采用緩沖層結(jié)構(gòu)的脈沖功率開(kāi)關(guān)RSD研究.pdf

1、在現(xiàn)代脈沖功率技術(shù)領(lǐng)域，高平均功率重復(fù)率脈沖功率技術(shù)的發(fā)展日益加快，這就對(duì)脈沖功率系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件提出了更高的要求。脈沖功率開(kāi)關(guān)RSD（Reversely Switched Dynistor）具有正向阻斷電壓高、通流能力強(qiáng)、高di/dt、導(dǎo)通時(shí)間短、長(zhǎng)壽命和重復(fù)率高等特點(diǎn)，在脈沖功率系統(tǒng)中具有廣闊的應(yīng)用前景。 從結(jié)構(gòu)上看，RSD與普通晶閘管不同之處在于RSD的陽(yáng)極為P區(qū)和N區(qū)相間排列的結(jié)構(gòu)。RSD是通過(guò)N基區(qū)靠近P基區(qū)側(cè)的一薄等

2、離子體層觸發(fā)，這可控等離子層是采用將器件上的外加電壓極性作短時(shí)的反向來(lái)建立的。RSD的導(dǎo)通條件是預(yù)充電荷量必須大于臨界預(yù)充電荷量。 采用緩沖層結(jié)構(gòu)可以使得采用更薄的硅片厚度即可達(dá)到相同的阻斷電壓，從而提高器件效率，通態(tài)和動(dòng)態(tài)損耗也隨之降低。這一結(jié)構(gòu)必須與透明陽(yáng)極結(jié)構(gòu)相結(jié)合。透明陽(yáng)極實(shí)際上是電子可以從中穿透而泄放的薄而摻雜濃度較低的陽(yáng)極。在工藝上，可以采用磨角和少子壽命控制技術(shù)改善器件的特性。降低載流子壽命的方法主要有摻金、鉑，電