硅微尖錐陣列頂端微納材料的定位制備研究.pdf

1、一維納米材料具有獨(dú)特的量子尺寸效應(yīng)，彈道輸運(yùn)效應(yīng)，以及優(yōu)越的光電性能，因此，它們?cè)谖磥淼母咝阅芗{米光電子器件，例如：發(fā)光二極管，平板顯示器，高靈敏度傳感器等領(lǐng)域具有潛在的應(yīng)用前景。定位制備單根一維納米材料及其陣列，并探索其在新型光電子器件上的應(yīng)用，是目前備受關(guān)注的重要課題之一。定位制備單根一維納米材料的實(shí)驗(yàn)方法主要包括直接生長(zhǎng)法，微尖焊接法和溶液分散法等。其中直接生長(zhǎng)法是目前普遍采用的一種技術(shù)方法，大多數(shù)研究者采用電子束光刻進(jìn)行納米催化

2、劑的定位制備，繼而實(shí)現(xiàn)單根一維納米材料及其陣列的生長(zhǎng)。由于電子束曝光工藝系統(tǒng)極為昂貴，工藝成本偏高。因此，本論文希望探索不依賴電子束光刻就可實(shí)現(xiàn)單根一維納米材料定位制備的新方法。 論文針對(duì)目前備受關(guān)注的單根碳納米管和氧化鋅納米線陣列的制備所需的納米尺度催化劑，研究納米尺寸鐵和鋅催化劑薄膜的定位沉積，并探索其在單根碳納米管和氧化鋅納米線的定位制備上的應(yīng)用。論文的工作主要包括如下三點(diǎn)： (1)采用自對(duì)準(zhǔn)定位沉積薄膜技術(shù)，研