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文檔簡介
1、本文采用氧化物前驅(qū)體,通過低溫水熱方法制備了純鈣鈦礦相的鈦酸鉛(PbTiO3,縮寫為PT)粉體和摻鑭的鋯鈦酸鉛(Pb0.94La0.06(Zr0.65Ti0.35)0.985O3,縮寫為PLZT)薄膜。分析了各種試驗條件對制備PT粉體的微觀結(jié)構(gòu)的影響機制,并在此基礎(chǔ)上,探索了這些試驗條件對制備PLZT薄膜的微觀結(jié)構(gòu)及其電學(xué)性能的作用規(guī)律。 合成的PT粉體是純的鈣鈦礦相,其大小均勻,粒徑約為0.5微米。氫氧化鉀的濃度、前驅(qū)體中鉛的
2、含量以及反應(yīng)時間都對粉體的微觀形貌產(chǎn)生影響。通過對其微觀結(jié)構(gòu)分析發(fā)現(xiàn)了水熱合成鈦酸鉛粉體的合成機理,即:在水熱條件下鈦酸鉛粉體沿著(100)晶面層狀結(jié)晶發(fā)育。 在合成鈦酸鉛粉體的基礎(chǔ)之上,采用氧化物前驅(qū)體低溫合成了摻鑭的鋯鈦酸鉛薄膜。該薄膜具有純的鈣鈦礦相結(jié)構(gòu)。薄膜表面光滑,結(jié)構(gòu)致密,沒有裂紋和孔洞。薄膜表面的晶粒大小均勻。薄膜的厚度可達于50微米。該薄膜具有優(yōu)良的電學(xué)性能。當頻率為1MHz時,介電常數(shù)和介電損耗分別為665和0
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