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1、西安電子科技大學(xué)碩士學(xué)位論文0.25μmCMOS工藝中ESD關(guān)鍵技術(shù)研究姓名：聶志強申請學(xué)位級別：碩士專業(yè)：微電子學(xué)與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師：劉紅俠20070101Abstract舡thetechnologyscaleddown，someadvancedprocesstechnologieshavebeendevelopedtoensurebetterperformance，whichalsocausesomereliabilityprob
2、lemstochipespeciallycauseastrongnegativeeffectontherobustnessofelectrostatlcdischargeprotectioncircuit，whichisusedtobeeffectiveforchipWhiledesi印theinput／outputandESDprotectioncircuitsofaDSP(digitalsignalprocessin曲chip，as
3、tandardinput／outputcell，whichcouldsatisfythedifferentdrivencullrentrequirement，isadoptedtodecreasethedesignperiodWhiletesting，thiscellonlybypasseslowerESDcurrentandthenfailsForincreasingtheESDrobustnessoftheDSPIC，theprio
4、rstandardinput／outputshouldbeoptimized，oranewefficientESDprotectionstructureshouldbeusedInthispaper，severalcommonESDprotectionstructureandDynamicFloatingGateCouplestructurepatentareinvestigatedBasedOnChartered025∥mCMOSte
5、chnologyanoptimizedprotectioncircuitstructure1sdeveloped，whichabsorbtheadvantageofthepatentThisESDprotectionstructurehastheadvantage0fbothgatecoupleNMOSstructureandsubstratetriggeringNMOSstructureandusesapolyresistortodi
6、videtheoutputbuffercircuitandESDcircuittoprovideefficientprotectionfortheoutputcircuitSomecriticallayoutdesignISprovidedtoensurelowertrigger／clampvoltageanduniformcurrentdistributionTheoptimizedESDprotectioncircuithaspas
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