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1、PIN型硅半導(dǎo)體探測(cè)器以其優(yōu)異的抗輻照性能在核物理實(shí)驗(yàn)研究中具有廣泛的應(yīng)用。但所有半導(dǎo)體探測(cè)器在受高能粒子輻射時(shí)，都會(huì)在半導(dǎo)體材料中產(chǎn)生各種輻射損傷缺陷，對(duì)探測(cè)器的性能產(chǎn)生不利的影響，如：分辨率下降，正反向電阻的下降，漏電流增大，非線性度增加等。 本文主要針對(duì)一種新型的PIN硅半導(dǎo)體探測(cè)器的相關(guān)物理性質(zhì)開展一系列理論和實(shí)驗(yàn)的研究。實(shí)驗(yàn)研究了各種粒子對(duì)半導(dǎo)體探測(cè)器的輻射損傷機(jī)理；討論了輻射損傷的微觀缺陷影響探測(cè)器宏觀的電參數(shù)的機(jī)理
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