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文檔簡介
1、本文對準(zhǔn)一維硅納米線微區(qū)場致電子發(fā)射特性和氧化鎢系列納米結(jié)構(gòu)的功函數(shù)及相關(guān)的能帶結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征。主要工作包括以下兩部分。 第一,采用掃描隧道譜測量了單根Si納米線的能帶結(jié)構(gòu),我們確定Si納米線的能帶寬度為1.01~1.12 eV,與硅體材料一致。研究了Si納米線頂端局域的場致電子發(fā)射特性,發(fā)現(xiàn)不同測試點(diǎn)的發(fā)射電流一電場特性存在差異。通過電場模擬和理論計(jì)算,我們確認(rèn)影響局域場致電子發(fā)射的原因一方面是由于局域納米結(jié)構(gòu)的存在引起的局域
2、電場的幾何增強(qiáng),另一方面,則來自于場致電子發(fā)射測試時(shí)外加電場對樣品表面能帶結(jié)構(gòu)的作用從而引起的勢壘降低。這兩方面的作用決定了Si納米線局域場致電子發(fā)射的特性。 第二,首次從實(shí)驗(yàn)上測得了W<,18>O<,49>和WO<,3>納米結(jié)構(gòu)的功函數(shù),并首次表征出了WO<,3>納米結(jié)構(gòu)的能帶結(jié)構(gòu)。采用開爾文探針技術(shù)測試得到的W<,18>O<,49>和WO<,3>納米結(jié)構(gòu)的功函數(shù)值分別為5.25 eV和5.57 eV,紫外光電子能譜給出一致結(jié)
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