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1、本論文研究了可控制備了氧化鋁模板,包括對(duì)納米孔的直徑大小及孔深的有效控制。用電沉積法在納米孔中沉積催化劑鈷。該模板用C2H2作碳源CVD法制備納米碳管時(shí),納米孔底的鈷起著催化的作用,從孔底生長(zhǎng)出納米碳管。由于孔的限制作用,氧化鋁模板中的納米碳管垂直于基底生長(zhǎng)。通過沉積時(shí)間的改變可在納米孔的底部沉積不同量的鈷,并研究了鈷沉積量對(duì)納米碳管生長(zhǎng)的影響。CVD法實(shí)驗(yàn)表明,在一定的沉積條件下會(huì)使每個(gè)納米孔中擁有多顆Co催化劑,能生長(zhǎng)出直徑小于模板
2、的納米孔、并保持直徑均勻分布的竹節(jié)狀的納米碳管膜。 納米碳管長(zhǎng)出氧化鋁模板外后,由于失去了納米孔的限制作用,就會(huì)失去其原有的定向性。為了重新得到定向性好的納米碳管膜,必須切除孔外的納米碳管,為此對(duì)已制備的此類納米碳管膜進(jìn)行了超聲處理。實(shí)驗(yàn)結(jié)果證明,隨著超聲時(shí)間的延長(zhǎng),頂部納米碳管會(huì)逐漸被截去,從而重新得到模板中定向性很好的納米碳管膜。此外,作者還實(shí)現(xiàn)了將生長(zhǎng)在鋁基板上的定向納米碳管膜與鋁基底從其底部分離,并將其反過來作為納米碳管
3、膜的工作面使用,這樣可以得到包含定向納米碳管的非常平整的上表面,有利于復(fù)合膜的制備和進(jìn)一步的應(yīng)用制備。 通過化學(xué)修飾制備了接枝十二胺的單壁納米碳管,其在溶液中的分散性和聚合物的相容性有了明顯的改善。制備了單壁納米碳管/酞菁氧肽復(fù)合光電導(dǎo)材料,并以其為載流子產(chǎn)生層制備雙層感光體,通過光致放電法研究其光電導(dǎo)性能,復(fù)合材料的光敏性在全波長(zhǎng)范圍內(nèi)比單一的酞菁氧肽有了很大的提高,當(dāng)摻雜單壁納米碳管重量比達(dá)到5%時(shí),復(fù)合的光敏性最佳,其中在
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