硅對雷竹抗旱性的影響研究.pdf

1、以雷竹（Phyllostachys violascens）苗為試驗材料，用PEG6000(聚乙二醇6000，滲透勢為-0.3MPa)模擬干旱脅迫條件，研究硅對于干旱脅迫下雷竹的生長、光合作用、活性氧自由基及其防御系統(tǒng)、滲透調(diào)節(jié)物質(zhì)積累的變化以及對葉綠體和線粒體超微結(jié)構(gòu)的影響。分析施硅對干旱脅迫下雷竹生理生化性狀的影響，探討施硅對雷竹抗旱性的影響機理。主要研究結(jié)果如下:
　　 通過對不同梯度的硅濃度(0mM(CK)，1.8mM，3

2、.6mM，5.4mM，7.2mM，9mM）處理下水培雷竹苗生物量和硅含量隨時間的變化的研究。結(jié)果表明，在施硅后6個月內(nèi)，不同濃度硅處理下雷竹生物量增加量沒有顯著性差異，隨著施硅量的增加，雷竹葉片中硅含量也隨之增加。施硅6個月以后，5.4mM的硅濃度達到生物量增加最大值，與對照有顯著差異。在高濃度硅（7.2mM和9mM）處理時，雷竹生物量增加量有下降趨勢。6個月后，3.6mM，5.4mM，7.2mM和9mM外部硅濃度的雷竹水培苗在硅含量上

3、沒有顯著差異性。在施硅處理6個月后，不同處理的雷竹水培苗的硅含量會達到一個穩(wěn)定數(shù)值。雷竹水培苗最適宜生長的硅含量為5.4mM。
　　 加硅使干旱脅迫下的雷竹體內(nèi)的硅含量顯著提高。且在不同部位的分布為:葉＞稈＞根。
　　 PEG脅迫的條件下，雷竹苗的生長和光合作用受到顯著的抑制。加硅提高了干旱脅迫下雷竹苗的鮮重，雷竹苗凈光合速率(Pn)、蒸騰速率(Tr)、水分利用率(WUE)、氣孔導(dǎo)度(gs)和氣孔限制值(Ls)較單一的P

4、EG處理均顯著升高，細胞間隙CO2濃度則顯著下降。干旱脅迫條件下，雷竹葉綠素含量、chl a和chl b含量均顯著下降，加硅能緩解干旱脅迫對葉綠素含量、chl a和chl b影響。
　　 干旱脅迫下，雷竹葉片的膜質(zhì)過氧化產(chǎn)物——丙二醛(MDA)含量升高。加硅處理后MDA含量顯著下降。干旱脅迫下活性氧自由基及其防御系統(tǒng)之間的平衡被打破，雷竹苗超氧化物歧化酶(SOD)、過氧化物酶(POD)和過氧化氫酶(CAT)活性發(fā)生明顯變化。干旱

5、脅迫使SOD酶活性下降，加硅后其活性上升;POD酶活性顯著上升，加硅后顯著下降;CAT酶活性下降，加硅后其活性上升。
　　 干旱脅迫下，雷竹體內(nèi)的滲透調(diào)節(jié)物質(zhì)可溶性糖和脯氨酸含量顯著上升，加硅處理后，各自的含量的顯著下降。
　　 干旱脅迫下，與對照相比，雷竹苗的葉綠體和線粒體超微結(jié)構(gòu)都發(fā)生明顯變化，葉綠體膨脹，基質(zhì)片層結(jié)構(gòu)膨脹松散，排列方向稍有絮亂，質(zhì)壁分離現(xiàn)象明顯。相比較下，施硅改善了干旱脅迫下雷竹苗的葉綠體和線粒體超