低溫弱光條件下黃瓜的光抑制機理.pdf

1、山東師范大學(xué)碩士學(xué)位論文論文題目低溫弱光條件下黃瓜的光抑制機理學(xué)科專業(yè)名稱申請人姓名指導(dǎo)教師論文提交時間植物學(xué)田海霞楊德奎教授2007年4月10目出東濰范大學(xué)碩士學(xué)位論文低溫弱光條件下黃瓜的光抑制機理摘要分別以低溫(4℃)弱光(100Immlm五s1)和根部低溫(4℃)、地上部常溫(25。C)、弱光(100I|molm之s1)處理黃瓜嫁接苗和黃瓜自根苗，并在第0、2、4、6和8h測定葉綠素?zé)晒鈪?shù)、PSI的820nm光吸收和RuBPCa

2、se的活性等生理指標(biāo)。目的是了解低溫弱光脅迫對黃瓜的光抑制機理。主要結(jié)果如下。1低溫弱光脅迫對黃瓜的光抑制低溫弱光脅迫下，黃瓜嫁接苗和黃瓜自根苗的Fv／Fm、Fo、巾PSn、E1R、Fv，／Fm’、qP等熒光參數(shù)都隨著脅迫時間的延長而逐漸下降，而NPQ卻逐漸升高。這表明低溫弱光脅追下黃瓜的PSII反應(yīng)中心發(fā)生了光抑制。至脅迫8h時，黃瓜嫁接苗的Fv／Fm、由PSII、ETR、qP等明顯高于黃瓜自根苗(Po05)，說明黃瓜嫁接苗的PSII

3、比黃瓜自根苗有較強的抗低溫弱光能力。隨著脅迫時間的延長，黃瓜嫁接苗、黃瓜自根苗的氧化態(tài)P700都降低，說明低溫弱光脅迫對二者的PSI都有抑制作用。各處理期間黃瓜嫁接苗和黃瓜自根菌都有顯著的差異(Poos)。說明黃瓜自根苗的PSI比黃瓜嫁接苗對低溫弱光更敏感。mlBPCase隨脅迫時間的延長均呈下降趨勢，說明低溫弱光處理抑制了RuBPCase的活性。處理期間黃瓜嫁接苗明顯高于黃瓜自根菌，差異極顯著(PO01)，說明黃瓜嫁接苗RuBPCas

4、e也較黃瓜自根苗對低溫弱光有較高的抗性。低溫弱光處理下，隨著脅迫時間的延長，黃瓜嫁接苗、黃瓜自根苗的SOD活性先升高又降低。脅迫結(jié)束時，黃瓜嫁接苗SOD活性明顯高于黃瓜自根苗(P005)。由此可見，保護酶活性的增強也是黃瓜嫁接苗比黃瓜自根茁更耐低溫弱光的原因之一?？傊?，低溫弱光脅迫下PsII反應(yīng)中心的活性降低(F、忭Ⅱ1)，PSII的電子傳遞受阻(母PSll)，但并未破壞PsⅡ作用中心(Fo)。同時也對黃瓜的PsI產(chǎn)生光抑制作用，RuB

5、PCase活性的降低，說明光合暗反應(yīng)也受到影響。脅迫結(jié)束時，黃瓜嫁接苗Fv／Fm、氧化態(tài)P700活性、RuBPCase活性與脅迫前相比分別下降了152％、373％、636％，這說明碳同化在低溫弱光脅迫下受到的影響最大。2根部低溫弱光脅迫對黃瓜的光抑制根部低溫弱光脅迫下，F(xiàn)v／Fm、Fv’／Fm’、氧化態(tài)P700在脅迫初期(2h)無明顯變化，而巾PSII、ETR、qP卻明顯升高，說明脅迫初期對黃瓜并沒有產(chǎn)生抑制作用，這可能是因為根部低溫脅