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文檔簡介
1、隨著科學的進步和微電子技術(shù)的飛速發(fā)展，硅基集成電路的集成度越來越高。而集成度的提高是以其核心器件金屬－氧化物－半導體場效應(yīng)管(MOSFET)特征尺寸的逐漸減小為基礎(chǔ)的。但是受量子隧穿效應(yīng)的影響，MOSFET柵極SiO2電介質(zhì)層的厚度不可能無限制地減小。因此，必須尋找一種新的具有高介電常數(shù)的柵極電介質(zhì)材料來取代傳統(tǒng)的SiO2。在已研究的新一代柵極電介質(zhì)材料中，具有偽立方鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的LaAlO3薄膜倍受人們看好，很有希望成為新一代高集成度M
2、OSFET的柵極電介質(zhì)材料。 本論文圍繞LaAlO3薄膜的制備、后退火處理、微結(jié)構(gòu)和電學性能的測量與表征，對薄膜進行了深入研究。首先，我們采用射頻磁控濺射法在p型Si(100)襯底上制備了非晶態(tài)的LaAlO3薄膜，并利用雙光束干涉顯微鏡測厚法測得薄膜厚度。然后，將LaAlO3薄膜在空氣環(huán)境中進行了120分鐘的高溫后退火處理，再利用X射線衍射、X射線光電子能譜、掃描電子顯微鏡及能量色散譜儀等表征手段對LaAlO3薄膜的微結(jié)構(gòu)、表面
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