損耗在波導(dǎo)環(huán)腔全光開關(guān)中的作用和影響.pdf

1、為了解決目前通訊網(wǎng)絡(luò)中電子開關(guān)對網(wǎng)絡(luò)容量升級的瓶頸限制，人們開始廣泛研究光開關(guān)。較早研發(fā)的電控光開關(guān)目前已有商用產(chǎn)品，但是這類開關(guān)不能滿足未來全光網(wǎng)絡(luò)的要求，因此光控光開關(guān)，即全光開關(guān)，始終是人們研究的重點(diǎn)。阻礙全光開關(guān)發(fā)展最主要的一個(gè)因素是開關(guān)功率太高，Heebner等人提議在M—Z干涉儀的一臂連接一個(gè)環(huán)形共振腔，這樣可以大大降低開關(guān)功率，環(huán)形共振腔也被廣泛研究。本文詳細(xì)研究了損耗對幾種環(huán)形共振腔全光開關(guān)的影響。因?yàn)楣舱駮r(shí)環(huán)腔內(nèi)的能量

2、非常大，所以即使非常小的損耗對環(huán)腔性質(zhì)的影響也很大。
　　本文用迭代法計(jì)算了單耦合器環(huán)腔各部分場強(qiáng)與輸入場強(qiáng)的關(guān)系，達(dá)到平衡后的結(jié)果與其他方法計(jì)算的一樣，不過這樣可以了解沒有達(dá)到平衡時(shí)各部分場強(qiáng)的分布情況。另外，達(dá)到平衡所需時(shí)間的長短可以反映開關(guān)時(shí)間的長短。文中計(jì)算了損耗對單耦合器環(huán)腔的影響，不考慮單耦合器環(huán)腔只可以產(chǎn)生相移，損耗可以使其實(shí)現(xiàn)11×開關(guān)。將理論計(jì)算的結(jié)果與Lipson等人的實(shí)驗(yàn)結(jié)果比較，二者吻合的非常好。