Cu層厚度和制備條件對(duì)Fe-,40-Co-,60--Cu-Ni自旋閥在不同應(yīng)力下巨磁電阻的影響.pdf

1、本實(shí)驗(yàn)采用離子束濺射的方法,在氧化硅襯底上制備了結(jié)構(gòu)為T(mén)8/Fe40Co50/Cu/Ni/Ta多層膜.研究了Cu層厚度對(duì)多層膜巨磁電阻的影響。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),當(dāng)Cu層厚度為2.6nm,制備態(tài)薄膜GMR值達(dá)到1.6％.測(cè)量了不同應(yīng)力下的磁電阻值,發(fā)現(xiàn)通過(guò)調(diào)節(jié)Cu層的厚度可以提高Fe40Co60/Cu/Ni自旋閥磁電阻對(duì)應(yīng)力的靈敏度。 在各層厚度不變的情況下,在制備自旋閥的過(guò)程中加平行于膜面的外磁場(chǎng),所制備的自旋閥GMR值達(dá)到2.4％。測(cè)

2、量了不同應(yīng)力下的磁電阻值,發(fā)現(xiàn)并解釋了加外磁場(chǎng)制備的自旋閥磁電阻隨應(yīng)力變化的靈敏度有所升高的現(xiàn)象。 在制備Fe40Co60層和Ni層過(guò)程中先后加相互垂直的外磁場(chǎng)可以使制備態(tài)薄膜的GMR值增加到2.3％。測(cè)量了不同應(yīng)力下的磁電阻值,發(fā)現(xiàn)加相互垂直的外磁場(chǎng)制備的自旋閥磁電阻隨應(yīng)力變化的靈敏度比無(wú)外磁場(chǎng)情況下制備的自旋閥磁電阻隨應(yīng)力變化的靈敏度要高。 用磁致伸縮系數(shù)較大的TbDyFe材料代替FeCo層制備的自旋閥,通過(guò)測(cè)量應(yīng)力