Zn-,1-x-Cr-,x-O稀磁半導體薄膜的制備和性能研究.pdf

1、稀磁半導體(Diluted Magnetic Semiconductors，DMS)材料兼?zhèn)浯判院桶雽w特性，同時利用了電子的電荷和自旋屬性，具有優(yōu)異的磁、磁光、磁電等性能，在材料科學和未來自旋電子器件領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。當今，以第三代寬禁帶半導體ZnO為支撐的稀磁半導體材料成為研究的熱點之一，這是因為ZnO不但具有優(yōu)良的綜合特性和廣泛的應(yīng)用，而且有望得到居里溫度很高的稀磁半導體。 本論文首先對稀磁半導體薄膜材料的基本性質(zhì)、

2、物理性質(zhì)、物理機制和當前的研究進展、制備方法和測試手段作了綜述；然后，分別制備了金屬Cr薄膜、本征ZnO半導體薄膜和Zn<,1-x>Cr<,x>O稀磁半導體薄膜；最后，對Zn<,1-x>Cr<,x>O薄膜的的微觀結(jié)構(gòu)、成份、價態(tài)、磁輸運性能以及電輸運性能等進行了系統(tǒng)研究。 通過做了一系列單一條件實驗，我們分別采用射頻磁控濺射法和直流濺射法制備了高c軸取向的ZnO薄膜和金屬Cr薄膜，系統(tǒng)地研究沉積工藝對薄膜晶體結(jié)構(gòu)的影響，利用了X