多層片式PTC元件用細晶陶瓷的研究.pdf

1、隨著科學技術(shù)的迅速發(fā)展，電子元元件的小型化、片式化已經(jīng)成為趨勢。PTCR熱敏電阻也必須朝著多層、片式化的方向發(fā)展。要制備高性能的多層片式PTC元件，首先需要制備得到晶粒尺寸1-2μm同時具有良好PTC性能的細晶陶瓷。本文主要圍繞著減小PTC陶瓷的晶粒尺寸同時盡可能降低瓷體電阻率開展研究工作。
　　 本研究以水熱法粉體和固相法粉體為原料，研究施受主摻雜、預(yù)燒溫度、燒結(jié)溫度等因素與陶瓷晶粒尺寸的關(guān)系。通過調(diào)整施受主摻雜濃度，提高預(yù)燒

2、溫度，降低燒結(jié)溫度，添加玻璃相等方法減小陶瓷的晶粒尺寸。流延法是一種陶瓷成型方法，它具有可連續(xù)操作、生產(chǎn)效率高、適合大規(guī)模生產(chǎn)的優(yōu)點。為了更貼近多層片式PTC元件制備的實際需要，在壓制成型材料組分研究的基礎(chǔ)上，本文對流延法成型制備PTC細晶陶瓷進行了研究。
　　 采用水熱法粉體作為原料制備的陶瓷半導化良好，升阻比在104以上。其平均晶粒尺寸為2-5μ。由于水熱法粉體存在鋇鈦比失衡，雜質(zhì)較多的缺點。實驗結(jié)果表明進一步減小其晶粒尺寸