28870.摻雜缺陷的一維異質(zhì)雙周期光子晶體在外部應(yīng)力、磁場(chǎng)作用下缺陷模的特性研究

1、圖書分類號(hào)圖書分類號(hào)O431431密級(jí)密級(jí)非密非密UDCUDC注1530530碩士學(xué)位論文摻雜缺陷的一維異質(zhì)雙周期光子晶體在外部應(yīng)力、磁場(chǎng)作用下缺陷模的特性研究牛永賓牛永賓（作者姓名）（作者姓名）指導(dǎo)教師（姓名、職稱）指導(dǎo)教師（姓名、職稱）許麗萍許麗萍教授教授申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別理學(xué)碩士學(xué)位理學(xué)碩士學(xué)位專業(yè)名稱專業(yè)名稱凝聚態(tài)物理凝聚態(tài)物理論文提交日期論文提交日期______20142014______年______4______月_

2、_____1010______日論文答辯日期論文答辯日期______20142014______年______5______月________2424____日學(xué)位授予日期學(xué)位授予日期________________年____________月____________日論文評(píng)閱人論文評(píng)閱人__________________________王志斌王志斌__________________________答辯委員會(huì)主席答辯委員會(huì)主席___

3、_______________郜江瑞郜江瑞__________________________年月日中北大學(xué)學(xué)位論文摘要本論文采用傳輸矩陣的方法研究了以下三個(gè)方面的內(nèi)容：1、研究了摻雜缺陷的一維異質(zhì)雙周期光子晶體缺陷模的特性，包括光子晶體缺陷模隨缺陷層位置、缺陷層光學(xué)厚度、缺陷層折射率、缺陷層的層數(shù)的變化規(guī)律。研究表明：此光子晶體可以在1180nm1480nm處形成較寬的光子禁帶，并且由于缺陷層的參雜，在中心波長(zhǎng)1310nm處產(chǎn)生一個(gè)缺

4、陷模，由此可以用作光纖的纖芯材料，同樣也可以用來制作濾波器。2、在考慮材料吸收的情況下研究摻雜缺陷的一維異質(zhì)雙周期光子晶體在應(yīng)力作用下缺陷模的特性。研究表明：當(dāng)在軸向方向上對(duì)光子晶體施加外應(yīng)力時(shí)，光子晶體缺陷模將向波長(zhǎng)小的方向移動(dòng)，并且應(yīng)力越大向波長(zhǎng)小的方向移動(dòng)距離越大；缺陷模透射峰的峰值大小和半高寬保持不變，即與外應(yīng)力的變化無(wú)關(guān)；當(dāng)消光系數(shù)增大或者有效彈光系數(shù)增大時(shí)，介觀壓光系數(shù)的絕對(duì)值都將會(huì)減小，即缺陷模透射率對(duì)應(yīng)力的變化越來越不敏

5、感。這在一個(gè)方面為高靈敏應(yīng)力傳感器的設(shè)計(jì)提供了理論上的參考。3、研究了摻雜缺陷的一維異質(zhì)雙周期光子晶體在外磁場(chǎng)作用下缺陷模的特性。首先研究磁光半導(dǎo)體層的介電常數(shù)（折射率）隨外磁場(chǎng)的變化規(guī)律，進(jìn)而利用傳輸矩陣法研究該結(jié)構(gòu)缺陷模的透射率隨外磁場(chǎng)的變化規(guī)律。研究結(jié)果表明：在選取合適的材料參數(shù)和結(jié)構(gòu)參數(shù)條件下，可實(shí)現(xiàn)缺陷模透射率與磁場(chǎng)的相關(guān)性，獲得受磁場(chǎng)調(diào)控的缺陷模透射率，從而該結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用于窄帶濾波器的磁控開關(guān)。作為一種全新的材料，一種可以實(shí)