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1、本文采用有限元的方法模擬了典型TSOP封裝產(chǎn)品的塑封脫模過程。針對(duì)TSOP封裝在塑封工藝中脫模時(shí)可能發(fā)生的芯片碎裂,采用有限元法模擬封裝脫模闡明了芯片碎裂失效的機(jī)制。研究表明,模具內(nèi)表面有機(jī)物形成的局部沾污可能阻礙芯片的順利脫模,導(dǎo)致硅片內(nèi)產(chǎn)生較大的局部應(yīng)力并碎裂失效。通過模擬在不同的沾污面積、形狀和位置下的封裝脫模,確認(rèn)了最可能導(dǎo)致失效的條件。芯片碎裂失效可以通過使用高彈性模量的塑封料或減小硅片尺寸得以改善。本研究對(duì)于改進(jìn)TSOP芯片
2、封裝工藝的可靠性具有一定的指導(dǎo)意義。 本文還模擬了n型MILC低溫多晶硅薄膜晶體管在直流自加熱應(yīng)力下的器件溫度分布,分別研究了溫度分布與功率密度加載、襯底材料特性以及器件溝道寬度的依賴關(guān)系。器件功率密度的減小能直接降低單位面積的發(fā)熱量,從而降低溝道溫度。在相同功率密度下,溝道寬度的增加將增大發(fā)熱面積,因此減小溝道寬度對(duì)于降低溝道溫度也有著重要的作用。改善襯底材料的導(dǎo)熱性,能更好地將溝道中的熱量從器件底部散發(fā),否則一個(gè)很小的功率密
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