,名為tran_1;</p><p> 2、PMOS管制作在N阱中,N阱制作在P型襯底上,采用多晶硅柵,如圖4-9所示;為器件打上Label。</p><p> 圖4-9 PMOS管制作在N阱中 圖4-
110、10 NMOS管制作在P型襯底中</p><p> 3、NMOS管直接制作在P型襯底上,采用多晶硅柵,如圖4-10所示;為器件打上Label。</p><p> 4、完成傳輸門與反相器組合的版圖,如圖4-2所示。</p><p> 5、將完成的傳輸門版圖截圖粘貼為圖4-11;將完成的傳輸門與反相器組合的版圖截圖粘貼為表4-12。</p><
111、;p> 圖4-11 傳輸門版圖</p><p> 圖4-12 傳輸門與反相器組合的版圖</p><p><b> 四、注意事項(xiàng)</b></p><p> 1、本實(shí)驗(yàn)要求獨(dú)立完成,并做好相關(guān)記錄;</p><p> 2、對自己的家目錄維護(hù)好;要求創(chuàng)建temp文件夾,用于保存臨時(shí)文件,保證文件結(jié)構(gòu)清晰合理
112、;</p><p> 3、仔細(xì)閱讀實(shí)驗(yàn)步驟和內(nèi)容;</p><p> 3、請遵守實(shí)驗(yàn)室規(guī)章制度。</p><p><b> 五、總結(jié)和思考</b></p><p> 1、對實(shí)驗(yàn)作出小結(jié),說明收獲和不足;</p><p> 2、分析不足的原因,提出改進(jìn)措施。</p><
113、p><b> 六、實(shí)驗(yàn)環(huán)境和設(shè)備</b></p><p><b> 1、臺式PC機(jī);</b></p><p> 2、Linux 5 操作系統(tǒng)平臺;</p><p> 3、Cadence軟件工具。</p><p> 實(shí)驗(yàn)五 版圖DRC/LVS驗(yàn)證</p><p&g
114、t;<b> 一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?lt;/b></p><p> 1、了解版圖設(shè)計(jì)DRC/LVS驗(yàn)證的基本規(guī)則和驗(yàn)證方法;</p><p> 2、掌握版圖DRS/LVS驗(yàn)證技術(shù)和技巧。</p><p><b> 二、實(shí)驗(yàn)原理</b></p><p> 5.2.1 版圖驗(yàn)證項(xiàng)目包括五項(xiàng)(如圖5-1所示
115、)</p><p> 圖5-1 版圖驗(yàn)證過程</p><p> (1) DRC (Design Rule Check) 設(shè)計(jì)規(guī)則檢查。</p><p> (2) ERC(Electrical Rule Check) 電學(xué)規(guī)則檢查。</p><p> (3) LVS(Layout Versus Schemati) 版圖和電路圖一
116、致性比較</p><p> (4) LPE(Layout Parameter Extruction) 版圖寄生參數(shù)提取</p><p> (5) PRE(Parasitic Resistance Extruction) 寄生電阻提取</p><p> 其中,DRC和LVS是必做的驗(yàn)證,其余為可選項(xiàng)目。凡做過DRC和LVS驗(yàn)證的版圖設(shè)計(jì),基本上能一次流片成功
117、。</p><p> 5.2.2 Cadence軟件包含兩種驗(yàn)證工具:Diva和Dracula</p><p><b> 1. Diva</b></p><p> 是與版圖編輯器完全集成的交互式驗(yàn)證工具集,它嵌入在Cadence的主體框架中,屬于在線驗(yàn)證工具,在版圖設(shè)計(jì)過程中能夠隨時(shí)迅速啟動(dòng)Diva驗(yàn)證。</p><
118、p> 有速度較快、使用方便的特點(diǎn)。</p><p> 在運(yùn)行 Diva前,事先要準(zhǔn)備驗(yàn)證的規(guī)則文件。</p><p> 2. Dracula</p><p> 有運(yùn)算速度快,功能強(qiáng)大,能驗(yàn)證和提取較大電路的特點(diǎn),一般在交付制版之前都用Dracula驗(yàn)證產(chǎn)品來發(fā)現(xiàn)設(shè)計(jì)錯(cuò)誤。但驗(yàn)證過程要復(fù)雜一些。</p><p> 做DRC選用D
119、iva,完成后用 Dracula運(yùn)行LVS。</p><p> 用Dracula進(jìn)行版圖驗(yàn)證過程包括的過程如圖5-2所示: </p><p> 圖5-2 Dracula版圖驗(yàn)證過程 </p><p> (1) 建立規(guī)則文件(Rule File)</p><p> (2) 編譯規(guī)則文件</p><p> (3
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