硅納米晶的電致發(fā)光研究.pdf

1、光電子產(chǎn)業(yè)是21世紀(jì)的支柱產(chǎn)業(yè)。利用現(xiàn)有的硅技術(shù)實(shí)現(xiàn)光電子器件集成是當(dāng)前光電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的一個(gè)重要趨勢(shì)。由于其發(fā)光的穩(wěn)定性、結(jié)構(gòu)的穩(wěn)固性以及所具有的受激輻射特性，在過(guò)去的幾年里已經(jīng)成為制造硅光源的優(yōu)選材料。工作中所涉及的nc-Si的電致發(fā)光研究是nc-Si 實(shí)用化的重要步驟。 本論文主要包括兩部分工作：其一是鑲嵌在SiO<,2>介質(zhì)中的納米晶Si(nc-Si：SiO<,2>)的電致發(fā)光(EL)鑒定；其二是nc-Si：SiO<,2>

2、的EL 增強(qiáng)研究。 一、通過(guò)對(duì)比室溫下的單層nc-Si：SiO<,2>和SiO<,2>的光致發(fā)光(PL)以及電致發(fā)光(EL)特性，得出結(jié)論：nc-Si：SiO<,2>的EL包括納米晶Si和缺陷兩部分的發(fā)光，并且分析了nc-Si：SiO<,2>的PL和EL的峰位不同的原因。我們還發(fā)現(xiàn)，通過(guò)鈍化nc-Si：SiO<,2>界面的方法只能增強(qiáng)納米晶Si的PL強(qiáng)度，而不能提高納米晶Si的EL強(qiáng)度。 二、我們?cè)趎c-Si：SiO<,